Практически полностью

Если начальное магнитное состояние материала тонкостенного торои-да характеризуется значениями Н = О, В = 0, то при плавном нарастании тока получим нелинейную зависимость В (И), которая называется кривой первоначального намагничивания ( 7.5, штриховая линия). Начиная с некоторых значений напряженности // магнитного поля индукция В в тонкостенном ферромагнитном тороиде практически перестает увеличиваться и остается равной 8тдх . Эта область зависимости В (Я) называется областью технического насыщения.

что следует из схемы замещения идеализированного трансформатора (см. 13.4). В обычных условиях приведенное сопротивление г/ значительно меньше сопротивления нагрузки (гу'< гв), и все напряжение источника питания оказывается приложенным к нагрузке (см. кривые е~л+е~ц и ин на 14.4,а). Так как напряжение на дросселе Дп близко к нулю, то поток Фц практически перестает изменяться и сохраняет значение Фц= Фд до конца полупериода.

Если начальное магнитное состояние материала тонкостенного торои-да характеризуется значениями Н = О, В = О, то при плавном нарастании тока получим нелинейную зависимость В (Н), которая называется кривой первоначального намагничивания ( 7.5, штриховая линия). Начиная с некоторых значений напряженности Н магнитного поля индукция В в тонкостенном ферромагнитном тороиде практически перестает увеличиваться и остается равной Втах. Эта область зависимости В (Я) называется областью технического насыщения.

Если начальное магнитное состояние материала тонкостенного торои-да характеризуется значениями Я = О, В = 0, то при плавном нарастании тока получим нелинейную зависимость В (Я), которая называется кривой первоначального намагничивания ( 7.5, штриховая линия). Начиная с некоторых значений напряженности // магнитного поля индукция В в тонкостенном ферромагнитном тороиде практически перестает увеличиваться и остается равной Втах . Эта область зависимости В (Я) называется областью технического насыщения.

При U'си > Ucll точка отсечки сдвигается к истоку и происходит укорочение канала на величину А/. При этом обедненный слой обратносмещенного перехода сток—подложка, который при ?/си<С UCH отделялся от поверхности каналом, выходит на поверхность полупроводника на участке А/ ( 3.37, в). Потенциал в точке х = /' сохраняет значение UCH, которое было в начале насыщения. После отсечки канала ток стока практически перестает зависеть от потенциала стока. Эта область на выходных В АХ называется областью насыщения тока стока.

• После образования горловины канала ток в рабочей цепи практически перестает зависеть от напряжения на стоке, т. е. наступает /^ насыщение тока, как показано на выходных характеристиках МДП-транзистора, изображен- ^ ных на 3.3 для нескольких значений напряжения между затвором и истоком.

В образце пирамидальной формы ( 9.24, а) электрическое поле уменьшается от катода к аноду. Поэтому при сравнительно малых напряжениях смещения домен распространяется только в ту часть прибора вблизи катода, в которой Uc«>Ua. С повышением напряжения смещения дрейфовый путь домена увеличивается, а частота колебаний соответственно уменьшается. При дальнейшем повышении напряжения домен достигает анода, после чего частота колебаний практически перестает зависеть от напряжения смещения. Осциллограмма тока, генерируемого прибором Ганна при различных напряжениях смещения, показана на 9.24, б.

При внедрении ионов бора тип образующихся радиационных дефектов иной, чем при внедрении фосфора. При больших дозах облучения в кремнии могут образоваться включения новой фазы, например SiB6. Центрами ее зарождения служат дислокационные петли, возникающие при взаимодействии точечных дефектов в процессе легирования. Распад включений новой фазы в процессе отжига приводит к появлению в междоузлиях дополнительных атомов кремния, способных вытеснить атомы бора из узлов решетки. Это и приводит к уменьшению концентрации атомов бора, находящихся в активном состоянии, в интервале температур отжига 400 - 700 "С ( 6.18). С повышением температуры отжига доля замещающих атомов бора растет. Если температура отжига превышает 800 °С, доля замещающих атомов бора практически перестает зависеть от условий легирования.

