Повернута относительно

Чтобы приблизиться к реальным условиям, нужно учесть поверхностную рекомбинацию и диффузию носителей заряда, a T;IK-же влияние точечного контакта. Влияние поверхнэстной рекомбинации сводится к нарушению сферической симметрии распределения неравновесных носителей заряда, которая сохраняется до тех пор, пока дрейфовый поток носителей заряда преобладает над их. диффузионным потоком к поверхности, т. е. до те? пор, пока в образце имеется достаточно большое электрическое поле. Для поверхности образца это условие записывается так:

При более точном анализе учитывают конечную толщину образца, поверхностную рекомбинацию на второй поверхности и наличие приповерхностной области пространственного заряда.Вслу-iae сильного поглощения возбуждающего излучения, когда

1) диодыДзиДз отражают поверхностную рекомбинацию у эмит-терного и коллекторного переходов;

а) на поверхностях стенок и электродов, куда заряды попадают в результате их диффузионного движения. Это определяет поверхностную рекомбинацию,.

на два междуэлектродных промежутка. Увеличению разности в ионизационной связи между одноименными анодами соседних групп способствует установка анодного экрана, усиливающего поверхностную рекомбинацию. Экран, так же как и у полиатрона, имеет

Рекомбинация частиц сопровождается выделением энергии, которая может быть излучена в виде фотонов (излучателъная рекомбинация) или же воспринята кристаллической решеткой в виде фононов (безызлучателъная рекомбинация). Процессы рекомбинации зависят от ряда факторов: концентрации свободных частиц, характера их движения, наличия и концентрации примесей и других дефектов кристаллической структуры, состояния поверхности тела и др. Принято различать межзонную рекомбинацию, рекомбинацию через локальные уровни примесей ( рекомбинацион-ные ловушки}, поверхностную рекомбинацию и другие виды. Рас-смотрим основные виды генерации свободных носителей заряда и их рекомбинации.

Поверхностная рекомбинация влияет на объемную концентрацию неравновесных носителей только в приповерхностном слое, толщина которого приблизительно равна диффузионной длине неосновных носителей. В этом случае поверхностную рекомбинацию можно учесть, если вместо объемного времени жизни использовать эффективное время жизни Тэф неравновесных носителей, определяемое соотношением т^1 =т0(/+т~01в, где тоб, Тпов — объемное и поверхностное время жизни. Время жизни тПОв зависит от скорости поверхностной рекомбинации, толщины поверхностных

Рекомбинация частиц сопровождается выделением энергии, которая может быть излучена в виде фотонов (излучателъная рекомбинация) или же воспринята кристаллической решеткой в виде фононов (безызлучателъная рекомбинация). Процессы рекомбинации зависят от ряда факторов: концентрации свободных частиц, характера их движения, наличия и концентрации примесей и других дефектов кристаллической структуры, состояния поверхности тела и др. Принято различать межзонную рекомбинацию, рекомбинацию через локальные уровни примесей ( рекомбинацион-ные ловушки}, поверхностную рекомбинацию и другие виды. Рас-смотрим основные виды генерации свободных носителей заряда и их рекомбинации.

позволяет увеличить Q в области коротких длин волн за счет уменьшения потерь на поверхностную рекомбинацию.

Основным способом повышения фоточувствительности в длинноволновой области является увеличение времени жизни электроновг приводящее к увеличению Ьп, что достигается использованием материала более высокого качества. Поверхностную рекомбинацию на тыльной стороне СЭ уменьшают при создании потенциального барьера за счет увеличения концентрации легирующей примеси. Для уменьшения рекомбинационных потерь и эффективного собирания носителей тока, отраженных от тыльного потенциального барьера, в кремниевых СЭ уменьшают толщину базовой области. Однако-при этом увеличивается прозрачность структуры для длинноволнового излучения с hv^Eg. Для снижения оптических потерь в этом случае на тыльной поверхности структуры создают отражающее покрытие, что позволяет удвоить путь, проходимый длинноволновыми фотонами в структуре, и увеличить эффективность их поглощения.

a!_,As (x=0—0.4) с возрастающим к поверхности значением Ед, а также тонким широкозонным слоем р+А10 95Ga0 05As, снижающим поверхностную рекомбинацию фотогенерированных носителей.

воздействуя на пролетающие электроны в направлении, перпендикулярном направлению их движения, искривляет траекторию электронов и вызывает смещение пятна на экране в ту или иную сторону в зависимости от полярности приложенного напряжения. Вторая пара отклоняющих пластин повернута относительно первой на 90 °, поэтому прикладываемое к ней напряжение смещает пятно на экране в направлении, перпендикулярном линии отклонения, обусловленного первой парой пластин. Таким образом, наличие двух пар взаимно перпендикулярных пластин дает возможность с помощью двух напряжений перемещать пятно в любую точку экрана.

Круговая диаграмма тока 1\= Yl} повернута относительно диаграммы] проводимости, изображенной на 6-4,в (для случая х <[ 0), на угол ф, равный начальной фазе приложенного напряжения.

Круговая диаграмма тока / = YU повернута относительно диаграммы проводимости, изображенной на 6-4, в (для случая х < 0), на угол ф, равный начальной фазе приложенного напряжения.

