Поверхности проводящей

По способу создания токопроводящего покрытия аддитивные методы разделяются на химические и химико-гальванические. При химическом процессе на каталитически активных участках поверхности происходит химическое восстановление ионов металла для обеспечения толщины покрытия в отверстиях не менее 25 мкм. В разработанных растворах скорость осаждения меди составляет 2 ... 4 мкм/ч и для получения необходимой толщины процесс продолжается длительное время. Более производительным является химико-гальванический метод, при котором химическим способом выращивают тонкий (1 ... 5 мкм) слой по всей поверхности платы, а затем его усиливают избирательно электролитическим осаждением. Предварительная химическая металлизация обеспечивает электрическое соединение всех элементов печатного монтажа.

Обогащенная область появляется в приповерхностном слое в случае, когда знак поверхностного заряда противоположен знаку основных носителей заряда в полупроводнике ( 2.12, в). Под влиянием заряда на поверхности происходит притяжение к ней основных носителей и обогащение ими приповерхностного слоя. Такие слои называются обогащенными.

Если к затвору приложено положительное напряжение ( 3.1,6), то вблизи поверхности происходит инверсия типа электропроводности полупроводника, так что концентрация электронов в этой области становится достаточно высокой и сопротивление между истоком и стоком резко уменьшается.

Таким образом, в отрыве атома полупроводника принимают участие две дырки и два электрона. Так как доставка дырок к поверхности происходит диффузионным путем, то наиболее медленной стадией процесса является первая и дырки играют определяющую роль в анодном растворении полупроводника. Так как именно от концентрации дырок зависит скорость процесса растворения, полупроводники п- и р-типов растворяются по-разному ( 2.5). На рисунке представлены зависимости потенциалов анодного растворения полупроводника <р от плотности тока, протекающего через границу раздела полупроводник - электролит. Видно, что для полупроводника р-типа наблюдается практически линейная зависимость ср (In j) 2, подчиняющаяся классическому уравнению Тафеля

Ток утечки /у нагревает слой загрязнения, увеличивая скорость испарения влаги с поверхности диэлектрика. Вследствие изменения плотности тока вдоль сложной поверхности, а в реальных условиях и из-за неоднородности слоя загрязнения поверхность нагревается неравномерно и скорость испарения влаги на отдельных участках разная. С ростом напряжения ток /у и нагрев поверхности увеличиваются. При некотором значении напряжения, зависящем от интенсивности мокрых осадков, скорость испарения на наиболее нагретом участке становится выше скорости поступления влаги. Поверхность на этом участке высыхает, его сопротивление резко увеличивается, вследствие чего практически все напряжение оказывается приложенным к этому небольшому промежутку на поверхности. Происходит его перекрытие с образованием частичной дуги длиной в несколько миллиметров.

Передача тепла от массы к поверхности происходит за счет теплопроводности покрывающих пород и конвекции выделяющихся из массы горячих газов и водяного пара. Горячие газы и пар, поднимаясь по трещинам к поверхности Земли, могут встретить воду, которую они нагревают. Нагретая вода выходит па поверхность в виде горячих источников. Эта вода может быть использована на геотермальных электростанциях. Объем выходящей на поверхность воды с течением времени меняется.

чения или длины волны излучения называется спектром поглощения полупроводника или спектральной характеристикой поглощения ( 5.37). Следует подчеркнуть, что глубина поглощения хо большинства материалов, применяемых в фотоприемниках, очень резко изменяется вблизи длинноволновой границы Кгр. Исключение составляет кремний, у которого изменение от прозрачного состояния (%0-*-оо, излучение проходит без поглощения) до непрозрачного (Хо->-0, излучение вообще не проходит, оно полностью поглощается у поверхности) происходит при изменении К примерно в 2 раза.

Напряжение пробоя стокового перехода. Это напряжение (t/сипроб ) ограничивает максимально допустимое напряжение на стоке. Лавинный пробой происходит на краях перехода у поверхности. Напряжение пробоя зависит от напряжения на затворе. Наихудшие условия, когда напряжение пробоя минимально, возникают при минимальном напряжении на затворе, т. е. в закрытом транзисторе (?/зи<0). Распределение электрического поля на краю стокового перехода, перекрытом затвором, показано на 5.9 (густота стрелок отображает значение напряженности). У поверхности происходит суперпозиция электриче-

ственно, а яркость исследуемого объекта 8 ослабляется оптическим клином 3. Угол по ворота клина, соответствующий равенству яркостей, отсчитывается по шкале указателя 7. Прибор имеет два предела измерения, для чего последовательно с клином вводится нейтральный светофильтр 2 с поглощением, равным поглощению толстого края клина, и отсчет производится по второй шкале вплоть до удвоенного значения яркостей. Сравнение яркостей при определении температуры тел с достаточной площадью светящейся поверхности происходит следующим образом. Если яркость объекта больше яркости образцового излучателя, то нить лампы ( 24.6, а) видна в виде черной тени на более ярком фоне объекта. Если же,

На 8.32 показана зависимость поверхностной проводимости «-полупроводника от изгиба зон Ys — — rps/kT, обусловленного зарядом на поверхности. При нулевом изгибе зон коцентрация электронов в поверхностном слое равна концентрации в объеме и поверхностная проводимость практически не отличается от объемной. При отрицательном заряжении поверхности происходит обеднение поверхностного слоя электронами ( 8.31, а) и проводимость его уменьшается, достигая минимального значения, когда середина запрещенной зоны на поверхности Е; устанавливается на высоте уровня Ферми ( 8.31, б), так как в этом случае концентрация электронов в поверхностном слое становится минимальной и равной концентрации их в собственном полупроводнике (п = р = nt). При

