Предыдущих элементов

Рассмотренный в предыдущем параграфе графический метод расчета применим при любом виде вольт-амперных характеристик нелинейных элементов, поэтому он является наиболее общим.

В предыдущем параграфе было показано, что при токе i = — /msin(co/ + грг) напряжение на индуктивной катушке и = = Umsm(
Принципы построения электрических моделей линейных объектов, рассмотренные в предыдущем параграфе, справедливы и для нелинейных объектов. Дополнительным условием для нелинейных объектов является обязательное совпадение нелинейных относительных характеристик сходственных элементов объекта и модели.

Если решается прямая задача, то по заданному потоку и известным сечениям S и Sx рассчитывают значения индукции В и Вг, затем по характеристике намагничивания материала определяют величины Н и HI, значение намагничивающей силы находят из уравнения (11.18). Обратную задачу можно решить одним из методов, рассмотренных в предыдущем параграфе.

Как и в предыдущем параграфе, при анализе электромагнитных процессов в усилителе введем ряд упрощений:

Полупроводниковые интегральные ПЗУ. Полупроводниковые ПЗУ имеют все те же достоинства, которые отмечались в предыдущем параграфе в отношении полупроводниковых ЗУ с произвольным обращением. Более того, в отличие от последних они являются энергонезависимыми. Постоянные ЗУ имеют большую емкость на одном кристалле (в одном корпусе интегральной микросхемы).

Обратимся теперь к блокам, содержащим элементы памяти, например регистры, и выполняющим последовательности элементарных актов преобразования информации, называемых микрооперациями. Такие блоки в предыдущем параграфе названы операционными. На уровне операционных блоков булевы функции уже недостаточны для построения описания.

В предыдущем параграфе пояснялась возможность получения характеристики нелинейного элемента., эквивалентного двум параллельно соединенным н. э. Аналогич-

В предыдущем параграфе было показано, что при под-магничивании постоянным магнитным потоком в переменной составляющей потока появляется вторая гармоника ( 6-3). Это явление используется для удвоения частоты посредством схемы, изображенной на 6-7.

В предыдущем параграфе рассматривалось возникновение установившихся колебаний низкой частоты вследствие периодического изменения магнитного потока, вызывающего соответствующее изменение индуктивности феррорезонансного контура.

В предыдущем параграфе показано, что изменения текущего коэффициента отражения отображаются поворотом соответствующего вектора. С помощью формулы (5.4) свяжем текущий коэффициент отражения непосредственно с нормированным входным сопротивлением отрезка линии передачи заданной длины, нагруженного на известное комплексное сопротивление.

Обратная связь — устройство, посредством которого происходит передача воздействия, направленного от одного из последующих элементов цепи автоматического регулирования к одному из ее предыдущих элементов.

мы самозапуска расчетными не являются; некоторые исполнения защит на них вообще не реагируют. Для предотвращения ложного срабатывания при качаниях применяются специальные устройства (см. ниже), так как Z:! может снижаться в пределе до нуля, если электрический центр системы (см. гл. 1) окажется расположенным в системе у шин А и отстройка по Z3 является в общем случае невозможной. С учетом изложенного Zl,3 определяется из условия отстройки от КЗ в начале предыдущих элементов (линий, трансформаторов подстанции Б — точки К.\ и Kz) по выражению'

мость согласования по чувствительности с защитами предыдущих элементов, иногда реагирующих на другие воздействующие величины; частично поэтому на повышающих трансформаторах также предусматриваются токовые защиты обратной последовательности, подобные III ступени защиты генератора (см. гл. 13). С учетом многих расчетов, проведенных в СРЗиУ ТЭП и в эксплуатации, представляется обычно возможным без специальных расчетов принимать /"з>0,5-^-0,6/ном,г. Выдержка времени III ступени, осуществляемая органом выдержки времени К.ТЗ, выбирается по известному ступенчатому принципу (см. гл. 5). Часто у этого органа имеются две выдержки времени. С первой защита действует на отключение, например, секционных выключателей шин, со второй, на ступень Д? большей, — на отключение генератора. Часто для блочных генераторов в защиту входит еще одна, IV ступень, предназначенная в качестве резервной реагировать на особо опасные /((2) в статорной обмотке генератора. Параметр срабатывания ее органа тока КА4 выбирается так, чтобы эта ступень работала с коэффициентом чувствительности &ч~ «^1,2 при К(2) на выводах генератора. Ее первичный ток срабатывания вычисляется по выражению 1™3 =/2Х

В ИМС обычно применяют ключевые элементы на МДП-транзисторах. При этом они строятся на двух последовательно включенных транзисторных структурах, одна из которых выполняет функции ключевого элемента, а другая используется вместо резистора на выходе ключа. В ключевых элементах наиболее часто применяют МДП-транзисторы с индуцированным каналом, так как это позволяет сравнительно просто согласовывать выходные потенциалы предыдущих элементов со входными потенциалами последующих в цепочке ключевых элементов на транзисторах с каналами одной проводимости. МДП-транзисторы со встроенным каналом обычно встречаются в ключевых схемах как нагрузочный элемент.

Таким образом, в цепочке элементов, действующих последовательно друг на друга ( 1.5, а), величина А в каком-либо месте цепочки зависит от всех предыдущих элементов, но не зависит от последующих. Однако иногда желательно создать влияние последующих элементов на предыдущие. Тогда включаются специальные элементы обратной связи, на вход которых подаются величины с последующих элементов, а выход присоединяется к предыдущим ( 1.5, б).

С позиций схемотехники основное различие между полевыми и биполярными транзисторами заключается в существенном различии их входных сопротивлений. Благодаря большому входному сопротивлению, транзисторы последующих каскадов практически не оказывают шунтирующего действия на выходное сопротивление предыдущих элементов схемы. Этим объясняется высокая нагрузочная способность логических ИМС на МДП (МОП)-транзисторах (Яраз>10...20).

тывание в первых зонах защит предыдущих элементов выпол-

Времена первых ступеней tn—\ предыдущих аналогичных защит элементов или других их защит без выдержки времени, например дифференциальных защит трансформаторов (гл. 9), обычно не превосходят 0,1 с. Ступень А/ имеет значения, меньшие определяемых

Для предотвращения ложных срабатываний защиты при качаниях применяют специальные устройства (§ 4-29). Поэтому первичное сопротивление срабатывания г' з определяется, исходя только из условия отстройки от к. з. в начале предыдущих элементов (линий, трансформаторов, автотрансформаторов — точки KI и Л'2 на 4-4), по выражению

Второе условие для турбогенераторов является расчетным и дает t/c рв да (0,5ч-0,6) {/ном г//гн. Выдержка времени защиты, как установленной на последнем элементе в системе, выбирается большей максимальных выдержек времени ^макс. пр резервных защит предыдущих элементов. Обычно защита выполняется с двумя выдержками времени и действует с меньшей из них, например, на секционный выключатель шин генераторного напряжения или выключатель высшего напряжения блочного генератора; тогда ^i — ^макс. пр + kt и t2 = ti + Д^. Чувствительность защиты как резервной проверяется по к. з. в конце предыдущих элементов.

Выбор параметров срабатывания и проверка чувствительности. Выбор параметров части защиты от К'31 и чувствительной сигнализации при появлении /2 рассмотрены выше. При выборе тока срабатывания РТ4, действующего на отключение, обычно учитываются следующие условия: отстройка от /2, появляющихся при разрыве фаз линий (например, высшего напряжения для блочного генератора), и согласование по чувствительности с защитами предыдущих элементов.