Поверхности изоляционного

Индуктивный метод. Для измерения удельного сопротивления индуктивным методом применяют катушку индуктивности, по которой пропускают переменный ток, а также регистрирующее устройство, позволяющее определить значение и фазу этого тока. При измерениях в зависимости от типа катушки (датчика) исследуемый образец помещают внутрь катушки или катушку пэижимают к поверхности исследуемого образца. В обоих случаях осуществляется индуктивная связь образца с катушкой. Исследуемый образец влияет на электрические параметры катушки индуктивности, в результате чего протекающий через нее ток несет информацию о свойствах образца.

В практике магнитных измерений часто приходится определять напряженность магнитного поля внутри ферромагнитного образца. Для этого очень часто, основываясь на положении, что касательные составляющие вектора напряженности магнитного поля на поверхности раздела двух однородных и изотропных сред одинаковы, измеряют напряженность магнитного поля на поверхности исследуемого образца. С целью уменьшения погрешности, вызываемой изменением напряженности по мере отдаления от образца, измерительная катушка должна быть тонкой и плоской, чтобы ее витки располагались как можно ближе к поверхности образца.

эллипса ( 3.2,а), большая ось которого наклонена к горизонту под углом ф. Линейно-поляризованный свет будет проектироваться отрезком прямой под углом ф к горизонту ( 3.2,6). Отсчет положительных значений угла ведется против часовой стрелки. Проекционная картина поляризованного света может изменяться от линии до круга, а эллипс является промежуточным и наиболее общим случаем. Отношение малой и большой полуосей эллипса, которое обозначается чэрез ig%, называется эллиптичностью. В основе эллипсометриче-ского метода контроля лежит теория, связывающая оптические свойства поверхности исследуемого изделия с tgx и ф, которые в свою очередь характеризуют изменения параметров поляризованного света. Но практически в теории и технике эллипсометрических измерений для характеристики поляризованного света применяют разность фаз колебаний двух взаимно перпендикулярных

Если исследуемая поверхность чистая, то по изменению tgi3 и А можно определить с высокой степенью точности ее коэффициент преломления. Тонкая пленка на поверхности исследуемого образца оказывает допол-102

Вторичная эмиссия электронов определяется свойствами материала поверхности; их доля в отраженном потоке зависит от потенциального рельефа на поверхности исследуемого изделия, например от обратного напряжения, приложенного к р-п переходам полупроводниковых структур. Изображение, снятое при использовании вторичных электронов, позволяет получить информацию о геометрическом рельефе, распределении потенциала и коэффициенте вторичной эмиссии на исследуемой поверхности.

Значительно более простым методом по сравнению с рассмотренным является однолучевой оптический метод определения параметров вибрации, принцип действия которого основан на изменении угла сходимости лазерного луча, отраженного от вибрирующей поверхности исследуемого изделия.

.Световой поток от оптического квантового генератора, расширенный с помощью коллиматора, фокусируется линзой вблизи поверхности исследуемого изделия, которая расположена перпендикулярно направлению-распространения светового потока ( 5.16). Отраженный от поверхности свет вновь формируется той же самой фокусирующей линзой в сходящийся световой поток,

/ — коллиматор; 2 — экран; 3 — фокусирующая линза; 4 — поверхность исследуемого изделия;--------------падающий луч;-----------------отраженный от поверхности исследуемого изделия луч при нахождении вибрирующей поверхности в положении /—/;-------—— •--------отраженный от поверхности исследуемого изделия луч при нахождении вибрирующей поверхности в положении II—II.

3. Включив рубильник, реостатом установить в цепи ток 15 — 20 а. Пользуясь щупом, нанести мелом на поверхности исследуемого листа линии равного потенциала.

В практике магнитных измерений часто приходится определять напряженность магнитного поля внутри ферромагнитного образца. Для этого очень часто, основываясь на положении, что касательные составляющие вектора напряженности магнитного поля на поверхности раздела двух однородных и изотропных сред одинаковы, измеряют напряженность магнитного поля на поверхности исследуемого образца. С целью уменьшения погрешности, вызываемой изменением напряженности по мере отдаления от образца, измерительная катушка должна быть тонкой и плоской, чтобы ее витки располагались как можно ближе к поверхности образца.

Для измерения механических напряжений используются резис-тивные электрохимические преобразователи, выполненные из тонкой каучуковой трубки, концы которой плотно закрыты электродами, а внутренний объем ее полностью заполнен электролитом. Такой «тензорезистор» укрепляется на поверхности исследуемого объекта и позволяет измерять очень большие относительные деформации (до А/// = 0,6). В зависимости от длины и сечения трубки сопротивление преобразователя может быть от сотен ом до сотен килоом. Частотный диапазон таких преобразователей составляет 0—700 Гц. Погрешности резистивных электрохимических преобразователей в основном обусловлены температурной зависимостью электропроводности растворов, влиянием электролиза и поляризации электродов. Для уменьшения температурной погрешности применяют схемы ее коррекции. Погрешности от электролиза и поляризации снижаются при питании преобразователя переменным током частотой 500ч-2000 Гц, а также применением четырехэлектродных или бесконтактных преобразователей.

