Поверхности появляются

т. е. в любой точке поверхности плотность механических сил равна объемной плотности энергии в этой же точке.

т.е. в любой точке поверхности плотность механических сил равна объемной плотности энергии в этой же точке.

проводник, расположенный у поверхности провода; поэтому первый обладает большей индуктивностью и индуктивным сопротивлением, чем второй. При одинаковом напряжении на концах элементарных проводников длиной /, расположенных у оси и у поверхности, плотность -тока в первых меньше, чем во вторых.

Постоянные Q1 и Q2 определятся из граничных условий на поверхности сферы. На этой поверхности плотность тока равна разности тангенциальных составляющих напряженности поля, а также равны одна другой нормальные составляющие вектора индукции.

ток, быстро разогревающий его поверхностные слои. Поверхностный характер нагрева обусловлен законом распределения плотности переменного тока в массивном однородном про-\ воднике. При этом наибольшая плотность тока будет иметь место на поверхности проводника, по мере удаления от поверхности плотность тока убывает (кривая /), в сердцевине детали практически тока нет.

Материалы. Для изготовления активных и пассивных элементов микросхем широко используются полупроводниковые материалы, резистивные и проводящие металлы и сплавы, диэлектрические соединения и смеси, фоторезисты, диффузанты, растворители. В связи с уменьшением размеров этих элементов и стремлением разместить все большее их число на минимальной площади и.в^ минимальном объеме требования к материалам непрерывно повышаются. Необходимо производство сильно легированных монокристаллов кремния с низкой плотностью дислокаций точно заданного диаметра и т. д., а также выпуск монокристаллов новых полупроводниковых соединений высокого качества. Понятие «чистое вещество» в традиционном химическом смысле уже недостаточно для полной характеристики материала. Помимо содержания примесей, необходимо учитывать еще и стехиометрию, чистоту поверхности, плотность кристаллографических дефектов.

Примем поток активной энергии в загрузку ориентированным по внутренней нормали к ее поверхности. Плотность этого потока на наружной поверхности гарнисажа, на границе гарнисажа с расплавом и в произвольной точке загрузки с координатой Xj (отсчитывается от наружной поверхности гарнисажа) обозначим соответственно рг>п, Р„>п и р. Тогда

Высказывались определенные опасения, что микроволновой пучок может выйти из-под контроля и начать перемещаться по земной поверхности. Плотность энергии в таком пучке должна составлять: 104/2,6 МВт/км2 = =0,38 Вт/см2, что всего лишь в 2 раза больше плотности солнечного излучения. Следует учесть, что в потоке солнечной энергии, составляющем 1,4 кВт/м2, на микроволновой участок спектра приходится лишь малая доля полного потока и значение 0,38 Вт/см2 по меньшей мере на два порядка больше, чем поток солнечного излучения на этом участке спектра. Эту проблему можно в принципе решить, либо увеличив диаметр пучка, либо снизив его мощность. •

где а и апр — поверхностная плотность зарядов и ее значение, соответствующее электрической прочности диэлектрической поверхности.

Основными параметрами, определяющими качество катода, являются [2]: размер эмиттирующей поверхности; плотность тока эмиссии; рабочая темпера»

отклоняет диффундирующие электроны и дырки в противоположные стороны. Токи электронов и дырок в направлении у складываются, образуя суммарный ток, плотность которого затухает по мере удаления от освещенной поверхности вследствие рекомбинации неравновесных носителей заряда. Если электрические контакты образца замкнуть накоротко, то во внешней цепи возникнет ток короткого замыкания фотомагнитного эффекта. В условиях короткого замыкания ток в каждой точке образца направлен в одну и ту же сторону, причем основная часть тока протекает вблизи освещенной поверхности в слое, соответствующем диффузионной длине смещения неравновесных носителей.

