Позволяет сравнительно

Отрицательная обратная связь используется в усилителях очень широко. Она позволяет создавать на основе усилителей устройства различ-

Трудоемкость и стоимость являются экономическими показателями, характеризующими процесс или систему контроля изделия или ТП соответственно. Прямое использование указанных показателей в моделях существенно ограничивает возможности разрабатываемых методов (например, возможна постановка задач оптимизации только по стоимости или только по трудозатратам и т. п.). Переход к более общим показателям, например к некоторым «обобщенным затратам», позволяет создавать модели более общие в смысле постановки и решения оптимизационных за-

Таким образом, ТП (ТС) как объект управления позволяет создавать автоматизированные системы управления с замкнутой обратной связью, чего на других уровнях, где осуществляется управление людьми, сделать невозможно.

Применение бесконтактной записи с небольшим зазором между головкой и носителем позволяет создавать ВЗУ с более высокой скоростью передачи информации путем значительного увеличения линейной скорости движения носителя (до нескольких десятков метров в секунду).

полюсных наконечников на магнитах обеспечить сложно, поэтому более рационально применение магнитных систем со сварным биметаллическим цилиндром ( 1.7,6, в, г). В этих системах полюсы магнитов выполнены в виде звездочки ( 1.7,6) или применены призматические магниты в индукторах обычного типа (1.7,в) или коллекторного типа (1.7,г), когда поток в зазоре создается двумя магнитами. На полюсы напрессовывается составной сварной биметаллический цилиндр 1 из магнитомягких полюсных наконечников 2 и межполюсных участков 3 из немагнитного материала. Применение призматических магнитов с направленной кристаллизацией и магнитов на базе редкоземельных элементов и кобальта позволяет создавать магнитоэлектрические генераторы мощностью до 165 кВА, и область применения таких генераторов постоянно расширяется.

Высокое быстродействие поляризованных реле позволяет создавать на их базе вибропреобразователи (вибраторы) весьма слабых сигналов постоянного тока (до 10~2 А).

Степень интеграции, достигаемая в СБИС, позволяет создавать на одной СБИС целую ЭВМ среднего класса или большое функциональное устройство больших ЭВМ. Следовательно, на СБИС должна быть спроектирована логика и топология сложного устройства ЭВМ, причем спроектирована практически без ошибок. Более того, ошибок не должно быть не только конструктивных, но и функционально-логических, которые на машинах более ранних поколений выявлялись в процессе опытной эксплуатации. Это возможно, если смоделировать СБИС до самого нижнего уровня ее логической схемы на инструментальной ЭВМ и прорешать на этой ЭВМ все задачи, возлагаемые на СБИС. Учитывая, что новая проектируемая СБИС должна быть производительнее устройства или ЭВМ, которые она заменит, а моделирование требует на 1,5—2 порядка больше операций для своего исполнения, получается, что для моделирования одной секунды реальной работы СБИС требуется 1 —10 часов работы на инструментальной машине (большой ЭВМ).

Этим методом можно многократно перекристаллизовывать вещества. Кроме того, он позволяет выращивать монокристаллы заданных геометрических форм и непрерывно проводить процесс, перемещая серии контейнеров через зону кристаллизации, что создает предпосылки для автоматизации. Метод позволяет создавать достаточно равномерное температурное поле, обеспечивая выращивание ненапряженных монокристаллов, например сапфира, таких больших размеров, которые другими методами получить невозможно.

Отметим в заключение, что основная причина широкого распространения трехфазных систем заключается в следующем: подав систему трехфазных токов в три обмотки, оси которых размещаются в пространстве со сдвигом на 120°, мы получаем вращающееся магнитное поле. Это позволяет создавать простые и надежные электродвигатели переменного тока.

при возрастании частоты увеличивается. В физике принято говорить, что волновая система, в которой скорость распространения колебаний не постоянна, а зависит от частоты, обладает частотной дисперсией. Данное свойство распределенной #С-структуры позволяет создавать на ее базе весьма совершенные преобразователи формы электрических колебаний [9]. Такие устройства легко создаются методами современной электронной технологии. Эскиз распределенной КС-структуры представлен на 1.4.

