Позволяет градуировать

Путь сокращения времени подготовки — создание автоматизированной подсистемы в рамках АС ТПП. Одной из возможных реализаций указанной подсистемы является подсистема «Спецификация», которая позволяет формировать массив исходных дан-35—6655 545

Второй каскад работает в режиме насыщения, что позволяет формировать прямоугольные импульсы. Входная цепь второго каскада содержит конденсатор С2 и диод Д1, который способствует быстрому разряду конденсатора С2. Фактически цепочка С2, Д1 является дифференцирующей. Это по-

Резисторы типа «меандр» имеют технологические ограничения на размеры flmjn и Втах (см. 1.1, б), аналогичные ограничениям на Кф полосковых резисторов. Обычно при масочном методе Вта^/а -^ 10; amjn ж 2/iM, где hM — толщина биметаллической маски; 2/гм — минимально допустимое технологией расстояние между двумя щелями в биметаллической маске. Для составного резистора (см. 1.1, в) допускается 5гаах/я ^ 50, так как прямоугольные резистив-ные полоски и проводящие перемычки формируются раздельно с использованием двух различных масок. Такая технологическая особенность позволяет формировать тонкопленочные резисторы сложной нерегулярной формы с применением дополнительных металлических перемычек по углам контура резистора.

Диоды. Пленарная технология позволяет формировать диоды любых типов по изложенной методике. Однако из конструктивно-технологических соображений в качестве диодов обычно используют эмиттерный или коллекторный р-д-переходы интегральных транзисторов.

элементов ячеек БМК, предназначенных для изготовления аналоговых БИС, позволяет формировать усилители, компараторы, аналоговые ключи и другие устройства. В состав ячеек входит большое число разнообразных активных и пассивных элементов, например п-р-п и р-п-р-транзи-сторы, резисторы с большим диапазоном номиналов, конденсаторы. К параметрам пассивных элементов обычно предъявляется требование достаточно высокой точности и стабильности. В состав БМК, предназначенных для изготовления аналого-цифровых БИС, входят обычно две матрицы ячеек: для формирования соответственно аналоговых и цифровых устройств.

В соответствии с этим в качестве искомых величин для расчета динамических (переходных) процессов в электрических цепях выбирают потокосцепления (токи) индуктивных катушек и заряды (напряжения) конденсаторов. Выделение этих величин в качестве переменных, характеризующих энергетическое состояние электрической цепи, позволяет формировать дифференциальные уравнения в нормальной форме, так как только в этих элементах токи и напряжения связаны между собой через производные.

Различные типовые технологические процессы тонкопленочной технологии (масочный, фотолитографический, комбинированный и др.) обеспечивают формирование пленочных элементов в широком диапазоне значений их параметров с достаточно высокой точностью и воспроизводимостью. Толстопленочная технология также позволяет формировать элементы с различным значением параметров. Однако точность и воспроизводимость значений параметров низкие; необходимой операцией данной технологии является подгонка элементов до требуемого значения параметров. Вид технологии определяет материал и размер платы. В свою очередь размер платы зависит от типоразмера необходимого корпуса, выбор типа которого обусловлен условиями эксплуатации. Степень интеграции гибридных ИМС, изготовляемых по тонкопленочной технологии, выше по сравнению с толстопленочными. В то же время стоимость гибридных ИМС, изготовленных по толстопленочной технологии, низкая. Толстопленочную технологию целесообразно применять при разработке ИМС, работа которых сопровождается большим выделением теплоты.

Горизонтальная структура позволяет формировать многоколлекторные р-п-р транзисторы. Для этого коллекторную область разделяют на несколько частей и от каждой делают отдельный вывод. Между коллекторными областями необходимо формировать разделительные области п+-типа (или из диоксида кремния), чтобы исключить паразитную связь коллекторов, обусловленную инжекцией дырок в базу из коллекторов в режиме насыщения (при прямом смещении коллекторных переходов). Коэффициенты передачи тока базы по каждому из т коллекторов приблизительно в т раз меньше, чем в однокол-лекторном транзисторе. Горизонтальные многоколлекторные р-п-р

При КИД-технологии резисторы можно изготовить тремя способами: на базовом слое, скрытом коллекторном слое и базовой области под эмиттером. При использовании базового слоя в качестве резистора его изолируют от подложки, охватив этот слой вместе с эпитак-сиальной пленкой со всех сторон и-областью. Сопротивление такого резистора частично определяется поверхностным сопротивлением эпи-таксиального слоя. Второй способ основан на использовании скрытого коллекторного слоя в качестве самоизолированного резистора, контактами которого служат изолирующие и-слои. Такой способ пригоден для создания резисторов только с малым сопротивлением. Наконец, третий способ позволяет формировать пинч-резистор, используя высо-коомный слой, зажатый между эмиттером и скрытым коллектором.

