Позволяет выполнить

сопроцессор ввода-вывода, осуществляющий функции контроллера с двумя каналами прямого доступа к памяти, что позволяет выполнять операции ввода-вывода параллельно с выполнением вычислений центральным микропроцессором;

Кроме операций, управляющих передачами информации, предусматриваются также операции, которые нужны для построения самих программ канала. К ним относится так называемый «Переход в канале». Эта операция является внутренней процедурой канала и непосредственно на работу ПУ не влияет. Управляющее слово, задающее переход в канале, указывает адрес следующего УСК в цепи и, таким образом, позволяет выполнять программы канала, в которых УСК располагаются не в последовательных ячейках памяти. Этот вид перехода в программе канала является безусловным переходом.

Интерфейс «мультишина» рассчитан на михромашины с короткими межмодульными связями. Это позволяет выполнять смену задатчика на шине синхронно со специальными синхросигналами. На 11.30 приведена временная диаграмма обмена данными в интерфейсе «мультишина» в режиме прямого доступа при параллельном арбитраже.

Резиновые или поливинилхлоридные оболочки с концов кабелей наружным диаметром от 11 до 35 мм удобнее всего снимать специальным ручным приспособлением ( 169, а) массой 300 г, которое позволяет выполнять на оболочке кабеля как кольцевой, так и продольный надрезы.

Минимальный набор функциональных компонентов позволяет выполнять чип с одним уровнем маскирования, т. е. изготовлять активные компоненты чипа из пермаллоя в одном процессе литог,,афии с остальными аппликациями. В общем случае, с целью достижения лучших характеристик по временам поиска в накопителях ЗУ, в состав топологии чипа вводят дополнительные коммутирующие элементы: переключатели, репликаторы, дешифраторы и др. По ряду причин, в первую очередь вследствие плохой совместимости областей устойчивой работы отдельных компонентов чипа, выполнить чип в однослойном варианте часто становится затруднительным. В таких случаях применяют двухслойную технологию изготовления чипов, при которой на поверхность ЦМД-ма-териала первым наносят слой проводников, из которых формируют активные КОМПО- 8.11. Два варианта изготовления ненты чипа, а затем, через чипа (размеры указаны в мкм)

Если общая масса ободковых маховиков составляет 50 кг, то согласно оценкам [4.2] МН запасает энергию около 2 МДж и может развить мощность до 10 кВт, которая позволяет выполнять полет с оборудованием массой 50 кг.

С каждым годом в конструкцию серий машин переменного и постоянного тока вводится все большая унификация, различные узлы и детали машин стремятся делать одинаковыми. В то же время применение гибких автоматизированных производств позволяет выполнять большее число модификаций на основе базовой модели.

Увеличение эквивалентного сопротивления под действием эффекта вытеснения тока проявляется в большей степени в стержнях, поперечное сечение которых имеет большую высоту или уменьшенную площадь верхней части по сравнению с нижней. Поэтому в роторах двигателей, предназначенных для работы с тяжелыми условиями пуска, делают глубокие прямоугольные пазы (глубокопазные роторы) или стержни обмотки выполняют фигурными. Обмотки роторов с фигурными пазами выполняют в большинстве двигателей заливкой алюминием или его сплавами. Это позволяет выполнять конфигурацию пазов с оптимальными размерными соотношениями стержней для достижения требуемого действия эффекта вытеснения тока.

ваниям: безотказности (длительности службы без обслуживания и ремонта), работоспособности в условиях вакуума и больших циклических перепадов температуры, устойчивости к воздействию радиации. Ракетные РЭС обычно одноразового пользования (это позволяет выполнять их неремонтопригодными), приспособлены к кратковременной предстартовой проверке, в них предусмотрены возможность быстрой замены РЭС в случае неисправности, длительность срока хранения, устойчивость к механическим перегрузкам (при старте, торможении, маневрировании), они устойчивы к термоударам. Наибольший эффект при конструировании бортовых РЭС дает использование базовых конструкций, которые имеют специфику для РЭС гражданской авиации и РЭС специального назначения (космической, ракетной).

Сигналы, пропорциональные С и dC/dU, выделяются фазочувст-вительным детектором и обрабатываются аналоговыми устройствами, так что на их выходе создаются напряжения, пропорциональные х и N(x). Достоинство модуляционного метода, состоящее в слабом влиянии емкости подводящих проводов, позволяет выполнять измерения на образцах, вынесенных за пределы измерительной установки, а также применить ртутные контакты (зонды). Модуляционный метод решает проблему измерения малых изменений емкости при больших толщинах обедненного слоя, существующую при использовании дифференциального метода. Вместе с тем при этом требуется относительно большой уровень высокочастотного сигнала (150 мВ), что ухудшает разрешение по глубине, устанавливаемое дебаевской длиной экранирования, и предопределяет большое минимальное постоянное смещение.

Практически метод обратной связи имеет ряд преимуществ: возможность измерений на образцах, смонтированных на конце коаксиального кабеля достаточной длины, что позволяет выполнять их во время технологических операций, температурные измерения с применением криостатов, а также простота калибровки измерительной системы.

Схема управления не должна быть сложной. Наиболее простой можно считать такую схему, которая позволяет выполнить технологическое задание при наименьшем количестве простых элементов, аппаратуры и других устройств.

Применение фильтров позволяет выполнить магнитомодуляцион-ный датчик на одном сердечнике с одной общей обмоткой ( 4.10).

Для уменьшения шунтирующего влияния ЯС-цепей обратной связи вводят дополнительный каскад — истоковый повторитель. Включение истокового повторителя ( 7.7, в) позволяет выполнить условие баланса фаз и в то же время практически исключить влияние цепи обратной связи на коэффициент усиления усилителя. Для улучшения формы генерируемых колебаний в автогенераторы, схемы которых изображены на 7.7, а, в, вводят отрицательную обратную связь, которая осуществляется с помощью резистора /?„.