Коммутационные платы (чаще всего одно-или двухслойные) на металлическом основании с диэлектрической изоляцией имеют большое значение при формировании мощных схем. Основными технологическими вопросами при формировании таких плат является подбор пары «металл —диэлектрик» по ТКЛР, обеспечение необходимой адгезионной прочности сцепления диэлектрического слоя к металлу по всей поверхности платы, достижение хорошего качества покрытия на металле (отсутствие шероховатости, трещин и других дефектов поверхности, отрицательно влияющих на качество наносимых пленочных покрытий). Большое применение находят металлические пластины из стали, покрытые эпоксидной смолой или легкоплавким стеклом. Однако оптимальные показатели имеют подложки из анодированного алюминия (табл. 3.1). Чаще всего для оснований используется не чистый, сравнительно мягкий алюминий (например, марки АД-1), а механически прочные алюминиевые сплавы. Однако основные легирующие добавки в этих сплавах должны, как и алюминий, легко подвергаться анодному оксидированию. Сплавами, которые обеспечивают необходимую прочность пластины (не менее 20 ГПа), являются сплавы алюминия с магнием (типа АМГ). Кроме того, для доведения поверхности пластины до 13—14-го классов чистоты отработки (например, шлифовкой, полировкой или резкой алмазными кругами) с последующим анодированием второго рода сплавы должны иметь хорошую однородность структуры и состава по всей пластине. Поэтому большое содержание легирующих добавок магния нежелательно; оптимальным является использование сплава АМГ-3, который содержит 3,2—3,8 % магния, 0,3—0,6 % марганца и 0,5—• 0,8 % кремния. Для анодирования приемлемым является комбинированный электролит на основе щавелевой кислоты, с помощью которого получают менее рыхлые пленки с приемлемыми изоляционными свойствами по сравнению с сильнорастворяющим электролитом (на основе серной кислоты). Однако этот электролит в отличие от малорастворяющего (на основе сульфасалициловой кислоты) позволяет создавать большие толщины оксида (40—60 мкм) при плотности тока 1—2 А/дм2. Значительная плотность пор диэлектрика, присущая методу анодирования второго рода, является и положительным моментом — предохраняет от растрескивания слой А12О3 при повышении (понижении) температуры, когда возникают значительные ВН из-за большого различия в ТКЛР сплава алюминия и А12О3. Для того чтобы подложки выдерживали температуру 250—300° С, плотность

и постоянного тока благодаря обратимости электрических машин позволяет сравнительно простыми средствами управления осуществлять переход из двигательного в тормозной режим.

Полосовые фильтры на ПАВ являются наиболее распространенными и отработанными элементами акустоэлект-роники. Простая связь огибающей встречно-штыревой структуры с импульсной характеристикой фильтра позволяет сравнительно легко синтезировать отдельные фильтры и блоки фильтров с разнообразными амплитудно-частотными характеристиками и высокими метрологическими параметрами.

Метод непосредственной оценки позволяет получить значение измеряемой величины непосредственно по показателям отсчетного устройства, проградуированного в абсолютных значениях измеряемой величины. Примером может служить микроамперметр или вольтметр со стрелочным отсчетом, выполненный на основе прибора магнитоэлектрической системы. Метод непосредственной оценки позволяет сравнительно быстро получить значение измеряемой величины. Однако высокой точности измерений добиться не всегда удается. Например, если необходимо измерять малые постоянные напряжения (единицы — десятки микровольт), то измерительный прибор — микровольтметр должен иметь в своем составе масштабный преобразователь — усилитель постоянного тока ( 144, а) со строго известным и стабильным коэффициентом усиления, что весьма непросто, особенно если погрешность измерений не должна превышать десятые доли процента. В ме-

Коррекция погрешностей широко применяется в современных средствах измерения, так как позволяет сравнительно простыми путями добиться повышения их точности и быстродействия. Ниже рассматриваются наиболее распространенные методы коррекции погрешностей ИП.