Для правильного отсчета фазы ф трубка должна быть повернута относительно диаграммы на 45°. Светящая точка на экране соответствует коэффициенту отражения Г. Если тракт согласован, она находится в центре экрана. При изменении частоты генератора светящаяся точка на экране описывает кривую, соответствующую изменениям Г в диапазоне частот.

Комплексная функция потокосцепления группы совпадает по направлению с осью симметрии комплексных функций катушек и, как видно из сопоставления 27-5 и 27-4, повернута относительно действительной оси комплексной плоскости на угол (со? — аф), где аф = руф — электрический угол оси катушечной группы или оси фазы. Заметим, что ось катушечной группы (ось фазы) является осью симметрии катушечной группы. Угол, определяющий положение этой оси, вычисляется как среднее арифметическое углов катушек группы

Таким образом, мы приходим к заключению, что основная гармоническая линейной плотности поверхностного тока представляет собой вращающуюся волну с периодом 2т и амплитудой Alm, перемещающуюся с той же угловой скоростью Q (или электрической угловой скоростью о) в модели), что и основная гармоническая МДС. Независимо от направления, в котором вращается МДС, волна плотности поверхностного тока всегда повернута относительно волны МДС -на электрический угол я/2 или смещена на т/2 против часовой стрелки.

В качестве примера рассмотрим включение в сеть асинхронного двигателя со следующими данными: /х = 50 Гц; о^ = 2я/:1 = 314 рад/с; CO]L]2 = 3,0; щЬы = = 0,11; CuiL20 = 0,14; ^Ц = 0,2441; ш^^ = 0,2465; #j = 0,02441; Л2 = 0,03696; ям =0,1; sft2 = 0,15; ^=0,9646; ?3 = 0,9554; 0=0,0785*. Двигатель вращается со скоростью со = % (1 — s), которая остается постоянной в течение всего переходного процесса. Скольжение s = 0,03794. Напряжение сети принимается номинальным и равным Ulm = 1. Комплексная функция напряжения в осях а, Р равна (7j = Ulme'((0l/ ~ я/"2), где <У1т = 1. В синхронных осях +, +/, вращающихся со скоростью WL действительная ось которых при / = 0 повернута относительно оси а (или оси фазы А) на угол —я/2, напряжение изображается комплексом (/] = 1. Комплекс Ui показан на 70-2 совпадающим с действительной осью (-+•) синхронной комплексной плоскости.

форматора 22-13, а. Вторичная обмотка наматывается в противоположную относительно первичной обмотки сторону. Соответственно этому звезда э. д. с. а1 —Ьг — ct повернута относительно звезды А — В — С на 180°. Э. д. с. частей az и а3 геометрически вычитаются из э. д. с. аг, поскольку части обмоток соединяются своими концами; то же имеем и в двух других фазах. Результаты геометрического вычитания показаны на 22-13, б. В целом напряжения 01, 02, ... , 06 между нейтральной точкой О и анодами /, 2, ..., 6 выпрямителя образуют симметричную шестифазную систему, в которой напряжения 01 = 02 = ... = 06 = U2, где U2 — напряжение между нулем и выходным зажимом трансформатора. Таким образом, схема на 22-13, а эквивалентна шестифазной схеме; поэтому [см. формулу (22-39)]:

Следует обратить внимание, что в отличие от индуктивного сопротивления в треугольнике сопротивлений ( 10-18), индуктивная проводимость повернута относительно активной на 90° в сторону, обратную вращению векторов (рис, 11-6); то же относится и к емкостной проводимости и емкостному сопротивлению ( 10-24).

Задача преобразования координат часто встречается при управлении ракетами ( 2.49). Команды, управляющие движением ракеты, передаются относительно системы координат X и Y, которая связана, например, с наземной прямоугольной системой координат. Команда Д[/у соответствует подъему или опусканию ракеты (на рисунке Д[/у соответствует команде «вверх»). При выполнении команды ДУя ракета должна изменить движение вправо или влево (на рисунке Д?/т соответствует команде «вправо»). Эти -команды должны быть поданы на рули высоты и курса. В пространстве система координат х', у', связанная с ракетой, может быть повернута относительно системы координат х, у на угол ср. Для правильного выполнения заданного командами Д(7Ж и Д1/у маневра на ракете должно быть произведено преобразование команд из системы х, у в систему х', у'. Используя известные законы геометрии, получим соответственно команды, подаваемые на рули курса и высоты:

При наведении ракеты по кривой упрежденной погони касательная к траектории в текущий момент времени будет повернута относительно направления на цель на некоторый угол упреждения в сторону ее движения. Иначе говоря, продольная ось ракеты будет направляться не на цель, как в предыдущем случае, а в ее упрежденную точку. Если упреждение вычисляется точно в соответствии с реальным законом движения цели, то траектория движения ракеты будет прямолинейной. Такую траекторию иногда называют «волчьей кривой», так как упрежденной погоней пользуется волк при преследовании своей жертвы. Самонаведение по «волчьей кривой» трудно реализуется в конкретной бортовой аппаратуре.