Поверхности образуется

Если пластины конденсатора расположены в вакууме, то вектор электрического смещения D0 = e0E, где БО = 8, 85 • 10~12Ф/м — электрическая постоянная, D — электрический заряд, сместившийся под действием поля Е через единицу поверхности, нормальной к направлению смещения.

Поток электромагнитной энергии, передаваемой в единицу времени через единицу поверхности, нормальной к направлению распространения волны электромагнитного поля, называют вектором Умова — Пойнтинга и обозначают

Из рассмотренного следует, что вектор Пойнтинга выражает по', энергии электромагнитного поля в единицу времени (поток мощное через единицу поверхности, нормальной к направлению pacnpoerf нения энергии. Так как Е измеряется в в/м, а Я в а/м, то вектор Пой тинга измеряется в ет/ж2.

следует из того, что напряженность поля численно равна потоку вектора Е, проходящему через единицу поверхности, нормальной к линиям напряженности поля. Давая приращение только одной координате а, получим соответствующее приращение потока da??. Поток daWE проходит через поверхность Ida. Так как эта поверхность нормальна к линиям напряженности поля, то

Первое равенство уже было приведено ранее. Второе выражение следует из того, что напряженность поля численно равна потоку вектора Н. сквозь единицу поверхности, нормальной к линиям напряженности поля., Пусть da^H — приращение потока вектора Н, соответствующее приращению только одной координаты а. Поток d^?H проходит через поверхность Ida, нормальную к линиям напряженности поля. Следовательно,

Определим мощность потока энергии, отнесенную к единице поверхности, нормальной к направлению распространения волны. Будем предполагать, что существует только волна, движущаяся в одном направлении. В таком случае объемная плотность энергии электромагнитного поля ^\ ^fy^ds равна:

Мощность потока энергии, отнесенная к единице поверхности, нормальной к вектору скорости v, численно равна количеству энергии, которая проходит через единицу поверхности, нормальной к вектору v, в единицу времени. Она получается равной:

Он определяет собой мощность потока -электромагнитной энергии , отнесенную к единице поверхности, нормальной к направлению распространения волны. Выражение для вектора Пойнтинга было получено в предположении, что среда однородна и изотропна и что существует только прямая или только обратная волна. В следующем параграфе будет показано, что это выражение справедливо в общем случае.

Вектор Пойнтинга, определяющий величину и направление по-' тока электромагнитной энергии, передаваемой в единицу времени сквозь единицу поверхности, нормальной к направлению распространения волны, равен:

потока электромагнитной энергии, отнесенная к единице нормальной поверхности, в направлении распространения волны будет: ~

Вектор мощности потока электромагнитной энергии через единицу поверхности, нормальной - ^ к направлению распространения волны, называется вектором Умова — Пойнтинга. . р о 7 К оппелелению

Назначение и классификация. Многие металлы и другие материалы при эксплуатации в условиях, рассмотренных в гл. 1, подвергаются разрушению. Например, большинство металлов, взаимодействуя с кислородом воздуха, окисляется, в результате чего на их поверхности образуется слой окисла, обладающий иными физическими свойствами, чем основной металл; детали из дерева подвержены гниению и т..д.

Групповую подгонку производят путем воздействия на пленку, которое может изменить ее структуру. Например, для танталовых пленок это может достигаться анодированием поверхности пленки. При этом сопротивление возрастает, а на поверхности образуется диэлектрическая пленка оксида тантала.

1. Пленочный режим. У поверхности образуется почти неподвижная пленка нагретого теплоносителя. Теплообмен происходит за счет теплопроводности и радиации. Такой режим теплообмена имеет место при небольших температурных перепадах для тел с плавными очертаниями.

