Позволяет воспользоваться

Метод Вернейля является бестигельным и позволяет выращивать монокристаллы больших размеров по диаметру и по длине, а также проводить кристаллизацию в окислительной атмосфере при высоких температурах. Однако качество получаемых кристаллов вследствие недостаточно равномерной подачи порошка, непостоянства температуры пламени и трудности ее стабилизации невысоко. Кроме того, при выращивании монокристаллов часть исходного порошка проходит мимо затравки, что весьма нежелательно при использовании дорогостоящих материалов.

Метод Чохральского ( 25) позволяет выращивать монокристаллы достаточно больших размеров, которые по степени структурного совершенства являются одними из лучших среди монокристаллов таких же соединений, выращенных другими методами. При выращивании монокристалла монокристаллическую затравку 5, например граната, закрепляют в тугоплавкой свече 4, 54

Этим методом можно многократно перекристаллизовывать вещества. Кроме того, он позволяет выращивать монокристаллы заданных геометрических форм и непрерывно проводить процесс, перемещая серии контейнеров через зону кристаллизации, что создает предпосылки для автоматизации. Метод позволяет создавать достаточно равномерное температурное поле, обеспечивая выращивание ненапряженных монокристаллов, например сапфира, таких больших размеров, которые другими методами получить невозможно.

Это позволяет выращивать монокристаллы кремния большого диаметра (150 мм и более) с совершенной структурой без основного его дефекта — дислокаций.

Современная технология бестигельной зонной плавки •кремния позволяет выращивать в вакууме или атмосфере

Горизонтальный вариант метода направленной кристаллизации, проводимый в герметичном реакторе, получил наибольшее распространение в технологии арсенида галлия. Он универсален и может использоваться как для синтеза поликристаллического соединения, так и для синтеза, совмещенного с выращиванием монокристалла. Достоинством рассматриваемого метода получения монокристаллов разлагающихся полупроводниковых соединений является возможность регулирования состава кристаллизуемого расплава путем создания над ним требуемого давления пара летучего компонента. Это позволяет выращивать монокристаллы стехиометрического состава или, наоборот, с заданным отклонением от него.

Наибольшее применение выращивание профилированных кристаллов полупроводников нашло для изготовления кремниевых основ (стержней и лент) для реакторов водородного восстановления хлорсиланов и термического разложения моносилана. Поликристаллические стержни кремния диаметром 4—6 и длиной до 2000 мм выращивают без применения формообразователя методом, аналогичным методу выращивания монокристаллов «с пьедестала» (см. 4.12, в). Роль формообразователя выполняет электромагнитное поле, создаваемое индуктором, питаемым током частотой 1,76 МГц, и короткозамкнутым витком. Электромагнитное поле оказывает электродинамическое воздействие на столбик расплава ( 4.11, а). Использование такого устройства позволяет выращивать в вакууме порядка 2,бХ ХЮ~3 Па одновременно семь стержней. Скорость вытягивания составляет 15—18 мм/мин.

Выращиваемый из тигля из синтетического кварца монокристалл германия загрязняется в основном примесями бора, алюминия и галлия. Тем не менее использование кварцевых тиглей позволяет выращивать из исходного зонно-очищенного поликристаллического германия, имеющего концентрацию носителей заряда около 1-Ю12 см~3, монокристаллы электронного типа электропроводности с концентрацией носителей заряда около 7-1010 см~3.

фронта кристаллизации здесь сложно. Поэтому плотность дислокаций в монокристаллах, выращенных с пьедестала, велика и доходит до Ю4 см~2. Однако проведение кристаллизационного процесса с подпиткой позволяет выращивать монокристаллы с однородным распределением свойств по длине.

го на 4.50, позволяет выращивать из рабочего тигля диаметром 400 мм, содержащего 8 кг расплава, монокристалла кремния диаметром до 150мм и массой более 100кг. Рост монокристалла с подпиткой обеспечивает практически линейное распределение удельного сопротивления по длине монокристалла. Малый объем рабочего расплава способствует также большей однородности удельного сопротивления в поперечном сечении монокристалла. Вследствие уменьшения площади контакта расплава с кварцем тигля содержание кислорода в монокристаллах кремния, выращенных из малого объема расплава, почти вдвое меньше, чем выращенных из большого. За счет уменьшения расхода электроэнергии, необходимой для нагрева рабочего расплава, и затрат на кварцевые тигли, а также за счет повышения производительности и выхода готовой продукции себестоимость монокристаллического кремния значительно снижается по сравнению с себестоимостью продукции, полученной на установках периодического действия.

Несмотря на некоторое раскачивание растущего монокристалла, что не создает серьезных помех его росту, такая конструкция позволяет выращивать монокристаллы большой длины, обеспечивает строго перпендикулярное положение затравки к поверхности расплава и отсутствие вибрации как монокристалла, так и расплава. Последнее яв-

Интерфейс «мультишина» позволяет воспользоваться и компромиссным решением, так называемым последовательно-параллельным арбитражем, при котором к линии запросов г'-го уровня схемы параллельного арбитража подключаются k устройств, соединенных между собой по схеме последовательного арбитража.

