Поверхности пластинки

При работе на автоматическом оборудовании используется сварочный инструмент с большим диаметром капиллярного отверстия (1,5—1,6 диаметра проволоки), чем при ручной сварке. Предпочтение отдается керамическим и рубиновым капиллярам, которые имеют более высокую чистоту поверхности отверстия, не требуют нагрева и обеспечивают возможность 0,5 и 1,0 млн. соединений.

Для многих конструкций маховиков /; — О или р0 = 0, тогда (4.1 Г), (4.12) соответственно упрощаются: Al=A2 = Q, если Р=Р0 = 0. При отсутствии р, р0 согласно (4.11) аг = 0 при r = R0 и r = R; по (4.12) на поверхности отверстия при ;• = R0 имеет место наибольшее (опасное) значение напряжения:

Равномерность воздушного зазора обеспечивается в результате повышения точности механической обработки всех узлов и деталей и шихтовки листов магнитопровода статора. Для этой цели подшипниковые щиты выполнены с внутренними замковыми поверхностями, что позволило обеспечить большую концентричность их посадочных поверхностей за счет одновременной обработки спаренным инструментом замковой .поверхности и поверхности отверстия под подшипник. Большей равномерности воздушного зазора спо-

Наоборот, при нагреве поверхности отверстия ( 7-1 и 7-2, а) магнитный поток индуктора замыкается в зоне сильного магнитного поля внутри индуктора, вследствие чего магнитное сопротивление обратного замыкания Rm0 велико, и относительно велика составляющая /о тока индуктора. Поэтому ток индуктора для нагрева внутренней поверхности больше тока индуктора для нагрева внешней при одинаковых размерах обоих индукторов. Разница увеличивается с уменьшением диаметра индуктора и с понижением частоты. Очевидно, что следствием этого является относительное увеличение потерь в индукторе и понижение его к. п. д.

так, что отверстия, через которые выходит вода, оказываются против закаливаемой поверхности. Магнитопровод 3 из пластин трансформаторной стали (или из феррита для тока высокой частоты) вытесняет ток к нагреваемой поверхности. Если в процессе нагрева деталь не вращается, то на поверхности отверстия нагреваются только две полосы, находящиеся против трубок ( 8-17). Для закалки всей поверхности деталь необходимо во время нагрева и охлаждения вращать со скоростью 150—200 об/мин.

Полная закалка всей поверхности отверстия осуществляется только при вращении детали. Если закалка наружной поверхности не требуется, то в случае толстых стенок охлаждать ее после нагрева не нужно. Однако при этом подача воды на внутреннюю закаливаемую поверхность должна производиться достаточно долго, чтобы не произошло отпуска закаленного слоя за счет тепла, накопленного в детали у наружной поверхности.

Сварной шов на сердечнике статора получается расплавлением основного металла, имеющего специальную разделку, полученную при штамповке ( 13,8,6). Свариваются одновременно все швы. Сваркой может скрепляться также сердечник ротора. При этом сварка на поверхности отверстия под вал производится без специальной разделки. Для этого сердечник прессуют и, не снимая давления, производят сварку. Давление снимается после остывания шва.

Отверстия связи непосредственно в стенке заготовки получают с помощью прецизионной электроискровой обработки. Вначале осуществляют черновую прошивку отверстий на жестких режимах (табл. 3.4). Производительность при этом составляет 100—500 мм3/мин и чистота образующей поверхности лежит в пределах 2—3-го класса. Затем производят чистовую обработку отверстий на мягких и особо мягких режимах. Производительность при этом 0,1—0,01 мм3/мин при чистоте обработки образующей поверхности отверстия по 7—9-му классам.

Допустимое значение энергии импульса при чистовой обработке (калибровке) отверстия связи определяемся требуемой чистотой образующей поверхности отверстия.

G"s — проводимость потока с внутренней поверхности отверстия в наконечниках. Она определяется как проводимость между поверхностями, лежащими в одной плоскости, табл. 3-3 (20)

стенки, стремящиеся его сжать. При отсутствии поля это приводит к «растеканию» домена по поверхности с образованием лабиринтной структуры ( 13,а). Под действием внешнего магнитного поля возникает третья сила, обусловленная взаимодействием с ним домена. Эта сила действует перпендикулярно поверхности пластинки, т. е. сжимает домен. По мере увеличения внешнего магнитного поля лабиринтные домены сначала разрываются, приобретая форму гантелей ( 13, б), а затем при достаточно большой напряженности Нвн образуются цилиндрические рых постепенно уменьшается ( 13, в).

