Поверхности возникает

направленную параллельно поверхности диэлектрика (см. 16-8). г Значение Еи максимально при х --•- а/2, т. е. как раз там, где проходит лист нагреваемого материала. Токи в середине широкой стенки волновода при распространении волны типа Н10 текут вдоль оси волновода, и щель для пропуска нагреваемого материала не искажает структуры поля и не вызывает заметного излучения с поверхности волновода.

Для защиты посеребренной поверхности волновода от потускнения и коррозии ее покрывают лаком или слоем родия толщиной 0,1—0,2 мкм.

2) в диэлектрике и на внутренней поверхности волновода векторы поля Е и Н выражаются так же, как и в случае идеального волновода.

2) предположим, что в диэлектрике и на внутренней поверхности волновода векторы поля Е и Н выражаются так же, как и в случае идеального волновода.

Крепление волноводных труб производится при помощи уголков или стоек, которые припаиваются твердым припоем к наружной поверхности волновода. Для нормальной работы волноводного тракта необходимо крепление волновода к жесткому основанию, например к каркасу стойки или шкафа. При переходе волновода от амортизированной стойки к корпусу носителя следует вводить гибкие звенья, предусматривая перемещение стойки относительно корпуса носителя.

Обычно резкое проявление поверхностного эффекта имеет место при высоких частотах, например, при распространении электромагнитных волн в волноводах. Зная распределение Htm по внутренней поверхности волновода, нетрудно, пользуясь последней формулой, вычислить мощность, теряемую в стенках волновода.

Обычно резкое проявление поверхностного эффекта имеет место при высоких частотах, например при распространении электромагнитных волн в волноводах. Зная распределение Нм по внутренней поверхности волновода, нетрудно, пользуясь последней формулой, вычислить мощность, теряемую в стенках волновода,

Влияние стенки волновода можно учесть с помощью поперечно-резонансного метода. Граничное условие на цилиндрической поверхности резонатора и продолжение этой поверхности до металлической поверхности волновода (см. 4.30,а, штриховая линия) записывается в виде идеальной магнитной стенки. Считал, что область 2 между резонатором и стенкой волновода является запредельной, и, приравнивая яа границе между 1- и 2-й областями тангенциальные компоненты поля, можно получить дисперсионное уравнение

Технологический процесс изготовления гибкого волновода состоит из получения заготовки; гофрирования волноводной трубы; сборки с фланцами; покрытия наружной поверхности волновода резиной и серебрения.

ствует сохранению чистоты токонесущей поверхности волновода при извлечении. Одну оправку можно использовать для калибровки 10—12 тысяч соединений.

Для индукционного нагрева используются, ламповые высокочастотные генераторы с выходной мощностью 10—60 ква и частотой 200—600 кгц марок ЛГЗ-10, ЛГЗ-30, ЛГЗ-60. . При индукционной пайке, несмотря на кратковременность нагрева, возможность окисления поверхности волновода полностью не исключается. Для этого необходима пайка в электрических печах. Однако этот способ из-за большой длительности производственного цикла и высокой4 стоимости оборудования применяется редко.

Структура МДП применяется-для создания МДП-транзисторов, широко используемых в интегральных микросхемах. В основе работы МДП-структуры лежат поверхностные явления в полупроводнике. Свойства полупроводника на поверхности и в глубине <ри-сталла различны и зависят от технологических методов обработки поверхности полупроводников. В результате обработки полу!ро-водниковых структур возникают энергетические уровни (состояния), называемые поверхностными, на которые переходят электроны из валентной зоны. В полупроводниках из-за малой концентрации свободных носителей около поверхности возникает слой пространственного заряда достаточно большой толщины, свойства которого изменяются при приложении перпендикулярно поверхности полупроводника электрического поля.'

Эффект близости используется в индукционном поверхностном нагреве. Если контур с током высокой частоты (индуктор) приблизить к поверхности нагреваемого тела, то вблизи поверхности возникает индуктированный ток. Из-за эффекта близости путь индуктированного в теле тока повторяет форму индуктора, так как индуктированный в теле ток находится в противофазе с током индуктора, что качественно соответствует рассмотренному примеру. Тем самым создается нагрев поверхности в требуемых местах. Этот метод широко применяется для поверхностной закалки стальных изделий сложной формы.

Другой метод повышения пробивного напряжения — создание расширенного металлического электрода к базовой области, простирающегося по слою диоксида кремния над коллекторным переходом и частично над коллекторной областью ( 4.50). При приложении к коллекторному переходу напряжения в обратном направлении под расширенной частью электрода базы в коллекторной области вблизи поверхности возникает обедненный основными носителями (в данном случае электронами) слой. Это приводит к большей толщине коллекторного перехода у поверхности кристалла по сравнению с толщиной плоской его части, а также к уменьшению кривизны перехода. Все это способствует увеличению пробивного напряжения коллекторного перехода вблизи поверхности кристалла.

