Предпочтительно использование

Удельное электрическое сопротивление у высоконикелевых пермаллоев приблизительно в два раза меньше, чем у низконикелевых. Поэтому в переменных магнитных полях, особенно при повышенных частотах, предпочтительнее использовать низконикелевые пермаллои. Термическая обработка высоконикелевых пермаллоев сложнее обработки низконикелевых. Кроме того, высоконикелевые пермаллои дороже из-за большого содержания никеля; механические напряжения, чистота и состав сплава значительно сильнее влияют на магнитные свойства высоконикелевых пермаллоев.

В ГИССВЧ-диапазона применяются дискретные полупроводниковые приборы в бескорпусном или обычном исполнении. Предпочтительнее использовать приборы с жесткими (балочными, столбиковыми, шариковыми) выводами. Применяются также СВЧ биполярные транзисторы и приборы с отрицательным внутренним сопротивлением (диоды Ганна, туннельные и лавиннопро-летные диоды и т. д.). Широко применяются диоды, имеющие нелинейную зависимость емкости р — «-перехода от смещающего напряжения — параметрические дкоды, варакторы, диоды с накоплением заряда. Используются и пассивные дискретные элементы, особенно часто дискретные многослойные пленочные конденсаторы, которые значительно компактнее и точнее интегральных.

Расчет коэффициентов уравнения регрессии может производиться по формулам, которые при й>3 становятся весьма громоздкими. Предпочтительнее использовать для расчета коэффициентов программу регрессионного анализа для ЭВМ [5-9]. Программа предусматривает подсчет значения выходной величины по полученной формуле fa и (У}~Уз)2.

тервал при А,<5 мкм или Я>40 мкм. При это\ предпочтительнее использовать коротковолновый диапазон и стандартную измерительную аппаратуру. При низких концентрациях носителей заряда (л0<1018 см~3) следует проводить измерения при ?,>40 мкм. Так как коэффициент поглощения растет с увеличением длины волны, то нижний предел измеряемых концентраций снижается до Ю15 см~3. Однако при Я,>40 мкм усложняется те>ника измерений. Большие возможности для определения свойств полупроводников создает применение лазеров в качестве источников света. С их

В большинстве случаев предпочтительнее использовать двигатель с параллельным возбуждением, у которого меньше ток возбуж-

В тех случаях, когда необходима высокая точность измерения, применяют приборы электродинамической системы. Если прибор должен потреблять малую мощность, то предпочтительнее использовать приборы электронной и электростатической систем или цифровые приборы. Когда речь идет об измерениях синусоидальных токов и напряжений с погрешностью порядка 1,5—3,0%, очень удобны многопредельные вольтамперметры выпрямительной системы. Наиболее точным устройством для измерения переменных токов и напряжений является компаратор. С помощью компаратора измеряемый переменный ток или напряжение сравниваются с постоянным током (напряжением).

вая 2) также имеет волновое сопротивление 30 Ом и подложку из окиси алюминия толщиной 0,64 мм. Значения собственной добротности получены на полуволновых резонаторах в режиме холостого хода. Площади поперечного сечения резонаторов близки по значению. В линии типа «сэндвич» собственная добротность значительно выше. Кроме того, добротность несимметричной микрополосковои линии снижается в диапазоне частот 7—18 ГГц из-за потерь на излучение через открытые резонаторы; такие же резонаторы, выполненные из линии типа «сэндвич», не излучают. Щелевые линии являются линиями открытого типа, т. е. в них велики потери на излучение; кроме того, этим линиям свойствен ряд других недостатков. Поэтому иногда, особенно в активных цепях, предпочтительнее использовать компланарную микрополосковую линию передачи, являющуюся линией квазиоткрытого типа и обеспечивающую возможность простого включения как последовательно, так и параллельно активных приборов.

Оптимальным с точки зрения быстродействия является соотношение bj,/bn — У\ь,птг1\\,р. Для т = 2..А получаем bp/bn = 2...3, т. е. размеры /7-канальных транзисторов должны быть существенно больше, чем /г-канальных. Это ведет к росту площади, занимаемой ЛЭ на кристалле, и повышению нагрузочной емкости (по сравнению с элементом И-НЕ). Поэтому даже в оптимальном случае быстродействие элементов ИЛИ-НЕ (в предположении, что они нагружены на подобные ЛЭ) примерно в 2 раза хуже, чем элементов И-НЕ. Таким образом, в КМДП-микросхемах предпочтительнее использовать элементы И-НЕ.

Для снижения шерховатости поверхности пластин и уменьшения толщины режущей кромки диска, определяющей ширину реза и потери полупроводникового материала при резке, алмазы оптимального размера закрепляют только на торце режущей кромки. На боковых сторонах ее наносят алмазы в 2—3 раза меньшего размера. При резке тонких пластин хрупких полупроводниковых материалов лучшие результаты дает применение алмазных отрезных кругов со сплошной режущей кромкой. При резке толстых пластин предпочтительнее использовать алмазные круги с прерывистой (сегментообразной) режущей кромкой. Она обеспечивает хороший подвод охлаждающей жидкости к зоне реза и вывод из нее шлама, «засаливающего» режущий алмазный слой полупроводниковой пылью.

типовых полупроводниковых структур, в качестве диода предпочтительнее использовать /7-л-переход транзистора. В ряде случаев транзистор можно рассматривать как диодную сборку, т. е. как два диода (p-n-перехода), смонтированных на общем основании — базе. Такое представление позволяет определить возможные режимы работы р-п-пе-реходов в транзисторе и требуемые полярности питающих напряжений, при которых эти режимы обеспечиваются. Однако при этом не учитывается взаимодействие между р-я-переходами через базу малой толщины (ширины). Это взаимодействие позволяет получить в транзисторе новое свойство, не присущее диодной сборке, — возможность управления выходным током путем изменения входного.