Например, в электронный германий вплавляют индий, являющийся акцепторной примесью. 'На пластинку германия / помещают таблетку индия 2 ( 3.3, а) и нагревают ее в вакууме примерно до 500° С. При этом индий расплавляется и смачивает поверхность германия; часть германия растворяется в индии, и на поверхности пластинки образуется углубление 3, заполненное насыщенным раствором германия в индии ( 3.3, б). При понижении температуры германий рекристаллизуется из расплава, захватывая атомы индия и образуя слой 4 германия р-типа ( 3.3, в). Р — п-пере-ход 5 возникает на границе основной пластинки германия п-типа с рекристаллизованной областью 6 германия р-типа. Для образования р — n-перехода в германии р-типа в качестве донорной примеси используют сплав свинца с сурьмой.

К полупроводниковым относятся интегральные схемы, все элементы которых формируются в объеме или на поверхности пластинки кремния-подложки. При их производстве используются различные методы планарно-эпитаксиа-льной технологии, разработанные ранее для получения биполярных и полевых транзисторов. Процессы изготовления современных ИС достаточно сложны и включают десятки и сотни операций при жестких технологических допусках на качество обработки, линейные размеры, длительность циклов и температуру.

в пластинку германия у поверхности пластинки образуется слой полупроводника с дырочной электропроводностью. В этом случае р-л-пере-ход получается менее резким, чем в сплавном диоде.

Уменьшение удельного сопротивления коллектора снижает пробивное напряжение коллекторного перехода. Чтобы сохранить достаточно высоким напряжение {/Кбодоп. между базой и коллектором вводят слой беспримесного полупроводника с высоким объемным сопротивлением, а коллектор делают с малым объемным сопротивлением. Такой транзистор с промежуточным слоем между базой и коллектором называют эпитаксиальным транзистором ( 3.39, а),так как для получения слоя 2 высокого сопротивления применяется так называемое эпитаксиальное наращивание полупроводника. Наращивание заключается в том, что химическое соединение полупроводникового элемента разлагается у поверхности пластинки п-германия /, являющейся базой транзистора, и образует на ней пленку полупроводника 2. В качестве химического соединения применяют хлориды германия. На эпитаксиальную пленку наносят высоколегированный слой р-германия 3, являющегося коллектором транзистора. Вывод коллектора припаивают к напыленному на р-германий омическому контакту 4. Область кристалла / с ^-электропроводностью образуется вплавлением эмиттера Э. Благодаря увеличенному расстоянию между

Приводимый на 18, а транзистор выполнен на основе пластинки (подложки или основания) кремния с р-проводимостью. На поверхности пластинки диффузионным способом получены две области с «-проводимостью (исток И и сток С), разделенные областью «-канала (в основании О), имеющей преобладающую р-проводимость. Вследствие этого при подаче на транзистор напряжения ток между истоком И и стоком С протекать не будет, ибо переходы сток — основание и исток — основание образуют две встречно включенных п—р-перехода, один из которых будет закрыт при любой полярности приложенного напряжения. Однако если на поверхностный слой р-полупроводника подействовать достаточно сильным электрическим полем, приложив между затвором 3 и основанием О напряжение в положительной полярности

где а — угол между направлением пбля и нормалью к поверхности пластинки ( 3-8).

а — угол между направлением поля и нормалью к поверхности пластинки. Если пробная пластинка установлена так, что а = 0 (cos а = 1), то

Накопление носителей заряда у боковой грани пластинки полупроводника прекратится, когда сила Лоренца уравновесится силой холловского электрического поля. При перпендикулярном направлении напряженности, магнитного поля к поверхности пластинки полупроводника условием такого динамического равновесия будет равенство

они по своей природе не паяются, то площадь сцепления припоя с поверхностью заметно снижается, и весьма вероятно', что получится полное или частичное несмачивание поверхности. Влияние абразивного материала на состояние поверхности можно определить, погружая на 10—15 сек пластинку обработанного абразивом основного металла в используемый припой и медленно вынимая ее в строго вертикальном положении, чтобы припой имел возможность стекать с поверхности пластинки. Иногда при таком испытании стеканию припоя способствует резкое встряхивание или постукивание. Осмотр пластинки с затвердевшим на ней припоем позволяет обнаружить поры и несмоченные участки, если они возникают. Нельзя допускать затвердевания припоя при горизонтальном положении той поверхности, которая подлежит осмотру, так как в этом случае гидростатическое давление заставляет припой равномерно растекаться, и он перекроет несмоченные участки, не сцепляясь с основным металлом. При этом испытании рекомендуется применять в качестве флюса чистую светлую канифоль.