Позволяет объединить

Изложенная теория щеточного контакта подтверждается экспериментами. Она позволяет объяснить характер вольт-амперных характеристик скользящего контакта и характер зависимости

Рассмотренная теория позволяет объяснить такие факты, как существование пороговой энергии иона, ниже которой распыление не происходит; энергия распыляемых атомов значительно превышает энергию испаренных частиц, тенденции наилучшего распыления атомов вдоль плотной упаковки кристалла, уменьшение коэффициента при больших энергиях ионов, незначительное влияние на коэффициент распыления температуры мишени, отсутствие электронного распыления.

Такая энергетическая структура твердых тел позволяет объяснить физическую сущность разделения их на проводники, диэлектрики и полупроводники. На 1.3 показаны типичные диаграммы энергетических зон для проводника, диэлектрика и полупроводника. У проводников зона проводимости и вона валентных электронов перекрывают друг друга, т. е. запрещенная зона отсутствует и валентные электроны легко переходят в зону проводимости. У диэлектриков ширина запрещенной зоны велика, и, следовательно, для перехода валентных электронов в зону проводимости им нужно сообщить значительную энергию (не менее 3 эВ). Для полупроводников запрещенная зона относительно невелика (примерно 0,5—3 эВ), и под действием внешних факторов (тепло, свет, электрическое поле и т. п.) электроны за счет изменения запаса энергии могут перейти из нормальной зоны в зону проводимости. Электропроводность полупроводников неустойчива и сильно зависит от внешних факторов. Следует помнить, что понятие энергетический уровень или энергетическая зона характеризует только энергетическое состояние электрона, а не геометрическое расположение его в теле.

Этот механизм диффузии безусловно оказывает влияние на характер распределения примесных концентраций, но тем не менее не позволяет объяснить проявления аномально высоких коэффициентов диффузии.

15.15 позволяет объяснить, например, почему область СК третьего порядка является разрывной. Заметим, что гармонический состав потокосцепления W и гармонический состав заряда q, как это видно из 15.10, существенно отличается от гармонического состава тока и от гармонического состава напряжения на емкости.

17.12,6 позволяет объяснить, почему при выбранном значении Е имеется область значений RKC/i, при которых возникает несимметричный режим. При тех же параметрах несимметричный режим устойчив. Практически за счет того, что диоды имеют не идеальные в. а. х. и часть входной э. д. с. расходуется на падение

Построение любой системы счисления начинается с выбора ее о с н о-в а н и я, т. е. того количества цифр, из комбинаций которых можно получить любое число. Так, сущность десятичной системы счисления заключается в том, что, располагая десятью цифрами (от 0 до 9), можно записать любое из чисел. Десять — уже двузначное число, которое записывается единицей в разряде десятков и нулем в разряде единиц. По этому принципу можно построить систему счисления из любого числа цифр, например из восьми (табл. 3.3). В той же таблице приводится так называемая римская (пятеричная) система, которая позволяет объяснить, как строятся различные системы счисления.

Это предположение позволяет объяснить пренебрежимо малую скорость реакции в случае смеси NO—He и менее высокую скорость реакции в смеси NO—Не—О2 по сравнению со смесью NO2—Не—О2. В смеси NO—Не—О2 меньшая скорость необратимого разложения окислов азота может быть обусловлена неполным окислением NO кислородом до N02. Аналогичное объяснение может быть использовано и в случае смеси N2O3—Не—Ог-

щее от частоты уширение линии, как показано на Еис^З.2.9*. Это означает, что Л-линия неравномерно уширяется благодаря распределению значений g центров захваченных электронов. Этот факт позволяет объяснить, почему в a-Si:H не наблюдается ОДМР центров захваченных электронов. Другой причиной этого явления можно, по-видимому, считать то, что при резонансе излучательные электронные йентры дают двухкратное изменение интенсивности люминесценции, т.е. положительные изменения в уравнениях (3.2.3), (3.2.4) и отрицательные изменения в уравнениях (3.2.8), (3.2.9), и что оба эти вклада могут взаимной компенсироваться.

Далее приводится обсуждение общего характера процессов рекомбинации в a-Si:H на основе ОДМР-измерений, сводка которых представлена в настоящей статье. Модель захваченной ЭДП позволяет объяснить ОДМР-результаты, особенно спектральную зависимость ОДМР-сигналов. Так, можно заключить, что люминесценция возникает при низких температурах в результате рекомбинации захваченных электронов, находящихся на "хвостах" зон и в запрещенной зоне, и захваченных дырок, лежащих преимущественно на А -центрах. Схема такого процесса при-

щее от частоты уширение линии, как показано на рис^З.2.9*. Это означает, что А -линия неравномерно уширяется благодаря распределению значений g центров захваченных электронов. Этот факт позволяет объяснить, почему в a-Si:H не наблюдается ОДМР центров захваченных электронов. Другой причиной этого явления можно, по-видимому, считать то, что при резонансе излучательные электронные йентры дают двухкратное изменение интенсивности люминесценции, т.е. положительные изменения в уравнениях (3.2.3), (3.2.4) и отрицательные изменения в уравнениях (3.2.8), (3.2.9), и что оба эти вклада могут взаимной компенсироваться.

Использование периферийных машин, подключенных к общей сети взаимодействующих процессоров и общей оперативной памяти системы, позволяет устройства, подключенные к какой-либо периферийной машине, использовать в задачах, решаемых в разных основных процессорах. С другой стороны, наличие нескольких периферийных машин позволяет объединить подключенные к ним устройства для использования в задачах (или даже в одной задаче), решаемых в одном из основных процессоров системы.

