Позволяет изготавливать

При пайке двойной волной ( 4.17) обеспечивают хорошее смачивание металлизированных участков. Первая волна посылает струю припоя, вторая, более слабая, удаляет избыток припоя и позволяет избавиться от корот-

Электронные фильтры. В последнее время все чаще начали применять электронные фильтры, в которых вместо индуктивных катушек включают транзисторы. Такая замена позволяет избавиться от переходных процессов, отрицательно влияющих на работу нагрузочного устройства и самого выпрямителя, при этом снижаются габариты, масса и стоимость выпрямителей.

Для увеличения помехоустойчивости приемного устройства ЧМ сигналов в усилителях промежуточной частоты применяют амплитудные ограничители. Поскольку при частотной модуляции амплитуда ЧМ сигнала постоянна, а меняется лишь частота несущей, применение амплитудного ограничителя в приемном устройстве позволяет избавиться от различных импульсных помех, изменяющих амплитуды принимаемого ЧМ сигнала.

или сварке с преимущественным применением натяжной изоляции, которая менее чувствительна к загрязнениям и позволяет избавиться от раскачивания проводов. Материал опорных конструкций — железобетон или металл.

Особенно предпочтительна мостовая схема, которая позволяет избавиться от вредно действующей положительной обратной связи через сопротивление R0. На 25-33 показана схема мостового генератора, разработанная В. Г. Кноррингом (ЛПИ) и пригодная для работы со струнами, представляющими собой растяжки из бе-риллиевой бронзы или высокопрочного сплава К40НХМВ.

Графические методы имеют следующие преимущества перед аналитическими: а) нет необходимости выражать характеристики нелинейных элементов аналитически, что позволяет избавиться от погрешностей, связанных с аналитическим представлением характеристик; б) простота учета гистерезиса и других сложных нелинейных зависимостей.

Паразитные емкости можно уменьшить, используя метод ионного легирования или изготовлением МДП структур с кремниевыми затворами, которые обеспечивают самосовмещение и уменьшают перекрытие между областью затвора и областями стока и истока. Процесс изготовления Д/МДП структур с помощью двойной диффузии позволяет избавиться от всех этих проблем и создать прибор с точно регулируемой величиной L в пределах менее 1 мкм, минимальной величиной С3.и и очень малой емкостью обратной связи Сз.о- Как показано на 18-3, канал в этих приборах представляет собой узкую область, заключенную между двумя областями противоположного типа проводимости. Эта область создается последовательной диффузией двух легирующих примесей разного типа проводимости под край одного отверстия в маскирующей пленке окисла, вытравленного над областью истс/ка. Как только край этого отверстия создан, самая ответственная величина L является функцией только режимов диффузии. Ошибки маскирования, экспозиции и травления исключаются. Поскольку граница одной диффузионной области повторяет границу другой, величина L определяется по существу теми же факторами, что и толщи-па базовой област-ц в биполярном транзисторе.

К группе аналитических относятся также методы, рассмотренные в § 15.69 и 15.70. Графические методы имеют следующие преимущества перед аналитическими: а) отсутствие необходимости выражать характеристики нелинейных элементов аналитически, что позволяет избавиться от погрешностей, связанных с аналитическим представлением характеристик; б) простота учета гистерезиса и других сложных нелинейных зависимостей.

Использование в нелинейном детекторе режима большого сигнала, при котором характеристика может быть аппроксимирована ломаной линией, позволяет избавиться от недостатков квадратичного детектора. Как упоминалось, в общем случае представление характеристики ломаной линией неприемлемо для решения задач о прохождении сложного сигнала через нелинейную цепь из-за вычислительных трудностей, возникающих при использовании

шущие приборы магнитоэлектрической системы постоянного тока и ферродинамической системы переменного тока. Приборы этих систем обладают значительным вращающим моментом, что позволяет избавиться от /влияния момента трения пера о диаграммную бумагу.

Однако наличие гистерезиса в ряде случаев является желательным, так как позволяет избавиться от влияния помех на уровень срабаты-компаратора [2, 12].

Большая теплостойкость металла и его окислов позволяет изготавливать резисторы группы С2 со значительно меньшими габаритами, чем С1, при равной мощности рассеяния. Например, резистор С2-24 с номинальной мощностью 0,25 Вт имеет размеры 02,5 х 7 мм, а резистор С1-4 с такой же мощностью — 03,9 х 10,5 мм.

Рассмотренный способ получения резисторов и конденсаторов непосредственно в толще кристалла позволяет изготавливать дешевые и надежные микросхемы. Однако полученные таким способом компоненты обладают рядом недостатков: а) их параметры в значительной степени зависят от температуры; б) последовательное сопротивление конденсаторов получается большим; в) емкость диффузионных конденсаторов зависит от приложенного напряжения; г) диапазон номинальных значений компонентов получается ограниченным.