расплава на его поверхности образуется пленка арсенида галлия, а избыточный мышьяк, поступающий в зону, уносится потоком водорода и осаждается на холодных частях реактора. Обычно подложку вводят в зону осаждения после завершения процесса насыщения расплава галлия мышьяком. Это обеспечивает в дальнейшем постоянство состава газовой смеси и, следовательно, однородность растущего слоя. Изменение отношения давления пара AsQ3 и GaCl на входе в зону осаждения дает возможность использовать как режим травления подложки, так и режим эпитаксии при различной скорости роста ( 4.15). Скорость роста слоя зависит от ориентации подложки. Обычно наблюдается соотношение 1>(ш)А > ^гюд > > f(2inB> 0<зшв« f(3ii)A> f(ioo)A« "(их»в- Здесь индекс А относится к подрешетке металла, В - металлоида.

Nw гДе ^д— исходная концентрация доноров в пластине л-типа (Nn = 5- 101в см~8). На расстоянии д:01 от поверхности образуется р-п переход. При большой энергии ионов слой р-типа располагается на расстоянии х'йг от поверхности и имеет толщину Ал: = (х'м — x'oz) ~ 02. Точки х'02, х'о2 соответствуют металлургическим границам р-п переходов.

Распределения поверхностного потенциала в МДП-структуре в направлении, перпендикулярном затвору, для различных моментов времени приведены на 11.2. Координата х отсчитывается от границы полупроводник (/7) — диэлектрик (Д). Штриховой линией показана граница диэлектрик—металл (/И). По мере накопления зарядового пакета за счет тепловой генерации носителей заряда толщина обедненного слоя Lo6 и поверхностный потенциал полупроводника фпов уменьшаются, а разность потенциалов на диэлектрике увеличивается. В установившемся режиме (/->- оо) поверхностный потенциал уменьшается до значения ФПОР = 2фт1п(УУа//г;), где Na — концентрация акцепторов в подложке; n-f — концентрация собственных носителей. При этом у поверхности образуется инверсный слой л-типа, максимальный заряд электронов в котором

Существенным является и то, что при нагревании пластины кремния в кислородной среде на ее поверхности образуется пленка SiO2. Она защищает кристалл и сформированные в нем миниобласти с заданным типом электропроводности от загрязнений, из нее формируется маска для локальной диффузии примесей, она может выполнять роль диэлектрика в схеме.

Так как в ВДП горит дуга и нет шлака, металл жидкой ванны сильно разбрызгивается; его капли, попадая на холодные стенки кристаллизатора, застывают на ней, образуя над уровнем ванны так называемую корону — слой пористого металла 9. С поднятием уровня ванны корона поглощается слитком, на его поверхности образуется пористый слой, который приходится перед прокаткой слитка обдирать на станке.

В сухих трансформаторах теплоотдача от внутренних частей — стержни, внутренние обмотки НН, обращенные внутрь поверхности обмоток ВН, происходит только путем конвекции воздуха. С наружных поверхностей об-м'оток ВН и с открытых поверхностей ярм происходит теплоотдача путем конвекции и излучения. Поэтому на внешних поверхностях наружных обмоток сухих трансформаторов допускаются более высокие значения плотности теплового потока до 600 Вт/м2 при разности температуры обмотки и воздуха около 60°С. Поскольку в сухих трансформаторах большая часть охлаждающей поверхности образуется во внутренних каналах обмоток, основная масса тепла отводится в них путем конвекции. При этом приходится также считаться с возможностью перехода тепла с более нагретых внутренних поверхностей на менее нагретые путем излучения.

Так, в масляных выключателях при взаимодействии продуктов разложения масла с медными контактами на их поверхности образуется рыхлый карбид меди, в результате чего контакты быстро выходят из строя. Кроме химического разрушения контактов продукты разложения масла в совокупности с парами контактного материала, находясь во взвешенном состоянии в межконтактном промежутке, а также оседая на элементах дугогасительного устройства, могут привести к затяжному горению дуги и снижению электрической прочности.

При хемосорбции происходит перекрытие электронных оболочек адсорбированного атома (адсорбата) и по1верхности (адсорбента). Адсорбционные силы в этом случае связаны с передачей электрона от адсорбированного атома к поверхности или наоборот. В результате этого процесса на поверхности образуется слой ионов.