заряды, вызывающие появление электрического поля, направленного вдоль оси у (фотомагнитная ЭДС). Это поле создает в образце ток, уравновешивающий ток короткого замыкания. Для достаточно длинных образцов составляющая электрического поля в направлении у не зависит от координаты х. Вблизи освещенной поверхности -плотность тока (ток Дембера), вызванного электрическим полем, меньше плотности фотомагнитного тока, вблизи темновой поверхности — превышает его. В результате в образце возникает циркулирующий ток. (см. 2.7). Фотомагнитный приемник наиболее эффективен в том случае, если он изготовлен из полупроводника с высокой подвижностью носителей и малым временем их жизни.

Подготовка герметизируемого изделия. В процессе изготовления изделий на их поверхности появляются различные виды загрязнений (пыль, смазка, остатки припоев и флюсов, жировые пленки, окислы, механические примеси), а в порах адсорбируется влага, которая ухудшает электрофизические характеристики герметизируемых изделий и снижает качество герметизации. Для очистки изделий применяют материалы и оборудование, которые описаны в § 7.2. При их выборе учитывают характер загрязнений, требование к качеству, материал, из которого изготовлено изделие, его физико-химические свойства (термостойкость, прочность), форму и размеры изделий, требования техники безопасности и противопожарной техники, экономичность процесса.

Развитие таких процессов возможно как при низких напряжениях и больших плотностях токов, так и при высоких напряжениях и малых плотностях токов утечки по поверхности. В первом случае основную роль играют тепловые процессы, во втором — эрозионные и химические. И в том, и в другом случае происходят необратимые ухудшения свойств изоляционного материала в слое, прилегающем к поверхности, появляются токопроводящие низкоомные каналы — треки, развиваются недопустимо большие токи утечки вдоль треков. Процесс образования под воздействием электрического поля электропроводящих каналов (треков) на поверхности твердого диэлектрика называют трекингом, а способность диэлектрика выдерживать воздействие поверхностных пробоев без трекинга — трекингостойкостью.

на определенном расстоянии друг от друга два электрода. В промежуток между ними подают по каплям раствор соли заданного состава и, ступенями повышая приложенное напряжение, находят на каждой ступени после подачи. 50 капель раствора значение тока. Ступень напряжения, на которой «50-капельный» ток достигает заданного значения /трек. а на поверхности появляются треки, замыкающие электроды накоротко, определяет значение напряжения тренинга (Утрек- Таким образом, (/трек — это минимальное напряжение, соответствующее образованию короткозамыкающих треков между электродами и появлению тока /трек установленного значения. Напряжение (Утрек может служить характеристикой материала лишь при определенных условиях опыта. Иногда испытание проводят иначе. На каждой ступени напряжения фиксируют время (пропорциональное числу равномерно падающих капель), в течение которого ток достигает заданного значения. Если увеличивать напряжение U (каждый раз заменяя образец новым), то время / или, что то же, число капель уменьшается. Проведя асимптоту к кривой t ({/), находят на ее пересечении с осью абсцисс напряжение трекинга

К генераторным преобразователям относят и пьезоэлектрические преобразователи. Работа такого преобразователя основана на явлении пьезоэлектрического эффекта, заключающегося в том, что при сжатии некоторых кристаллов на их поверхности появляются электрические заряды. Такими свойствами, в ч-астности, обладают кристаллы кварца и турмалина. Пьезоэлектрические преобразователи пригодны для измерения силы, давления, вибраций и других неэлектрических величин, в которых прямо или косвенно проявляются силовые воздействия.

компонентных мишеней скорость уноса веществ может Заметно меняться вследствие обратного рассеяния в газе распыленных атомов одного компонента на поверхности другого. Это явление наблюдается при давлениях 1,0 Па, если один компонент распыляется хуже другого. Например, при распылении молибдена и меди на медной поверхности появляются молибденовые конусообразные образования высотой в • несколько микрон, вследствие покрытия поверхности меди молибденом снижается скорость распыления меди. Так же, как медь, ведут себя алюминий, серебро и золото, а как молибден — вольфрам, никель, кобальт.