Применение буферных каскадов позволяет формировать перепады напряжения, длительности фронта и среза которых практически не зависят от комбинации входных сигналов триггера. Эта особенность позволяет еще больше повысить быстродействие триггера, так как имеется возможность использовать внутри триггера транзисторы малых размеров, что способствует уменьшению межэлектродных емкостей. Благодаря этому обес-,печивается более быстрое переключение собственно триггера.

Отечественный ионно-лучевой ускоритель «Везувий» позволяет формировать пучки с энергией до 200 кэВ, обеспечивая точность легирования по глубине 0,02 мкм.

Для измерения активных сопротивлений в приборе создается делитель напряжения, состоящий из последовательно включенных измеряемого объекта (зажимы „Rx") и одного из образцовых резисторов набора (Roi). На делитель подается постоянная э. д. с. Е от источника питания прибора. Напряжение на образцовом резисторе RPi зависит от измеряемого сопротивления Rx. Это позволяет градуировать одну из шкал прибора в омах или килоомах.

В данном примере измеряемая величина поступает в измеритель не непосредственно, а как бы зашифрованной в виде отношения токов в катушках логометра. Измеритель здесь выполняет функцию дешифратора, поскольку заранее известная зависимость измеряемой величины от отношения токов позволяет градуировать шкалу в единицах измеряемой величины.

что позволяет градуировать магазин сопротивления гк в вольтах.

в гальванометре G зависит только от значения измеряемого сопротивления тх. Это позволяет градуировать шкалу прибора G в омах или в единицах физических величин (температура, давление, деформация), функционально связанных с величиной rv. Неуравновешенные мосты обладают невысокой точностью измерений (0,5—2%) и используются для измерения неэлектрических величии.

что позволяет градуировать магазин сопротивлений гк в вольтах.

В неуравновешенных мостах при определенном значении напряжения источника питания U и сопротивлений плеч г2, г3, г4 ток в приборе НИ зависит только от значения измеряемого сопротивления гх. Это позволяет градуировать шкалу прибора в омах или в единицах физических величин (температура, давление, деформация), функционально связанных с величиной гх. Неуравновешенные мосты обладают невысокой точностью измерений (0,5-2%) и используются для измерения неэлектрических величин.

Термоэлектрические явления широко используются в технике для измерения температуры. Для этого один из спаев (холодный) помещают в сосуде водой или льдом, в котором поддерживается постоянная температура, а второй вводят в среду, температуру которой необходимо определить. Электродвижущую силу измеряют потенциометром или милливольтметром, включенным в цепь термопары ( 7-4). Температуру определяют по показанию прибора и по постоянной CT- ^ /\Т0 При неизменной температуре Т0 холодного спая значение э. д. с. данной термопары зависит только от температуры Т горячего спая. В этом случае, измерив э.д.с. с помощью компенсатора (потенциометра) или гальванометра, можно судить непосредственно о температуре горячего спая, позволяет градуировать технические приборы непосредственно в градусах.

В этом пирометре используется сурьмя но-цезиевый фотоэлемент, который в сочетании со светофильтром делает прибор чувствительным к узкому спектру волн, близкому к спектру, воспринимаемому оптическим пирометром. Это позволяет градуировать фотоэлектрический пирометр по образцовому оптическому пирометру.

чениям. Это позволяет градуировать ваттметры на постоянном токе, а применять их на переменном токе при частотах до 2 000 гц и выше.

В этом пирометре используется сурьмяно-цезиевый фотоэлемент, который в сочетании со светофильтром делает прибор чувствительным к узкому спектру волн, близкому к спектру, воспринимаемому оптическим пирометром. Это позволяет градуировать фотоэлектрический пирометр по образцовому оптическому пирометру.

Рабочий ток /, установленный с высокой точностью с помощью образцовых мер Ен и RveF, позволяет градуировать магазин резисторов /?изм непосредственно в значениях измеряемого напряжения.

Это позволяет градуировать шкалу прибора в градусах.