Позволяют сравнивать

Комбинации явлений резонансов напряжений и токов в различных ветвях фильтра позволяют создавать полосовые и заградительные фильтры высокого качества.

Особенности лазерного излучения позволяют создавать программно-управляемое технологическое оборудование, которое обладает высокой производительностью и прецизионной точностью. Автомат для сборки и лазерной пайки (АЛП, СССР) предназначен для установки ИС в корпусах с пленарными выводами на ПП с приклеиванием, подачей дозированного количества припоя и пайкой выводов лучом лазера. Время установки одной ИС составляет 7 с, точность позиционирования ±'0,05 мм. Установка снабжена 40 кассетами по 50 ИС в каждой. Фирма Vanzetti Systems Inc. (США) разработала установку лазерной пайки ILS 7000, которая позволяет точно дозировать энергию лазерного луча в каж-

пассивные элементы с точностью ±0,1%. Разброс коэффициентов усиления у транзисторов достигает 50%. Такие широкие допуски не позволяют создавать прецизионные ИС. Особенно остро стоит вопрос о реализации линейных ИС, в которых используются активные элементы с идентичными характеристиками в широком температурном диапазоне (дифференциальные усилители, электронные ключи для цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей). Получение необходимой точности линейных ИС осуществляется путем компенсации производственных погрешностей активных и пассивных элементов. Наиболее прогрессивным методом компенсации производственных погрешностей, электрических параметров компонентов линейных ИС является функциональная подгонка (ФП). Суть ФП заключается в изменении параметров тех пленочных пассивных элементов, которые в наибольшей степени влияют на выходные параметры готового изделия. К ее достоинствам следует отнести исключение операций комплектования навесных активных элементов, индивидуальной подгонки пленочных пассивных элементов, компенсацию нестабильностей элементов вследствие воздействия температуры при монтаже, снижение требования к допускам элементов, совмещение в одном процессе контроля и регулировки.

В настоящее время под ОУ понимается усилитель постоянного тока, имеющий большой коэффициент усиления, высокое входное и малое выходное сопротивления в широкой полосе частот. Эти качества ОУ позволяют создавать усилительные блоки и устройства, характеристики которых являются функцией параметров цепей ОС, и практически не зависят от собственных параметров ОУ.

Важное значение имеет и ряд других интересных направлений функциональной микроэлектроники. Появление новых магнитных материалов (слабых ферромагнетиков и магнитных полупроводников) привело к созданию магнетоэлектроники. Малая намагниченность насыщения позволяет управлять движением магнитных неоднородностей в двух и трех измерениях слабыми магнитными полями и осуществлять тем самым функции хранения, перемещения и обработки больших объемов информации. Достоинством таких систем является то, что хранение информации осуществляется без питания, а перемещение ее — с малыми потерями. Новые материалы позволяют создавать приборы с большой функциональной гибкостью.

Соединения А3ВЬ позволяют создавать р — «-переходы методами диффузии, ионной имплантации и наращиванием легированных эпитаксиальных слоев. В последнее время для создания светодиодов используют

{10]. Из-за большой функциональной сложности БЛС не обладают, как правило, большой универсальностью. Однако совершенствование технологии, повышение выхода годных схем, снижение их стоимости в расчете на один элемент позволяют создавать конструкции измерительных приборов и устройств, основой которых является одна БИС, объединяющая в своей конструкции несколько функциональных узлов.

Агрегатирование в радиоэлектронике связано с использованием функционально-узлового метода проектирования ЭА из модулей, микромодулей, микросхем и других унифицированных функциональных элементов. Ряды этих функциональных элементов имеют строго нормированные, одинаковые или кратные присоединительные размеры и электрические параметры и позволяют создавать бесконечное множество ЭА.

В последнее время многокаскадные усилители напряжения с резистивно-емкост-ной связью часто выполняют на интегральных микросхемах. Для получения таких усилителей используют интегральные микросхемы серий К123, К140, К175, К224, К237, К272 и др. Так, например, интегральные микросхемы серии К123 позволяют создавать многокаскадные усилители низкой частоты с полосой пропускания 200 Гц —100 кГц и коэффициентом усиления 30—500.

Отмеченные свойства тиристоров позволяют создавать на их

Активные фильтры реализуются на основе усилителей (обычно ОУ) и пассивных ЛС-фильтров. Преимущества активных фильтров по сравнению с пассивными: отсутствие катушек индуктивностей, получение хорошей избирательности, исключение затухания полезных сигналов или даже их усиление, хорошие массогабаритные показатели и др. Активные фильтры имеют и недостатки: они потребляют энергию от источников питания и не могут быть использованы на частотах свыше десятков МГц (что в основном определяется величинами /т ОУ). Чем ниже рабочие частоты, тем ярче проявляются преимущества активных фильтров; даже при частотах сигналов в доли Гц они позволяют создавать устройства приемлемых габаритов.

позволяют сравнивать данные, расположенные в двух верхних регистрах стека ST (0) и ST (1) (команды FCOM, FCOMP, FCOMPP), а также сравнивать с нулем (FTST) и анализировать данные в вершине FXAM. Команды сравнения могут выполняться без изменения состояния стека (FCOM), с выталкиванием одного из сравниваемых данных (FCOMP) и с выталкиванием обоих сравниваемых данных (FCOMPP). Результаты сравнения помещаются в регистр состояния SR (разряды СЗ, СО). Значения флагов СЗ, СО устанавливаются в зависимости от соотношения сравниваемых данных в соответствии с табл. 3.9. Поскольку при реализации алгоритмов довольно часто производится сравнение с нулем, введена соответствующая команда FTST. Команда FXAM выполняет детальный анализ содержимого вершины стека и помещает результаты в регистр состояния SR (разряды СО—СЗ). Значения флагов СО, С1, СЗ устанавливаются в зависимости от результатов анализа (см. табл. 3.10). Флаг С2 указывает знак числа, расположенного в вершине.