В точке Е напряжение настолько велико, что скорость ионов сильно возрастает. Катод, бомбардируемый ионами, разогревается, и с его поверхности возникает термоэлектронная эмиссия. В приборах с ртутным катодом повышение температуры катода приводит к более интенсивному испарению ртути. Плотность паров ртути повышается, увеличивается число столкновений электронов с молекулами ртути, образуется все большее число ионов. Ионы, находясь очень близко от поверхности катода, создают электрическое поле большой напряженности (около 10е—108 В/см), вызывающее электростатическую электронную эмиссию.

водника п-типа зарядов положитель-ной полярности у поверхности возникает обогащенный электронами слой, поскольку последние будут притягиваться из глубинных слоев полупроводника к его поверхности. Если же на поверхности возникают электрические заряды отрицательной полярности, то приповерхностный слой полупроводника обедняется носителями заряда, поскольку электроны этого слоя будут выталкиваться в глубь кристалла.

В точке Е напряжение настолько велико, что скорость ионов сильно возрастает. Катод, бомбардируемый ионами, разогревается, и с его поверхности возникает термоэлектронная эмиссия. В приборах с ртутным катодом повышение температуры катода приводит к более интенсивному испарению ртути. Плотность паров ртути повышается, увеличивается число столкновений электронов с молекулами ртути, образуется все большее число ионов. Ионы, находясь очень близко от поверхности катода, создают электрическое поле большой напряженности (около 10е—108 В/см), вызывающее электростатическую электронную эмиссию.

Итак, вследствие неодинаковой способности диэлектриков поляризоваться, на их поверхности возникает связанный поверхностный заряд с плотностью, равной разности поляризованностей диэлектрика, из которого линии напряженности поля выходят, и диэлектрика, в который они входят. В общем случае, когда линии напряженности поля подходят к поверхности раздела под некоторым углом, а'равно, как нетрудно убедиться, разности нормальных составляющих векторов Pt и Р2.

Итак, вследствие неодинаковой способности диэлектриков поляризоваться на их поверхности возникает связанный поверхностный заряд с плотностью, равной разности поляризованностей диэлектрика, из которого линии напряженности поля выходят, и диэлектрика, в который они входят, В общем случае, когда линии напряженности поля подходят к поверхности раздела под некоторым углом, ст' равно, как нетрудно убедиться, разности нормальных составляющих векторов Р и Р'2-

Одно из наиболее фундаментальных свойств сверхпроводников заключается в том, что магнитное поле не проникает в их толщу (эффект Мейсснера). Это соответствует нулевой относительной магнитной проницаемости (ft = 0) и идеальному диамагнетизму (^ = -1). Нулевое значение магнитной индукции в толще сверхпроводящего образца является результатом того, что во внешнем магнитном поле на его поверхности возникает стационарный электрический ток, собственное магнитное поле которого противоположно внешнему магнитному полю и полностью его компенсирует внутри образца. Поверхностный слой сверхпроводника (обычно несколько десятков нанометров) обладает особыми свойствами, связанными с отличной от нуля напряженностью магнитного поля и экранирующими незатухающими токами.

времени пропускают термоэлектронный ток. Согласно современным воззрениям при активировании катода на его поверхности возникает одноатомный слой положительных ионов щелочноземельного металла ( 332), который сильно понижает работу выхода и этим увеличивает эмиссионную способность катода.

Если на некоторой части диэлектрической поверхности возникает заряд плотностью а = 26,5 мкКл/м2, то соответствующая ему напряженность электрического поля достигает электрической прочности воздуха (около 30 кВ/см). При этих условиях возможно появление небольших кистевых или коронных разрядов, которые создают область проводимости в окрестности заряженного диэлектрика. Если процесс генерирования зарядов продолжается, то искра с этой

Нейтрализаторы, работающие от переменного напряжения, выбрасывают в атмосферу каждый полупериод попеременно положительные и отрицательные ионы. Эти нейтрализаторы могут снижать поверхностную плотность заряда в 10 раз, но степень снижения сильно зависит от расстояния до поверхности. Если нейтрализаторы расположены слишком далеко от поверхности, то преобладает рекомбинация положительных и отрицательных ионов. В результате происходит частичная нейтрализация. При слишком близком расположении нейтрализатора к поверхности возникает ее перезаряд вместо нейтрализации. Этот процесс известен как перекомпенсация. Наилучшее расстояние до заряженной поверхности выбирается по результатам измерения остаточного заряда на движущейся поверхности ( 65) и обычно находится в пределах от 10 до 50 мм.