Пониженным давлениемВ промышленности разработано огромное количество герметизирующих материалов, сведения о которых можно найти в отраслевых стандартах и специальной литературе [5, 27]. Каждое из них характеризуется комплексом электроизоляционных, теплофи-зических и механических свойств, определяющих их выбор. Кроме того, герметизирующие материалы должны обладать приемлемыми технологическими свойствами, к которым относятся скорость отверждения, возможность полимеризации при пониженных температурах без приложения внешнего давления, отсутствие усадки и летучих веществ, длительная жизнеспособность, нетоксичность.
То же, что и в помещениях с влажной средой, но имеются пары воды, способные конденсироваться при небольших пониженных температурах
Легирование эпитаксиальных слоев осуществляют либо непосредственным введением примесей в расплав, либо за счет взаимодействия расплава с газовой фазой при определенном парциальном давлении пара лигатуры. Например, высокой эффективностью излучения в ИК-области обладают эпитак-сиальные p-n-переходы на основе арсенида галлия, легированного кремнием, который является амфотерной примесью для этого материала. При высоких температурах, когда давление пара As велико, кремний вытесняется в галлиевую подрешетку и является донором. При пониженных температурах кремний в основном занимает вакантные места в подрешетке мышьяка, создавая акцепторные уровни. Инверсия типа электропроводности наблюдается при температуре ~ 900 °С. Это позволяет
Ионное легирование полупроводниковых соединений интересно прежде всего с точки зрения введения примесей при пониженных температурах, когда значительно уменьшена или практически исключена вероятность образования тепловых дефектов. Появляется также возможность сохранить стехиометрию соединения в отличие, например, от легирования диффузией примесей, когда изменение состава в той или иной мере неизбежно. В ряде случаев в процессе ионного легирования можно инвертировать в поверхностном слое тип электропроводности путем введения избыточного по сравнению с равновесным количества примеси. Наконец, при ионном легировании удается синтезировать в поверхностных слоях тройные твердые растворы на базе бинарных соединений AniBv, что важно в производстве оптоэлектронных приборов.
При высоких температурах несколько повышается э. д. с., уменьшается внутреннее сопротивление и сильно возрастает саморазряд, вследствие чего существенно снижается срок службы. Так как саморазряд увеличивается также при повышенной влажности, то рекомендуют сохранять источники питания при пониженных температурах и в сухих помещениях.
Подвижность электронов двумерного электронного газа, особенно при пониженных температурах, сильно зависит от технологии изготовления слоев гете-роструктуры. Для их создания используют различные способы эпитаксиаль-ного наращивания тонких полупроводниковых слоев (см. гл. 2). Наилучшее качество эпитаксиальных слоев в рассматриваемой гетероструктуре, наименьшую плотность дефектов на их границах и наибольшую подвижность обеспечивает молекулярно-лучевая эпитаксия.
Величина и доля тока термогенерации в общем обратном токе диода существенно зависят от материала. Так, например, в кремниевых диодах, где тепловой ток незначителен, термогенерациоиный ток играет большую роль; для германиевых диодов его роль может стать заметной лишь при пониженных температурах, когда тепловой ток сильно уменьшается.
Для травления германия при пониженных температурах хорошие результаты дает применение брома. В широ-
Однако стремление к проведению процесса осаждения элементарных полупроводников из газовой фазы при пониженных температурах ограничивается возникновением в
Скорость роста эпитаксиального слоя арсенида галлия при пониженных температурах лежит в кинетической области, определяемой свойствами подложки, ее чистотой и ориентацией ( 6.19, а) и составом паровой фазы ( 6.19,6). При повышенных температурах она переходит в диффузионную область, в которой процесс осаждения соединения из газовой фазы протекает в условиях, близких к равновесным, когда скорость роста эпитаксиального слоя определяется транспортом исходных веществ из газовой фазы к подложке и мало зависит от свойств последней. Для таких условий проведения эпитаксиального процесса справедливо уравнение (6.33) для определения скорости роста эпитаксиального слоя.