схем. Появление полевых транзисторов со структурой металл — окисел — полупроводник (МОП) изменило положение. Эти транзисторы представляют собой прибор, управляемый напряжением, и имеют высокое входное сопротивление (1012— -1014 Ом), причем это сопротивление сохраняется независимо от значения и полярности входного напряжения. Входной ток таких транзисторов пренебрежимо мал даже при повышенных температурах. Все это позволяет выполнить электрометрический усилитель на МОП-транзисторах. На 2-7, а приведена схема интегрального усилителя типа 1УТ971. Он имеет два параллельно-симметричных каскада усиления. Первый каскад выполнен на МОП-транзисторах, а второй — на триодах типа п — р — п. Входной ток такого усилителя не превышает 50 пА, входное сопротивление определяется сопротивлением изоляции подложки, коэффициент усиления по напряжению не меньше 10. Схема включения усилителя показана на 2-7, б.

понижение отрицательного напряжения смещения на сетке генераторной лампы и возрастание постоянной составляющей /а анодного тока. Изменение постоянной составляющей эквивалентно изменению Rn — внутреннего сопротивления между анодом и катодом лампы. Сопротивление Кл используют в качестве одного из плеч моста постоянного тока ( 4-13). Можно уравновесить такой мост без испытуемого образца Сх. При включении образца с потерями вследствие увеличения активной проводимости контура постоянная составляющая анодного тока возрастет, сопротивление Кл уменьшится, равновесие моста нарушится и в диагонали моста появится ток. Для сохранения неизменной частоты колебаний до включения образца емкость переменного конденсатора уменьшают на значение Сх. По значению тока в диагонали неуравновешенного моста можно определить tg б. Данный метод позволяет выполнить приборы с прямым отсчетом tg б.

площадь пленочного МДМ-конденсатора мала и технология не позволяет выполнить его в виде трехслойной пленочной структуры, можно использовать в качестве диэлектрика подложку ( 1.7, г), сконструировать гребенчатый конденсатор ( 1.7, д) или сформировать конденсатор в виде двух параллельных проводящих полосок ( 1.7, е).

Кроме специализированных серий вторичных источников питания, в состав наиболее распространенных серий входят ИМС выпрямителей и стабилизаторов источников питания, что позволяет выполнить устройство на микросхемах одной серии.

Конструкция изоляции обмотки из подразделенных катушек приведена в табл. 3.9. Для корпусной изолягии класса нагревостойкости В в современных машинах используют листовой слюдопласт, имеющий достаточные механическую и электрическую прочности, что позволяет выполнить пазовый короб из одного слоя лакослюдопласта. При этом толщина изоляции по сравнению с многослойной уменьшается при той же электрической и механической прочности, а теплопроводность возрастает.

Для МПЛ используют подложки из керамики, ситалла, ферритов, полупроводниковых материалов (кремний, арсенид галлия). Максимальные размеры подложки из керамики, ситалла и ферритов составляют 48 х 60 мм, толщина их 0,5 и 1,0 мм для керамики и ситалла, 1 и 2 мм для феррита. Полупроводниковые подложки вырезаются из пластин дисковой формы. Идеальный материал должен иметь минимальные потери на заданной частоте, температурную и временную стабильность е и tg5, минимальную шероховатость поверхности после обработки, минимальное количество пор, хорошую теплопроводность, обеспечивать заданную точность, усадку и коробление, поддаваться обработке шлифовкой и полировкой, быть стойким к травителям. Материала, удовлетворяющего одновременно всем требованиям, не существует. Поэтому он (см. табл. 7.4) выбирается для каждого применения. На частотах до 10...20 ГГц обычно используют диэлектрические подложки, обладающие меньшими, чем полупроводниковые (особенно кремниевые), потерями. На более высоких частотах иногда применяют полупроводниковые подложки (например, на основе арсенида галлия), что позволяет выполнить все устройство СВЧ в едином технологическом цикле и уменьшить его массу и габариты. Диэлектрические подложки из поликора и сапфира имеют малые потери, минимальную шероховатость после обработки, высокую теплопроводность. Оксид бериллия и брокерит-9, содержащий 99,7% Ве2О4, обладают наивысшей для керамических материалов теплопроводностью, но их пыль (образующаяся при механической обработке) токсична, а потери больше, чем потери подложек из поликора. Подложки из кремния обладают высокой теплопроводностью, но потери в них велики. Достоинством кварца является стабильность диэлектрической проницаемости в широком диапазоне частот и очень низкие диэлектрические потери. Арсенид галлия имеет малые потери, диэлек-

В настоящее время выпускаются операционные усилители с высоким входным сопротивлением за счет применения полевых транзисторов в качестве входных. Это позволяет выполнить на их основе элемент выдержки времени.

Отметим, что полученное значение SCTSOK можно реализовать, изменяя SCT и SOK, что позволяет выполнить заданные в ТЗ требования. Например, для минимизации падения напряжения в обмотках следует увеличить сечения их проводов, что потребует увеличения SOK и, как следствие, уменьшения SCT (для сохранения полученного значения SCTSOK). Но стоимость меди больше стоимости стали, поэтому данное решение приведет к росту стоимости трансформатора. При уменьшении SCT нарушится режим работы магнитопровода, что может вызвать возрастание потерь в нем и, следовательно, увеличение температуры нагрева трансформатора, приводящее к снижению его надежности. И наоборот, увеличивая SCT и одновременно уменьшая SOK, снижают стоимость трансформатора. Но так как плотность электротехнических сталей больше плотности меди, возрастет масса трансформатора.