Ввиду того, что подъемная система буровой установки используется, как правило, при технологических операциях перемещения инструмента, целесообразно выделить из суммарного баланса времени строительства скважины долю времени, затрачиваемого на спуско-подъемные операции, оценивая срок службы электропривода подъема по этому времени. Пренебрежение эпизодическим использованием этих приводов при прочих операциях позволяет воспользоваться для оценки времени работы данными, входящими в суточный рапорт бурового мастера и во все последующие формы отчетности о ходе бурения, не организовывая специальных наблюдений.

на на 18.3. Бесконечно большая магнитная проницаемость ферромагнитных стенок паза позволяет воспользоваться методом зеркальных отображений и заменить проводник с током, лежащий в пазу, системой бесконечного ряда токов. Удобно рассматривать поле в трех областях. Разделение по областям проводится таким образом, чтобы получить наиболее простое выражение, описывающее распределение плотности тока.

На VIII.30, е приведена конструкция феррорезонансного стабилизатора, питающего двухфазный выпрямитель. Здесь выходное напряжение разделено на две равные части, а на среднем стержне имеются две компенсационные обмотки. Вместо одного конденсатора в ферроконтуре применены два последовательных конденсатора удвоенной емкости. Это позволяет воспользоваться конденсаторами, рассчитанными на напряжение, вдвое меньше рабочего.

Такая форма записи узкополосного сигнала позволяет воспользоваться рассмотренными ранее способами анализа. Однако при этом возникает неоднозначность в выборе функций U(t) и ф(/)> которую можно проиллюстрировать следующим примером. Если гармоническое колебание

На 57-6 приведено подробно наиболее простое построение нагрузочной характеристики 3. При допущениях, использованных для этого построения, МДС Ftllim при заданном токе / = const также постоянна (Fadm = const) и такая же, как при установившемся коротком замыкании с током /к = /, когда магнитная цепь машины не насыщена (см. выше в этом же параграфе). Это позволяет воспользоваться для построения характеристики 3 треугольником короткого замыкания (ДЛ5С), катет которого АВ равен Х„/, катет ВС — Fadm- Из построения на 57-6 вытекает, что точка С нагрузочной характеристики 3 при напряжении U может быть получена с помощью треугольника короткого замыкания, если совместить его катет ВС с линией U = const и его вершину А с характеристикой холостого хода. При перемещении вершины А по характеристике холостого хода вершина С изобразит нагрузочную характеристику U = f (Ffm) или U = f (If). При U = 0, когда треугольник займет положение А-^В-^С^, вершина С1 укажет МДС возбуждения в режиме короткого замыкания с током / = /к.

Поведение человека-оператора является по существу функцией условий, в которых он работает. Переменность передаточной функции человека не позволяет воспользоваться для анализа качества работы проектируемой системы слежения обычными методами, подробно разработанными в теории автоматического регулирования. Сравнение качества нескольких вариантов систем слежения можно осуществить только путем нахождения-пределов возможных изменений коэффициентов передаточной функции человека, при которых слежение будет устойчивым и заданного качества, т. е. нахождения -пределов изменения психофизиологических характеристик человека в процессе управления системой слежения с данной машинной структурой. Очевидно, что чем меньше зона допустимых изменений коэффициентов передаточной функции человека, т. е. чем выше психофизиологическая нагрузка, тем труднее обслуживать такую систему, тем чаще человек будет выходить своими параметрами за пределы этой зоны и, следовательно, тем больше возможностей получить процессы слежения низкого качества.

принимать ц = 1 и р2 = 10~6 ом-м, что примерно соответствует температуре 800 — 850° С. Тогда можно считать р и ц постоянными по всему сечению, что позволяет воспользоваться формулами (11-19) — (11-21).

и установка промежуточных КТ имеет смысл лишь при t > T0. Примечательно, что оптимальный период не зависит от длительности задания, а при а = 1 - и от времени восстановления. Это позволяет воспользоваться заранее рассчитанными значениями Г0 (табл. 5.3) для различных fyj и средней наработки системы на отказ. При оптимальном числе КТ среднее время выполнения задания находят по формуле

Треугольный резонатор. Для резонатора в форме равностороннего треугольника (на 1.14,а показан мнкрополосковый вариант) применение принципа перестановочной двойственности позволяет воспользоваться решением задачи о треугольном металлическом волноводе [46] н записать решение уравнения (1.29) в виде

Использование машинных методов расчета в применении к цир-куляторам позволяет воспользоваться всеми преимуществами, присущими этим методам: возможностью быстрого анализа различных вариантов конструктивного выполнения устройства и выбором конструкции, обеспечивающей оптимальные характеристики; оценкой влияния конструктивных и технологических факторов, а также разбросов параметров используемых материалов на характеристики и т. д. Рассмотрим основные этапы машинного проектирования У-циркуляторов.