Поверхностное сопротивление

Из этого уравнения видно, что чем выше поверхностное натяжение припоя в расплавленном состоянии ст2,з, тем хуже смачивает он основной металл. Однако поверхностное натяжение металлов не характеризует однозначно способность их в расплавленном состоянии течь по поверхности твердого металла. Растекание припоя определяется соотношением сил адгезии припоя к поверхности основного металла и когезии, характеризуемой силами связи между частицами припоя:

На процесс смачивания и растекания припоя оказывают влияние и технологические факторы: способ удаления оксидной пленки в процессе пайки, характер предшествующей механической обработки, режим пайки и др. Так, при флюсовой пайке флюсы действуют как поверхностно-активные вещества (ПАВ) и снижают поверхностное натяжение расплавленных припоев, что способствует улучшению смачивания паяемой поверхности. Применение газовых сред, наоборот, ухудшает смачивание вследствие того, что примеси в газовой среде взаимодействуют с основой, образуя различные сведения с С>2, Cj, S.

где Е — модуль Юнга; (л — коэффициент Пуассона: т] — поверхностное натяжение слоя А12О3; а2> ai — ТКЛР А12О3 и металла; /нр — критическая длина трещины в диэлектрическом слое. В этом случае

Выбор припоя с той или иной температурой плавления обусловливается нагревостойкостью печатной платы и применяемым способом групповой пайки. Рабочая температура ванны должна быть на 40 ... 60 К выше температуры плавления припоя. Если температура паяльной ванны мала, резко возрастает поверхностное натяжение расплава и снижается его текучесть. 5)то вызывает не-пропаи, а также наплывы в виде перемычек и капель застывшего припоя. Процесс групповой пайки предъявляет и дополнительные технологические требования к припою — он должен обладать высокой удельной теплоемкостью, низкой вязкостью и т. д.

3) уменьшать поверхностное натяжение расплавленного припоя;

Характерными свойствами фторорганических жидкостей являются малая вязкость, низкое поверхностное натяжение (что благоприятствует пропитке пористой изоляции), высокий температурный коэффициент объемного расширения (значительно больший, чем у других электроизоляционных жидкостей), сравнительно высокая летучесть. Последнее обстоятельство требует герметизации аппаратов, заливаемых фторорганическими жидкостями. Фторорганические жидкости способны обеспечивать значительно более интенсивный отвод теплоты потерь от охлаждаемых ими обмоток и магнитопроводов, чем нефтяные масла или кремнийорганические жидкости. Существуют специальные конструкции малогабаритных электротехнических устройств с заливкой фторорганическими жидкостями, в которых для улучшения отвода теплоты используется испарение жидкости с последующей конденсацией ее в охладителе и возвратом в устройство (кипящая изоляция); при этом теплота испарения отнимает от охлаждаемых обмоток, а наличие в пространстве над жидкостью фторорганических паров, в особенности под повышенным давлением, значительно увеличивает электрическую прочность газовой среды в аппарате.

Марка Цвет Вязкость, сСт Разрешающая способность, л/мм (при толщине 1 мкм) Кислотопрони-цаемость по плотности дефектов, мм Стойкость в проявителе, с Поверхностное натяжение х 1(Г 7, Дж/см2

Здесь а - поверхностное натяжение фоторезиста; R - радиус пластины-подложки; d — плотность фоторезиста.

Исходными для определения параметров состояния влажного воздуха по /d-диаграмме ( 3-22) служат показания влажного и сухого термометров психрометра. В несколько упрощенном виде принцип действия психрометра можно представить так. У поверхности жидкости, находящейся в чашке, куда опущена ткань, окружающая шарик мокрого термометра психрометра, появляется в процессе испарения воды тонкий слой насыщенного воздуха, образующийся в результате вылета из жидкости молекул ее, преодолевших поверхностное натяжение жидкости. Так как дальнейшее проникновение молекул жидкости из этого слоя в воздух затруднено вследствие столкновения их с молекулами воздуха, концентрация молекул жидкости в тонком слое, прилегающем к поверхности жидкости, велика и с достаточной степенью точности можно считать, что воздух в этом слое насыщен водяным паром. Парциальное давление этого пара есть давление насыщенного пара при температуре поверхностного слоя жидкости, показываемом мокрым термометром (при точных расчетах в это показание вносятся поправки). Сухой же термометр показывает температуру ненасыщенного влажного воздух а в помещении. В подробных курсах технической термодинамики доказывается, что энтальпия насыщенного воздуха над поверхностью жидкости и ненасыщенного воздуха в помещении, где находится психрометр, (почти) одинаковы. Отсюда нахождение в Id-диаграмме точки, характеризующей состояние ненасыщенного воздуха в помещении по показаниям психрометра, сводится к следующему. На линии ср = 100% находят точку соответственно показанию ta мокрого термометра. Из нее проводят линию / = = const. Очевидно, на этой линии находится точка, характеризующая состояние воздуха в помещении, в котором находится психрометр. Взяв пересечение линии / = const с изотермой t^ сухого термометра, находят искомую точку. По ее координатам и с помощью линий /d-диаграммы находят все параметры воздуха в помещении (см. пример 3-17).