Для оценки качества данного алгоритма одной из важнейших характеристик является скорость получения устойчивых сгущений на графе. Опыт работы подобных алгоритмов (типичный пример приведен на 5.9) показывает, что обычно после ряда циклов конфигурация графа практически перестает изменяться как по форме, так и по размерам, причем число циклов оказывается прямо пропорциональным N.

Такой диод тоже представляет собой четырехслойную структуру ( 6.8, а), образующую два транзистора. Однако в данном случае вход паразитного транзистора оказывается закороченным - это коллекторный переход рабочего транзистора, При этом практически перестает сказываться активное действие паразитного транзистора, что, во-первых, приводит к заметному уменьшению тока утечки 7ут и, во-вторых, к упрощению анализа модели диоца ( 6.8,6). 216

выходной инвертор насыщается и его коллекторный потенциал устанавливается на уровне 1/кэн = t/вых- При этом повторитель на Т4 практически перестает проводить ток, так как разность потенциалов на базе Тц становится меньше напряжения отпирания С/от.т- Это условие выполняется при включении в схему 286

Необходимо отметить, что в результате ударов и сотрясений (например, при длительных перевозках по железным дорогам) магнитная цепь машины может практически полностью размагнититься. Для получения остаточного потока нужно пропустить ток через обмотку возбуждения от постороннего источника.

Апериодическая слагающая практически полностью затухает через 6—10 периодов, т. е. через 0,12—0,2 с при частоте 50 Гц.

Постоянные магниты как источники постоянного магнитного поля широко применяют в ряде устройств информационно-измерительной техники; области и объем их применения непрерывно расширяются. На их использовании основана работа магнитоэлектрических измерительных механизмов, мапштоиндукционных успокоителей, поляризованных реле, герконов и других устройств. В микромашинах возбуждение с помощью постоянных магнитов практически полностью вытеснило электромагнитное возбуждение.

нии через «закрытые» ячейки практически полностью погасал, л через «открытые» проходил. Для продвижения доменов в плоскости пластины (необходимого для формирования заданной картинки) используют различные схемные решения.

Внедрение пленарной технологии привело к переходу производства дискретных полупроводниковых приборов практически полностью на этот вид технологии. Поэтому структуры дискретных полупроводниковых приборов ( 1.14) отличаются от структуры транзистора полупроводниковой микросхемы ( 1.1) только тем» что в них отсутствует изолирующий р — n-переход (так как на подложке размещается лишь один полупроводниковый прибор).

Рассмотрим структуру микропроцессора, изображенную на 3.18 [18]. Она практически полностью совпадает с функциональной схемой той части калькулятора, которая размещена на кристалле БИС. Особенность микрокалькулятора состоит в том, что он представляет собой полностью автономный прибор, поэтому комплект микропрограмм должен обеспечивать выполнение отдельных арифметических операций, обработку и анализ получаемых результатов и принятие решений.

Применение рабочих колес двойного всасывания. Схема такого насоса показана на 2.37. При идеально спроектированных и изготовленных колесах и корпусе в таком насосе практически полностью отсутствуют осевые силы, вызванные работой колеса, поскольку имеется симметрия сил, действующих на ведущий и ведомый диски рабочего колеса.

Известен и конструктивный метод защиты от масляных паров, практически полностью исключающий возможность их проникнове-

Тороидальные ИН (6-типа) уступают линейным по массога-баритным показателям, имеют усложненную конструкцию, однако позволяют практически полностью устранить внешние магнитные поля, что во многих случаях играет определяющую роль при разработке соответствующих энергоустановок.

Уменьшение влияния механических ударов и вибрации достигается применением массивных корпусов (шасси), на которых крепят детали автогенератора, амортизационных прокладок из губчатой резины, специальных подвесок и т. д. Печатный монтаж и использование проводов индуктивных катушек, вжигаемых в керамику, практически полностью устраняют влияние механических воздействий. Параметрическая стабилизация частоты позволяет снизить нестабильность до 10~?.

В центральной части щитов предусматривается втулка со сквозной проточкой для посадки подшипников качения, которые практически полностью вытеснили в машинах мощностью до 1000 кВт подшипники скольжения. Основными преимуществами подшипников качения являются упрощение обслуживания в эксплуатации, компактность и уменьшенные размеры подшипникового узла, малые потери на трение, незначительный износ, обеспечивающий постоянство воздушного зазора.