Технология тонкопленочных ИС позволяет изготавливать пассивные элементы с более узкими допусками номиналов по сравнению с другими видами технологий. При производстве тонкопленочных ИС используется дорогостоящее оборудование, позволяющее путем локального напыления резистивных, проводящих или диэлектрических материалов создавать элементы и межсоединения. По сравнению с толстопленочными ИС элементы в них размещены более плотно.

Органические полупроводники, например антрацен, полиакрялнит-рил, индиго и др., обладают рядом ценных для фотоприборов аюпств. Из них можно изготовлять термистеры, пьезоэлементы, детекторы ИК излучения, лазеры и другие приборы. Интерес к таким материалам вызван тем, что новые полупроводниковые свойства сочетаются в них с эластичностью. Это позволяет изготавливать из них элементы прибо-

по оси слитка или под небольшим углом к нему. Кроме того, такой слиток получается более плотным по структуре по сравнению с обычным, и его более высокое качество позволяет изготавливать крупные (десятки тонн) ответственные отливки, например, для валов мощных паровых турбин и генераторов.

Наибольшим поверхностным сопротивлением обладает так называемый пинч-резистор (сжатый резистор), который также изготавливается при базовой диффузии в виде резистивного слоя. Однако поперечное сечение этого слоя уменьшают при помощи р-п-перехода, образуемого путем эмиттерной диффузии по поверхности резистивного слоя. Этот p-n-переход, сжимающий сечение резистора, увеличивает поверхностное сопротивление со 100 — 200 Ом на квадрат для обычного диффузионного резистора до 10 кОм на квадрат. Это позволяет изготавливать резисторы большого номинала на относительно малой площади. Особенностью пинч-резистора является то, что он имеет линейную характеристику только при малых падениях напряжения. Он обладает также невысоким пробивным напряжением (5 —10 В).

Генерирование изображений сканированием позволяет изготавливать фотошаблоны с рисунком практически любой СЛОЖНОСТИ.

один инвертор. При этом соотношение геометрических размеров транзисторов никак не влияет на логические уровни, что позволяет изготавливать приборы с примерно одинаковыми значениями крутизны и благодаря этому получать симметрию фронтов и задержек. Технологический процесс изготовления комплементарных МДП структур с окисным диэлектриком показан на 18-2. Процесс начинается с формирования в подложке rz-типа диффузионного «кармана» р-типа, служащего в дальнейшем подложкой для п-ка-нального транзистора ( 18-2,а). После этого с помощью диффузии бора в n-подложку формируются стоковая и истоковая

Перспективными материалами для применения в качестве вторых диэлектрических слоев затвора являются аморфные нитрид кремния Si3N4 (е=7,5) и А12О3-(Е=9). Нитрид кремния используется благодаря его высокой пассивирующей способности, обусловленной существенно меньшей (на несколько порядков) по сравнению с SiOz проницаемостью ионов натрия. Пассивирующая способность нитрида настолько высока, что позволяет изготавливать высокостабильные МДП ИМС в пластмассовых корпусах. Одновременно увеличение диэлектрической проницаемости диэлектрика (почти вдвое) заметно снижает пороговое напряжение (на 1—1,5 В) и повышает удельную крутизну транзистора. Диэлектрическая прочность нитрида кремния также высока.

Применение окисла алюминия АЬ>О3 (алунд) в качестве диэлектрика под затвор обусловлено его способностью создавать на границе с окислом неподвижные отрицательные заряды, что позволяет изготавливать n-канальные МАОП транзисторы (со структурой металл — алунд — окисел — полупроводник), работающие в режиме обогащения (с индуцированным каналом) с пороговыми напряжениями около +1 В. Интегральные микросхемы на основе структуры металл — диэлектрик — полупроводник, изготовленные с применением окисла алюминия, обладают большей стабильностью при воздействии температуры. Однако до настоящего времени АЬО3 не нашел широкого применения в массовом производстве

Как показывают исследования, проведенные за последнее время, потери в круглых трубках не больше, а в ряде случаев даже меньше потерь в прямоугольных. Однако в прямоугольных трубках за счет увеличения размера, перпендикулярного оси индуктора, можно получить значительно большую площадь для прохода охлаждающей жидкости. Это позволяет изготавливать из прямоугольных трубок индуктирующий провод с меньшим числом ветвей охлаждения (гл. 11). При меньшем числе ветвей охлаждения упрощается смена индуктора, уменьшается число шлангов, подводимых к индуктору.

Технология тонкопленочных ИС позволяет изготавливать пассивные элементы с более узкими допусками номиналов по сравнению с другими видами технологий. При производстве тонкопленочных ИС используется дорогостоящее оборудование, позволяющее путем локального напыления рсзистивных, проводящих или диэлектрических материалов создавать элементы и межсоединения. По сравнению с толстопленочными ИС элементы в них размещены более плотно.