В зоне осаждения при пониженных температурах они восстанавливаются водородом с выделением элементарного кремния:
В случае отклонения струйной трубки от среднего положения давление масла в одной из полостей повысится, а в другой понизится, вследствие чего поршень будет перемещаться в сторону полости с пониженным давлением. При этом он будет вытеснять масло через штуцер, соединительный маслопровод, струйный регулятор в бак маслонапорной установки. Одновременно поршень при своем перемещении посредством шатуна 3 и кривошипа 2 вращает вал 7. На наружном конце вала закреплен ведущий рычаг 8, который соединен с регулирующим органом. Ведущий рычаг закреплен на валу при помощи шлицевого соединения, что дает возможность устанавливать его под любым углом.
Исходя из описанных физических явлений, можно полагать, что характер процесса кавитации в текущей жидкости зависит от скорости потока, давления насыщенных паров и абсолютных уровней статических давлений в потоке до и после зоны кавитации. Однако более глубокие исследования показали, что во многих конкретных случаях возникновение и развитие кавитации, а также последствия могут в сильной степени зависеть и от ряда других факторов: времени пребывания частиц жидкости в зоне с пониженным давлением, температуры жидкости, ее плотности, поверхностного натяжения, вязкости, количества растворенного в ней газа, ее термодинамических свойств, режима течения потока (ламинарного или турбулентного) и т. д.
материал нагреется до температуры ионизации и пар станет электропроводящим. В обоих случаях разрыв цепи затрудняется. Для того чтобы в образующемся паре не возникали периферийные зоны с пониженным давлением и существенной электропроводностью, перемычка обычно помещается в вещество 3, препятствующее распространению пара после взрыва (например, порошок А12О3).
Магнитный разрядник типа РА21-2 — разрядник многократного действия с пониженным давлением внутри корпуса, предназначен для защиты от перенапряжений обмоток возбуждения синхронных машин. Разрядник имеет диапазон регулирования уставки по пробивному напряжению 1200 — 3500 В (амплитудное значение) и позволяет пропускать ток до 5000 А (амплитудное значение) при среднем значении тока в течение 1 с до 1000 А. Номинальное напряжение разрядника 1000 В постоянного тока.
транспортировки кассет с подложками. Кассеты с подложками по рельсам попадают из внешнего пространства с атмосферным давлением в камеру с пониженным давлением (3,5 мм рт. ст.) и далее периодически продвигаются в камеры с постепенно понижающимся давлением. К выходу линии давление постепенно повышается до атмосферного.
стия станины 7. Диффузоры служат для разделения областей с пониженным давлением (перед вентиляционными лопатками) и с повышенным давлением (выше вентиляционных лопаток).
транспортировки кассет с подложками. Кассеты с подложками по рельсам попадают из внешнего пространства с атмосферным давлением в камеру с пониженным давлением (3,5 мм рт. ст.) и далее периодически продвигаются в камеры с постепенно понижающимся давлением. К выходу линии давление постепенно повышается до атмосферного.
в испарителе с мгновенным вскипанием. В таком испарителе минерализованную воду нагне-' тают в камеры с пониженным давлением. Часть воды моментально превращается в пар, а минеральные вещества остаются в концентрированном рассоле ( 6.13). Рассол можно специально подвергнуть выпариванию и получить минеральные вещества в количестве, пригодном для продажи, хотя большинство этих солей вряд ли найдет покупателей.
Герметичность запорного органа проверяется испытанием изделия воздухом или водой под давлением, равным условному или рабочему, либо пониженным давлением, значение которого указывается в техдокументации. В закрытом положении запорная арматура не должна пропускать среду из одной части трубопровода в другую. Однако в ряде случаев нет необходимости предъявлять к арматуре особо высокие требования в отношении герметичности, поскольку иногда некоторая незначительная протечка среды допустима, а обеспечение абсолютной герметичности запорного органа технически сложно и экономически бывает пе-оправдано [4]. В связи с этим разработана классификация арматуры по классам герметичности с соответствующими нормами допустимой протечки, предусмотренными ГОСТ 9544—75. Класс герметичности устанавливается в зависимости от назначения арматуры:
пах с пониженным давлением наполняющего газа и
эти турбины имеют два теплофикационных отбора: верхний с повышенным давлением и нижний с пониженным давлением отбора. Эти турбины перед ЧНД имеют один регулирующий орган [11].
Похожие определения: Пороговых напряжений Порогового устройства Поскольку длительность Поскольку концентрация Поскольку последняя Поскольку сопротивление Поскольку увеличение
|