Длительность выходных импульсов релаксационного генератора по схеме 7.17 зависит от значения /выкл параметра ОПТ, не относящегося в отличие от Увкп к числу стабильных. В случае, когда требуется обеспечить строго постоянную, мало зависящую от параметров ОПТ длительность генерируемых импульсов, предпочтительнее использовать генератор, схема которого приведена на 7.19. Генератор состоит из однопереходного транзистора Т1 и ждущего мультивибратора на биполярных транзисторах Тг и Тй типа п-р-п.

Поскольку Н2 и О 2 не токсичны, предпочтительно использование водород-кислородных ЭХГ, в особенности для автономных объектов. В качестве конечного продукта реакции такие ЭХГ вырабатывают пары воды, т. е. эти ЭХГ являются экологически чистыми. После сепарации и очистки от электролита вода используется в системах жизнеобеспечения автономных объектов (в частности, космических летательных аппаратов) либо направляется для получения исходных продуктов реакции (водорода и кислорода) в регенерационных циклах [1.5, 1.7]. В последующих параграфах (§ 4.2—4.4) в основном рассматриваются вопросы, связанные с водород-кислородными ЭХГ.

Общетиповая оценка технологичности ПП ставит второе условие: предпочтительно использование сеткографии вместо фотолитографии. Это требование при всех трех классах плотности рисунка выполняется для ПП 170x150 мм, не более. Габаритное ограничение вызвано конечными возможностями сеткографии, при которой точность воспроизведения оттиска связана с деформацией сетки трафарета, значительно увеличивающейся при превышении указанных габаритов.

1 Здесь и далее вместо термина «электрическая линия» более предпочтительно использование термина «линия электропередачи».

о разряде С0л в первой стадии процесса и заряде Соэ — во второй ( 7-7). Мгновенные значения переходных токов могут во многие десятки раз превосходить установившиеся токи. Переходный индуктивный ток iL, определяемый дугогася-щим реактором, нарастает в момент К3" относительно медленно и имеет меньшие максимальные значения. Это дает возможность использовать переходные токи для действия защиты также и в сетях с дугогасящими реакторами [Л. 250]. Исследования показывают [Л. 251], что значительно лучшие результаты получаются при использовании качественных признаков переходного процесса (например, направления распространения волны), а не количественных (например, амплитуды тока). В связи с этим защиты часто выполняются реагирующими на знак мгновенной мощности р = id; при этом предпочтительно использование разрядной волны (измерение в начальный момент), определяемой i= ('сразр.

качестве материала для пластин пригоден любой формоустойчивый электропроводный материал. Предпочтительно использование сплавов с малыми коэффициентами теплового расширения (ауродил 36, инвар). Это же относится и к изолирующим материалам, которые (даже в условиях высокой влажности) должны иметь высокое сопротивление изоляции. Для этих целей хорошо использовать кварцевое стекло.

2. В качестве материала токопроводящих жил предпочтительно использование более дешевого и технологичного ниобия на стабилизирующей подложке из меди высокой чистоты. Применение на переменном токе сверхпроводников с высокими критическими параметрами (типа ниобий-олово) не дает явных преимуществ.

4. В качестве электроизоляционного материала предпочтительно использование синтетических полимеров в виде тонких лент, обладающих лучшими диэлектрическими свойствами по сравнению с гелием в жидком или сверхкритическом

5. Предпочтительно использование жесткой ТО с промежуточным экраном, охлаждаемым жидким азотом или газообразным гелием (температурный уровень около 80 К). Отрезки такой оболочки могут быть изготовлены длиной до 20 м, причем полости, содержащие суперизоляцию, можно вакуумировать и герметизировать непосредственно в заводских условиях. Гибкая ТО требует более мощного рефрижераторного оборудования, если учесть при этом, что полностью гибкие конструкции СПК проектируются однофазными или в лучшем случае полностью коаксиальными. С другой стороны, полностью гибкие конструкции, имеющие большую строительную длину, характеризуются меньшей стоимостью работ по прокладке и монтажу.

Благодаря этим преимуществам во многих областях техники предпочтительно использование электромеханических ЭА коммутации по сравнению со статическими.

2. В качестве материала токопроводящих жил предпочтительно использование более дешевого и технологичного ниобия на стабилизирующей подложке из меди высокой чистоты. Применение на переменном токе сверхпроводников с высокими критическими параметрами (типа Nb3Sn) не имеет существенных преимуществ.

4. В качестве электроизоляционного материала предпочтительно использование синтетических полимеров в виде гонких лент, обладающих лучшими диэлектрическими свойствами по сравнению с гелием в жидком или сверхкритическом состоянии и позволяющих уменьшить размеры коаксиальной фазы.

5. Предпочтительно использование жесткой ТО с промежуточным экраном, охлаждаемым жидким азотом или газообразным гелием (температурный уровень около 80 К). Отрезки такой оболочки могут быть изготовлены в длинах до 20 м, причем полости, содержащие суперизоляцию, могут вакуумироиаться и герметизироваться непосредственно в заводских условиях. Гибкая ТО требует более мощного рефрижераторного оборудования, если учесть при этом, что полностью гибкие конструкции СПК проектируются однофазными или, в лучшем случае, полностью коаксиальными. В то же время полностью гибкие конструкции, имеющие большие строительные длины, характеризуются меньшей стоимостью работ по прокладке и монтажу.