Наконец, возможен комбинированный способ построения системы управления центром коммутации, при котором сложные операции, число которых сравнительно невелико, выполняются в соответствии с программой, записанной в запоминающем устройстве, а простые и многочисленные— в соответствии со схемной логикой. Такой компромиссный подход к реализации системы управления центром коммутации, являющийся в настоящее время наиболее перспективным для применения на сетях передачи данных, позволяет объединить достоинства рассмотренных выше способов и устранить их недостатки.

использованием обобщений. Близкие по характеру работы — это работы, которые требуют квалификации проектировщиков в определенной области. Необходимы служба информации, теоретики-аналитики, расчетчики, конструкторы, технологи, экономисты, испытатели и т. д. Формирование подсистем САПР по функциональному принципу позволяет объединить в рамках интегрированной САПР знания и опыт высококвалифицированных специалистов и использовать их для проектирования большого числа разновидностей ЭМММ на высоком техническом уровне.

В качестве материала монтажной рамки следует применять ленту 34НК-НТ-2.0Х160 по ГОСТ 14080—78 с покрытием М9.Н6 и Гор. ПОи-61. Прецизионный никелевый сплав 34НК имеет температурный коэффициент расширения, близкий к коэффициенту расширения вакуум-плотной керамики. Рамка позволяет объединить в одно целое несколько керамических оснований. Заземление рамки на корпус выполняют посредством винтового соединения и пайки.

раметрах (объединить узлы U^ и U\2) можно, так как t/i2> — сток, а l4n — исток). Соединяем узлы Л" и /{2) ветвью с передачей —1 и стрелкой, направленной к /{2) ( /° — сток, а /12> — исток). Четырехполюсник 3 представляем в У-параметрах, что позволяет объединить узлы Uil) и t/3), а также l42) и l43) (все эти узлы являются истоками). Учитывая, что /4 = /}u + 7i3) и 72 = /2) -f 73), получим

раметрах (объединить узлы U^ и U\2) можно, так как t/i2> — сток, а l4n — исток). Соединяем узлы Л" и /{2) ветвью с передачей —1 и стрелкой, направленной к /{2) ( /° — сток, а /12> — исток). Четырехполюсник 3 представляем в У-параметрах, что позволяет объединить узлы Uil) и t/3), а также l42) и l43) (все эти узлы являются истоками). Учитывая, что /4 = /}u + 7i3) и 72 = /2) -f 73), получим

Задача, поставленная перед советскими энергомашиностроителями семилетним планом, была успешно выполнена. В одном только 1963 г. введено в действие 33 турбоагрегата, среди которых агрегаты по 300 тыс. кет, установленные на Черепетской и Приднепровской Г Наша теплоэнергетика уже пополнилась более чем 80 агрегатами мощностью в 190, 200 и 300 тыс. кет, и число их продолжает расти. В недалеком будущем войдут в строй турбогенераторы мощностью 600 и 800 тыс. кет. Наряду с укрупнением турбогенераторов идет увеличение производительности парогенераторов (свыше 950 т/час) и конструируемых головных образцов (1950 т/час). Увеличение паропроизводительности позволяет объединить звенья цепи преобразования энергии (парогенератор — турбина — электрогенератор) в единый энергетический блок с автоматическим регулированием.

Напрягаемую арматуру рационально выполнять в виде вертикальных и кольцевых элементов. При этом вертикальные элементы целесообразно располагать ближе к срединной поверхности, а кольцевые — у наружной поверхности оболочки в специально оставленных кольцевых штрабах. В этом случае обжатие оболочки в кольцевом направлении может осуществляться как натяжением арматуры на упоры в виде пилястр, так и навивкой напряженной арматуры в штрабы. В последнем случае более полно используется высокопрочная напрягаемая арматура и сокращается большое количество дорогостоящих анкерных устройств. Для защиты арматуры от коррозии штрабы закрываются полосовой сталью, и в образовавшееся пространство инъецируется цементный раствор. Для облегчения замены кольцевой арматуры верхняя и нижняя полки штрабы делаются наклонными. Смещение кольцевой напрягаемой арматуры к наружной поверхности улучшает напряженное состояние стены оболочки, так как в этом случае не возникает радиальных растягивающих усилий от местного действия арматуры. Кроме того, в этом случае значительно упрощается армирование оболочки поперечной арматурой. Отсутствие горизонтальных или наклонных каналообразователей в толще стены оболочки позволяет объединить поперечную арматуру в вертикально расположенных сварных каркасах. Такие каркасы заготавливаются в заводских условиях и поставляются на строительство в виде отдельных сборных элементов или в составе арматурного блока, объединяющего всю ненапряженную арматуру.

лицу состояний 12-8). Вход АЕ позволяет объединить входы нескольких микросхем.

Если на вход ЕО подать напряжение высокого уровня, выходы разомкнутся, перейдут в Z-состояние. Когда на входе ЕО напряжение низкого уровня, данным разрешены оба выхода Y и Y. Такая организация выходов позволяет объединить выходы 128 микросхем КП15 и получить цифровой коммутатор с 1024 выходами. __

Микросхема К500ИП179 ( 3.31)—это схема ускоренного переноса, которая позволяет объединить сумматоры К500ИМ180 или АЛУ К500ИП181 в структуры более высокого порядка. На 3.31, а дается схема организации переносов в 32-разрядном арифметическо-логическом блоке, который построен с помощью двух СУП. Таким образом, здесь показано соединение двух 16-разрядных АЛУ. Перенос высшего порядка позволяет сократить время суммирования 32-разрядных слов до 18 не