где о—поверхностное натяжение расплава, Н/м; г — радиус столба расплава, см; YP — плотность расплава, г/см3; g — ускорение свободного падения (g=981 см/с2). Из уравнения (4.1) следует

ному требованию, чтобы произведение силы на производимое ею изменение координаты равнялось работе, совершаемой силой при этом изменения координаты. В зависимости от выбора обобщенной координаты g и обобщенная сила получает тот или иной смысл. Так, если g — линейное перемещение, то f — обычная механическая сила; если g — угол поворота, то / — момент пары сил; если g — поверхность, то / — поверхностное натяжение; если g — объем, то/ — давление.

Обозначения: t — диапазон рабочих температур; ps — удельное поверхностное сопротивление; Л — число двойных перегибов; а—прочность отделения полоски 3-мм фольги от диэлектрического основания; с — изменение линейных размеров; k — штампуемость; / — относительное удлинение; 1\ — содержание летучих веществ; ^ — содержание связующего; b — влагопоглощение; т — время горения

Отношение Llw часто называют числом квадратов, укладывающихся в длине резистора, а удельное поверхностное сопротивление — сопротивлением квадрата. Для полупроводниковых резисторов, создаваемых базовой диффузией, это сопротивление составляет 60...250 Ом/П, эмиттерной — 2...5 Ом/П.

Удельное поверхностное сопротивление. Под удельным поверхностным сопротивлением понимают (ГОСТ 21515—76) поверхностное сопротивление плоского участка поверхности твердого диэлектрика в форме квадрата при протекании электрического тока между двумя противоположными сторонами этого квадрата. В простейшем случае, когда электроды представляют собой две токопро-водящие параллельные полоски на образце ( 1-2), поверхностное сопротивление Rs пропорционально зазору ^ между электродами и обратно пропорционально их длине а:

Под дугостойкостью обычно понимают способность электроизоляционного материала длительно противостоять воздействию электрической дуги, сохраняя в заданных пределах требуемые электрические и физико-химические характеристики (удельное поверхностное сопротивление, поверхностные физико-химические свойства, масса, целостность структуры) или восстанавливая часть их (удельное поверхностное сопротивление) через короткое время после прекращения воздействия дуги.

В условиях тропического климата весьма опасным является рост и развитие грибковой плесени на поверхности материала. Наиболее опасны для органических электроизоляционных материалов следующие виды грибковой плесени: Aspergillus niger, Aspergillus amstelodami, Paccilomyces varioti, Stachibotrys atra, Penicillium cyclo'pium, Penicillium brevicompactum, Chaetemium globosum, Trichoderma lignorum. Отрицательное воздействие плесени проявляется следующим образом: а) возникают электропроводящие участки, в результате чего резко снижается поверхностное сопротивление материала, иногда может уменьшиться'и объемное сопротивление; б) продукты жизнедеятельности грибковой плесени вступают в химические реакции с материалом, что может привести к ухудшению его электрических характеристик; в) волокна грибковой плесени впитывают и связывают воду, что также пагубно влияет на характеристики материала или изделия.

Наряду с отмеченными недостатками метод тройной диффузии имеет существенное достоинство, заключающееся втом, что структура формируется в матричном монокристалле кремния с совершенной кристаллографической структурой, что позволяет реализовать большой процент годных БИС и СБИС высокой степени интеграции. Как оказалось, не очень жесткие требования к точности изготовления фотошаблонов, присущие этому методу, дают возможность использовать его для создания СБИС. Изготовление таких СБИС осуществляется следующим образом. Сначала в кремниевую пластину р-типа (ориентация 100) с удельным сопротивлением 3—5 Ом-см проводится диффузия мышьяка для создания коллекторных областей транзисторов. Удельное поверхностное сопротивление этих областей равно 95 Ом/D при глубине залегания р-п-перехода 0,3 мкм. Затем проводится диффузия бора для формирования базовых областей с поверхностным сопротивлением

125 Ом/П при глубине залегания р-л-перехода 1,9 мкм. Для образования эмиттерных областей проводится диффузия фосфора. Глубина залегания перехода эмиттер—база 0,9 мкм, удельное поверхностное сопротивление составляет 4,5 Ом/П.

4) контроль качества проведения технологического процесса путем изготовления на пластинах специальных испытательных элементов. В этом случае на фотошаблонах изображения нескольких «рабочих» структур (обычно пять-девять структур в центре и на периферии пластины) заменяют изображениями специальных тестовых структур. Измерения тестовых структур дают информацию о таких параметрах, как поверхностное сопротивление и сопротив-

Напыление рези-стивной пленки (сплошной слой) Толщина Внешний вид Удельное поверхностное сопротивление Резистивный, резонансно-частотный, ионизационный Визуальный Электрический Приборы КС-2, КИТ-2, КСТ 1 Микроскоп МБС-200 Измеритель ИУС-1 В процессе напыления на подложках-спутниках Цех, ОТК — выборочно То же Равномерность покрытия В соответствии с ТД

На практике сопротивлением областей контактов можно пренебречь, так как оно значительно меньше сопротивления резистивной пленки. Кроме того, учитывая, что удельное сопротивление пленки зависит от ее толщины, для расчетов целесообразно использовать не удельное объемное сопротивление ру, а удельное сопротивление квадрата пленки определенной толщины или удельное поверхностное сопротивление ps:

Удельное поверхностное сопротивление тонких пленок для наиболее широко применяемых материалов составляет 100 — 10 000 Ом/П, толстых пленок толщиной 15—25 мкм соответственно 10 Ом/П — 1 МОм/П.