На матрицу 1 из нержавеющей стали кислотоустойчивой краской 2 наносят рисунок печатного монтажа (а). В гальванической ванне на не защищенные краской участки матрицы 1 осаждается слой меди 3 (б). Затем защитный слой краски снимают с помощью растворителей (в), а матрицу / с проводниками 3 накладывают на слой изоляционного материала 4, пропитанного смолой (г). При нагревании под давлением происходит отвердение смолы. Затем матрицу снимают с поверхности пластика 4, на котором остается печатный монтаж 3, на уровне поверхности изоляционного основания (д).

Частичные неполные самостоятельные разряды по поверхности изоляционного материала в местах с большой напряженностью электрического поля, не распространяющиеся на весь промежуток между электродами, называются коронным разрядом (короной) и также приводят к ухудшению поверхностных свойств изоляции. Способность диэлектрика выдерживать воздействие коронного разряда без недопустимого ухудшения свойств называется короностойкостью диэлектрика.

Возможный путь пробоя изоляционного промежутка между соседними проводниками / и 4 состоит из двух участков толщиной rfj.H-rfs ( 11.9, а) от проводников к поверхности изоляционного покрытия и промежутка у между этими участками. Каждый участок изоляционного промежутка может быть aafKWHiefr изоляционным материалом (эмалью или пропиточным лаком) или воздухом. Реально могут пробиваться только плотно касающиеся провода с поврежденной изоляцией, т. е. в случае, когда имеются повреждения на прилегающих уча-

дующейся обмотки, разделенной на отдельные группы шайбами, плотно прилегающими к поверхности изоляционного цилиндра ( 9-5, в), является неудачной потому, что в ней затруднен доступ охлаждающего масла к проводам, находящимся вблизи цилиндра Не менее важное значение имеет свободный доступ и выход

Ввод представляет собой конструкцию с внешней и внутренней изоляцией. К внешней изоляции ного изолятора относятся промежутки в атмосферном воздухе (ввода), вдоль поверхности изоляционного тела, к внутренней — участки в самом изоляционном теле, а также промежутки вдоль поверхности изоляционного тела, находящиеся внутри корпуса, если последний заполнен газообразным или жидким диэлектриком. Конструкция внутренней изоляции ввода оказывает большое влияние и на характеристики его внешней изоляции. Например, от числа и размеров дополнительных электродов, располагаемых в изоляционном теле для регулирования электричес-

В отличие от пленочных 'микросхем, где элементы формируются на поверхности 'изоляционного основания в виде пленок проводящих, резистивных, диэлектрических, в полупроводниковой микросхеме элементы выполняют на базе полупроводникового основания-кристалла за счет локального изменения электрофизических свойств материала. На поверхность кристалла выносят лишь пленочные проводники для внутрисхемного соединения (межсоединения).

в винтовых и катушечных обмотках. Конструкция чередующейся обмотки, разделенной на отдельные группы шайбами, плотно прилегающими к поверхности изоляционного цилиндра ( 9.7, в), является неудачной потому, что в ней затруднен доступ охлаждающего масла к проводам, находящимся вблизи цилиндра.

В отличие от пленочных 'микросхем, где элементы формируются на поверхности 'изоляционного основания в виде пленок проводящих, резистивных, диэлектрических, в полупроводниковой микросхеме элементы выполняют на базе полупроводникового основания-кристалла за счет локального изменения электрофизических свойств материала. На поверхность кристалла выносят лишь пленочные проводники для внутрисхемного соединения (межсоединения).

На 1.4 показаны проводящие элементы, размещенные "на поверхности изоляционного основания технологического узла.

Электрическая прочность и изоляция между контактами обеспечивается в соединителях воздушными промежутками и длиной пути по объему и поверхности изоляционного материала базовых (для контактных деталей) "° элементов конструкции (изоляцион-

Сопротивление изоляции поверхности изоляционного основания плата может снижаться по следующим .причинам. При защите зеркала припоя глицерином на поверхности диэлектрика образуется тр^дн? удаляемый белый налет из продуктов взаимодействия с не-дополимеризованными составляющими диэлектрика. Нале? снижа-РТ гопоотивление изоляции. При использовании растительного масла еп плохо удаляемые остатки затрудняют нанесение защит-масла ег° ПЛ°^^ питательной Средой для плесени в тропических эксплуатации, что в 'конечном счете приводит к снижению изоляции. Кроме того, масло имеет ограниченный ванне из-за термической деструкции.