Для обеспечения большей гибкости при сравнениях введены команды сравнения с расширенными возможностями: FCOM addr, FCOMP addr, FICOM addr и FICOMP addr, где addr — ST (i) или адрес памяти (mem). Возможности размещения второго операнда различны для мнемокодов FCOM, FCOMP и FICOM, FICOMP. Первые две команды допускают размещение второго операнда как в памяти, так и в произвольном регистре ST (i) и позволяют выполнять сравнение вещественных чисел в форматах КВФ и ДВФ. Вторые две команды допускают размещение второго операнда только в памяти и позволяют сравнивать 16- и 32-разрядные целые числа. Во всех случаях результаты сравнения помещаются в разряды СЗ, СО регистра состояния.

Основные параметры цифровых ИМС определяют допустимые сочетания схем в устройстве и в обобщенном виде характеризуют работоспособность этих схем в сложных устройствах. Основные параметры, число которых одинаково для всех типов микросхем, определяют по измеряемым электрическим параметрам (входным и -выходным токам и напряжениям, временным параметрам), число которых зависит от типа микросхемы. Поэтому основные параметры являются общими для всех существующих и возможных логических ИМС и позволяют сравнивать между собой микросхемы различных типов.

• К числу основных электрических параметров, которые достаточно полно характеризуют все схемы ТТЛ и позволяют сравнивать их между собой, относятся быстродействие, потребляемая мощность, нагрузочная способность, помехоустойчивость и коэффициент объединения по входу.

Сопротивления, выраженные в относительных единицах, характеризуют параметры машины, показывая относительную (по отношению к номинальному напряжению) величину падения напряжения при номинальном токе. Кроме того, величины позволяют сравнивать свойства генераторов различной мощности.

Качество робастных оценок, так же как и параметрических оценок, можно характеризовать дисперсией погрешности оценки (6.97). Кроме того, поскольку робастные алгоритмы обладают остойчивостью к малым изменениям вероятностных характеристик пэмех, для них были введены специальные количественные показатели устойчивости — это функция влияния и функция чувствительности [82]. Эти функции позволяют характеризировать чувствительность алгоритма оценки к изменению лишь одного наблюдения, и все-таки они дают количественные характеристики, которые позволяют сравнивать алгоритмы оценки. Функция влияния 1C показывает, что произойдет с оценкой, если к большой выборке наблюдений хг, ..., хп добавить еще одно произвольнее наблюдение х. Пусть F (хъ ..., хп) — функция распределения случайных величин xt, g (хъ ..., хп) — • алгоритм оценки. Влияние нового наблюдения х на оценку g (х) можно характеризовать нормированным пределом

ные высота и длительность равны высоте и длительности эквивалентного импульса прямоугольной формы с равной площадью -и энергией. На 6-20 показаны для примера соотношения реальных и обобщенных высоты и длительности треугольного и экспоненциального импульсов. Приборы, измеряющие интегральные параметры, позволяют сравнивать импульсные сигналы с энергетической точки зрения, что иногда бывает единственным критерием.

Типы фильтров, имеющие более высокие показатели аир, являются лучшими, так как позволяют при том же потреблении получить большую мощность на нагрузке или ту же мощность на нагрузке при меньшем потреблении. Следовательно, показатели а и р позволяют сравнивать различные типы фильтров и определять, какие из них лучше или хуже с энергетической точки зрения.

рам (входным и выходным токам и напряжениям, временным параметрам), число которых зависит от типа микросхемы. Поэтому основные параметры являются общими для всех существующих и ъоз-можных логических ИМС и позволяют сравнивать между собой микросхемы различных типов.

деляют допустимые сочетания схем в устройстве и в обобщенном виде характеризуют работоспособность этих схем в сложных устройствах. Основные параметры, число которых одинаково для всех типов микросхем, определяются по измеряемым электрическим! параметрам (входным и выходным токам и напряжениям, временным параметрам), число которых зависит от типа микросхемы-Поэтому основные параметры являются общими для всех существующих и возможных логических микросхем и позволяют сравнивать между собой микросхемы различных типов. К основным параметрам: относятся:'

Основные параметры стабилизаторов напряжения. Параметры стабилизаторов напряжения позволяют сравнивать их по качеству работы, выбирать те, которые удовлетворяют требованиям эксплуатации электронных устройств, К таким параметрам относят: номинальное выходное напряжение 1/вьщ, диапазон изменения входного напряжения C/Bxmin и ?/вхтах, диапазон изменения тока нагрузки /Hmin и Л..тах> коэффициент полезного действия г), коэффициент нестабильности по напряжению Кни и коэффициент нестабильности по току К^, коэффициент сглаживания пульсаций Ксг и быстродействие.

Соотношения в (3.4.16) и (3.4.17) позволяют сравнивать нижнюю границу искажений с верхней границей, которая определяет искажения для гауссовского источника. Обратим внимание, что D*(R) также уменьшается со скоростью -6 дБ/бит. Мы должны также отметить, что дифференциальная энтропия h(X) ограничена сверху величиной hg(X}, как