Работу выхода можно значительно изменить, если на поверхность металла, называемого в этом случае керном, нанести тонкий слой другого вещества. Для уменьшения работы выхода на поверхность наносятся слои таких веществ, которые являются электроположительными относительно металла. В этом случае атомы вещества отдают свои электроны керну. Вследствие этого на поверхности появляются ионы, которые совместно с отрицательным зарядом керна создают двойной электрический слой. Электрическое поле этого слоя является ускоряющим для выходящих из керна электронов, т. е. уменьшает работу выхода. Изменение работы выхода зависит не только от физических свойств керна и активирующего вещества, но также и от толщины слоя последнего. Наибольшее изменение получается при нанесении одноатомного слоя. При этом работа выхода составит 1,56эВ для вольфрама, активированного барием, и 2,63 эВ — для активированного торием.

Работу выхода можно значительно изменить, если на поверхность металла, называемого в этом случае керном, нанести тонкий слой другого вещества. Для уменьшения работы выхода на поверхность наносятся слои таких веществ, которые являются электроположительными относительно металла. В этом случае атомы вещества отдают свои электроны керну. Вследствие этого на поверхности появляются ионы, которые совместно с отрицательным зарядом керна создают двойной электрический слой. Электрическое поле этого слоя является ускоряющим для выходящих из керна электронов, т. е. уменьшает работу выхода. Изменение работы выхода зависит не только от физических свойств керна и активирующего вещества, но также и от толщины слоя последнего. Наибольшее изменение получается при нанесении одноатомного слоя. При этом работа выхода составит 1,56эВ для вольфрама, активированного барием, и 2,63 эВ — для активированного торием.

В области высоких концентраций MoF6, где скорость процесса определяется скоростью восстановления низших фторидов до металла (вторая кинетическая область), значительная часть поверхности осаждения занята трифторидом молибдена, что создает условия для его накопления в слое получаемого осадка. В этом случае при температурах 900—1000° С формируется серебристо-белый осадок, имеющий на поверхности такую же кристаллическую огранку, что и 'В кинетической области, но вершины пирамидальных образований здесь сглажены вследствие одновременного протекания процесса травления. В структуре таких осадков наблюдаются включения MoF3 и пустоты ( 5.4, д, е). Снижение температуры процесса усиливает влияние трифторида молибдена на формирование осадка. При Г<800° С формируется темно-серый, гладкий с мелкодисперсными образованиями на поверхности осадок ( 5.4,ж), обнаруживающий слоистую структуру в изломе ( 5,4, з). При повышении концентрации гексафторида молибдена в газовой смеси на поверхности появляются каплевидные образования ( 5.4, «), а в структуре осадка появляется множество пор и темных включений ( 5.4, к).

Пьезоэлектрические свойства керамики, или пьезо-эффект, заключаются в том, что при приложении механической нагрузки изменяется поляризация пьезо-электрика и на его поверхности появляются избыточные заряды, которые могут быть сняты и направлены в цепь. При помещении пьезоэлектрика в электрическое поле в нем возникнут механические напряжения, сопровождаемые изменением размера образца, что также вызывает изменение поляризации пьезоэлектрика.

Жидкость собирается в шар, так как это наиболее выгодная форма. Она соответствует наименьшей поверхности (а* следовательно, и Es) для данного объема жидкости. В отличие от кристалла у жидкости на поверхности силы связи атомов со своими соседями во всех направлениях одинаковы. Поэтому, если из кристалла сделать шар, а затем поместить его в активную среду, у него обязательно образуются грани. После достижения равновесия на поверхности появляются грани и ступени в таком сочетании, чтобы каждый участок поверхности отдавал бы и присоединял равное число атомов, соответствующее уровню теплового движения при данной температуре.

Шлифование алмазными кругами зернистостью 120—140 на связке Б1 с концентрацией алмазов 50% применяется лишь при доводке магнитов до 10—il2 классов чистоты при снятии припуска до 0,01 мм на режимах: скорость круга ик=12-н15 м/сек, продольная подача s = 3 м/мин, глубина резания ^=0,005-^-0,007 мм. Алмазные круги на металлической связке для обработки магнитов не пригодны, так как они быстро нагреваются, засаливаются и на обрабатываемой поверхности появляются прижоги.