соприкасающаяся с нагретой поверхностью, нагревается, плотность ее уменьшается, она поднимается. На ее место подходит более холодная жидкость, газ. Вместе с током жидкости, газа происходит перенос тепла. Конвекцию называют свободной, если движение жидкости, газа относительно нагретой поверхности происходит только вследствие разности плотностей нагретых и холодных слоев жидкости, газа. Если жидкость, газ приводится в движение внешними силами (разностью давлений) или искусственно с помощью насоса, вентилятора, конвекцию называют в ы-нужденной. Теплоотдача при этом резко увеличивается.

2я (х*+ у*4- «i2)3'1 Можно показать, что весь заряд, индуцированный на граничной поверхности проводящей среды, равен фиктивному заряду. Для этого надо произведение сг„нд dS проинтегрировать по всей плоскости хоу: -}-00 СО СО С ГС Уинд = <*ннд«ю = 4 1 ЛУ I °инд dx = J J J -оо 00 СО СО 2Qd f f dx

Пусть поле изменяется во времени синусоидально и заданы действующее значение Я„ и фаза -ф0 напряженности магнитного поля при г = 0, т. е. у поверхности проводящей среды.

Можно показать, что весь заряд, индуцированный на граничной поверхности проводящей среды, равен фиктивному заряду. Для этого надо' произведение 0Ш1Д dS проинтегрировать по всей плоскости хОу:

22.13. Плоская электромагнитная волна проникает из воздуха в проводящую среду. Удельная проводимость проводящей среды Y = — 1 См/м, ее относительная магнитная проницаемость ц = 1. Фронт волны параллелен поверхности проводящей среды. На расстоянии 10 см от поверхности напряженность электрического поля меняется по закону EI = ?m sin (со t -f- 30°) В/м. В момент времени t = 0 напряженность электрического поля на глубине 25 см Ez — —10 В/м. Частота колебаний / = 107 Гц.

22.52р. В результате включения внешнего постоянного во времени магнитного поля возникает плоская электромагнитная волна, которая распространяется в проводящем полупространстве. Фронт волны параллелен поверхности проводящей среды. Волна распростра-

22.53. Рассмотреть процесс установления постоянного магнитного поля (см. 22.3, а), создаваемого внешним источником в бесконечно длинной проводящей полосе, ширина которой на много больше толщины (h > 2a). Удельная проводимость материала у,, абсолютная магнитная проницаемость ца. Внешнее магнитное поле включается в момент t — 0. До включения магнитного поля полоса не была намагничена. Напряженность магнитного поля на поверхности проводящей полосы На. Найти законы изменения напряженности магнитного и электрического полей как функции координаты и времени.

22.13. Плоская электромагнитная волна проникает из воздуха в проводящую среду. Удельная проводимость проводящей среды Y = — 1 См/м, ее относительная магнитная проницаемость ц = 1. Фронт волны параллелен поверхности проводящей среды. На расстоянии 10 см от поверхности напряженность электрического поля меняется по закону EI = ?m sin (со t -f- 30°) В/м. В момент времени t = 0 напряженность электрического поля на глубине 25 см Ez — —10 В/м. Частота колебаний / = 107 Гц.

22.52р. В результате включения внешнего постоянного во времени магнитного поля возникает плоская электромагнитная волна, которая распространяется в проводящем полупространстве. Фронт волны параллелен поверхности проводящей среды. Волна распростра-

22.53. Рассмотреть процесс установления постоянного магнитного поля (см. 22.3, а), создаваемого внешним источником в бесконечно длинной проводящей полосе, ширина которой на много больше толщины (h > 2a). Удельная проводимость материала у,, абсолютная магнитная проницаемость ца. Внешнее магнитное поле включается в момент t — 0. До включения магнитного поля полоса не была намагничена. Напряженность магнитного поля на поверхности проводящей полосы На. Найти законы изменения напряженности магнитного и электрического полей как функции координаты и времени.

Рассмотрим поле прямолинейного провода, расположенного на расстоянии h от плоской поверхности проводящей среды ( 6-27). Это соответствует, например, проводу, подвешенному на высоте h над поверхностью земли. Все линии напряженности поля, начинающиеся на положительно заряженном проводе, заканчиваются у поверхности проводящей среды, где появляется индуктированный отрицательный заряд. Поле определяется как зарядом провода, так и всем зарядом, распределенным по поверхности проводящей среды. Распределение индуктированного згаряда из условий задачи не известно и также подлежит определению.

Этот метод применим и в случае любого числа проводов, протянутых параллельно друг другу и параллельно плоской поверхности, ограничивающей проводящую среду ( 6-28). Каждый провод должен быть зеркально отражен в поверхности проводящей среды с изменением знака заряда, после чего проводящая среда может быть мысленно удалена и рассмотрено поле совокупности действительных проводов и их зеркальных изображений. В таком поле плоскость, расположенная на месте поверхности проводящей среды, является поверхностью равного потенциала, так как заряды противоположных знаков размещены симметрично относительно этой плоскости. Следовательно, найденное