В заключение отметим, что достоинством рассмотренного метода узловых сопротивлений является простота его экспериментальной части. На практике это позволяет сравнительно просто автоматизировать процесс диагностики многополюсников, причем в том случае, когда диагностируются резистивные цепи, требуется лишь два измерительных прибора: вольтметр ( 8.1,6, в) и амперметр, необходимый для установления единичных токов с помощью одного регулируемого источника. Последний обычно представляет собой источник ЭДС с последовательно включенным резистором, который помимо регулировочных функций выполняет функции защиты цепи, источника ЭДС и амперметра, ограничивая задающие токи в первые моменты присоединения источника к узлам диагностируемой цепи. Кроме того, как будет показано в § 8.2, при диагностике электрических цепей данным методом удается сравнительно просто оценивать точность полученного результата.

Метод симметричных составляющих, предложенный Фортескью, позволяет сравнительно просто рассчитывать несимметричные, в частности, аварийные режимы в трехфазных системах и машинах. До предложения этого метода для таких расчетов надо было решать дифференциальные уравнения с переменными коэффициентами или оперировать с сопротивлениями, зависящими от токов.

Символический метод позволяет сравнительно просто установить зависимость между электрическими величинами в индуктивно связанных цепях.

Полученное правило оценки знака AS позволяет сравнительно легко находить и единственное (глобальное) решение задачи. Для этого следует проанализировать соотношение площадей Si [выше Ьэкв(МЭКъ)] и 5з [ниже Ьэкв(Л^эКВ)] при последовательном увеличении УУГЭС от наименьшей мощности, соответствующей условию (12.44) (т. е. NI на 12. И, а) до наибольшей (т. е. Ni на 12.11,а).

В ИМС обычно применяют ключевые элементы на МДП-транзисторах. При этом они строятся на двух последовательно включенных транзисторных структурах, одна из которых выполняет функции ключевого элемента, а другая используется вместо резистора на выходе ключа. В ключевых элементах наиболее часто применяют МДП-транзисторы с индуцированным каналом, так как это позволяет сравнительно просто согласовывать выходные потенциалы предыдущих элементов со входными потенциалами последующих в цепочке ключевых элементов на транзисторах с каналами одной проводимости. МДП-транзисторы со встроенным каналом обычно встречаются в ключевых схемах как нагрузочный элемент.

Наличие повторителей напряжения 'в микросхемах ЭСЛ и ЭЭСЛ способствует не только повышению их быстродействия, но позволяет сравнительно просто согласовать их с кабелем или полосковыми линиями, которые применяются в быстродействующих устройствах для соединения отдельных блоков и узлов.

В тактируемых системах триггер на переключателях тока, как правило, строят на двухступенчатых логических элементах (см. 7.31). При этом наличие дополнительной ступени переключателя тока позволяет сравнительно просто решать проблему включения и отключения собственно триггера от схемы управления. На 8.19 приведена схема такого триггера. Триггер управляется переключателем тока на транзисторах Гц и Т12- Во время паузы тактовых импульсов транзистор Гц запирается и отключает транзисторы Т$ и Гб, через которые вводится информация в триггер. В схеме на 8.19 триггер построен на переключателях тока на Ть Гз и на Т2, Т$ с эмиттерными повторителями на Т->, Гд и на Т%, T\Q. Входные транзисторы Гз и Тц предназначены для предварительной записи 0 и 1. Триггер образуется инверторами на Т\ и Т2, охваченными перекрестными связями через встроенные повторители на Т-] и Tg, к выходам которых подключены резистивные делители напряжения RI, #;>. Триггер оказывается в рабочем состоянии тогда, когда проводит транзистор Т\2. Во время действия тактового импульса транзистор Т\2 перестает проводить ток, поэтому транзисторы Т\ и Г2 запираются и собствен-388