Поверхность полупроводника

После гидравлического испытания арматуру продувают, наружную неокрашенную поверхность покрывают натуральной олифой или антикоррозионным покрытием, а уплотнительные поверхности— солидолом (кроме кислородной арматуры).

4) подготовка формы: внутреннюю поверхность покрывают специальным раствором, чтобы к ней не прилипал компаунд. Затем форму сушат для удаления из смазки растворителя. При заливке компаунда горячего отвердения форму необходимо нагреть.

щем от внешних воздействий, применение корпусных активных элементов неоправданно увеличивает размеры схемы. Для сравнения укажем, что бескорпусный транзистор имеет габариты 1,1х 1,1 х 0,8 мм. Для защиты бескорпусного активного элемента от влаги во время изготовления микросборки его поверхность покрывают специальными лаками или компаундами.

В процессе бомбардировки экрана электроны, оседая на нем, увеличивают его отрицательный заряд. Поэтому для предотвращения запирания трубки ее внутреннюю поверхность покрывают токопроводящим слоем из графита 5 (аквадагом), который соединяют со вторым анодом. Тогда вторичные электроны, выбиваемые из экрана электронным лучом, притягиваются аквадагом и на экране не накапливается отрицательный заряд.

В процессе бомбардировки экрана электроны, оседая на нем, увеличивают его отрицательный заряд. Поэтому для предотвращения запирания трубки ее внутреннюю поверхность покрывают токопроводящим слоем из графита 5 (аквадагом), который соединяют со вторым анодом. Тогда вторичные электроны, выбиваемые из экрана электронным лучом, притягиваются аквадагом и на экране не накапливается отрицательный заряд.

Для воздушных линий электропередачи выпускаются неизолированные провода из меди, алюминия, алюминиевых сплавов, а также сталеалюминиевые провода, которые изготовляются путем скрутки из отдельных элементарных проволок. В некоторых случаях для повышения стойкости проводов к атмосферным воздействиям их поверхность покрывают термостойкой смазкой.

слой легко травящегося металла (медь, алюминий и др.), который в процессе выполняет роль технологического подслоя. Далее на поверхности формируется негативная фотО'Маска и проводится избирательное травление подслоя. Затем поверхность покрывают сплошной резистивной пленкой и производят травление технологического подслоя. Травитель проникает через трещины и разрывы на ступеньках резистквной пленки. Таким образом, толщина технологического подслоя должна

слой легко травящегося металла (медь, алюминий и др.), который в процессе выполняет роль технологического подслоя. Далее на поверхности формируется негативная фотО'Маска и проводится избирательное травление подслоя. Затем поверхность покрывают сплошной резистивной пленкой и производят травление технологического подслоя. Травитель проникает через трещины и разрывы на ступеньках резистквной пленки. Таким образом, толщина технологического подслоя должна

Уменьшить немагнитный зазор можно при использовании полого ферромагнитного ротора. В этом случае отпадает необходимость во внутреннем статоре, так как магнитный поток замыкается непосредственно по ротору. Чтобы материал ротора не насыщался и активное сопротивление его не было очень велико, полый стакан выполняют более толстостенным. Это приводит к увеличению массы ротора и снижению быстродействия двигателя. У некоторых типов таких микродвигателей с целью уменьшения активного сопротивления ротора его поверхность покрывают тонким слоем меди [38].

Жилы кабеля оконцовывают, а подмотку у наконечников выполняют лентой ЛЭТСАР ЛПм или ЛЭТСАР, предварительно очистив трубчатую часть наконечников от заусениц и обезжирив наконечник, жилу кабеля между наконечником и срезом изоляции, и прилегающий участок изоляции длиной 20 мм бензином Б-70 или ацетоном. Обезжиренную поверхность покрывают тонким слоем лака КО-916 и просушивают.

Материалы термоэлементов кроме высоких значений термоэффективности должны иметь достаточную механическую прочность и термическую стойкость, исключающую окисление или сублимацию в заданном интервале температур. Если- материал подвержен таким процессам (например, РЬТе), то его поверхность покрывают защитным слоем

При U'си > Ucll точка отсечки сдвигается к истоку и происходит укорочение канала на величину А/. При этом обедненный слой обратносмещенного перехода сток—подложка, который при ?/си<С UCH отделялся от поверхности каналом, выходит на поверхность полупроводника на участке А/ ( 3.37, в). Потенциал в точке х = /' сохраняет значение UCH, которое было в начале насыщения. После отсечки канала ток стока практически перестает зависеть от потенциала стока. Эта область на выходных В АХ называется областью насыщения тока стока.

электрического слоя, покрывающего поверхность полупроводника.

Вторая разновидность, разработанная в 1963 г. [14], основана на использовании поля в диэлектрике, который отделяет поверхность полупроводника от металлического электрода. Такие транзисторы называют транзисторами с МОП-структурой (по начальным буквам компонентов структуры «металл — окисел —• полупроводник») или МДП-структурой (металл — диэлектрик —• полупроводник), а иногда транзисторами с изолированным за* твором.

В примесных полупроводниках наблюдается эффект поля, заключающийся в изменении характера проводимости в приповерхностном слое под действием электрического поля. Например, если собрать трехслойную структуру: металл М, изолятор И и полупроводник П и через изолятор // воздействовать на поверхность полупроводника П, имеющего в одинаковой степени п-и р-проводимость, электрическим полем от батареи Еа в указанной на 6, а полярности, то образуется обогащенный дырками приповерхностный р-слой с повышенной р-проводимостью. Изменив полярность ( 6, б), получим приповерхностный слой с преобладающей п-проводимостью.

Технология производства полупроводниковых интегральных микросхем преимущественно планарная и основана на поочередном легировании (обогащении) отдельных участков полупроводниковой пластинки донорными и акцепторными примесями через технологические отверстия — «окна». Легирование осуществляется через специально наносимую на поверхность полупроводника маску путем диффузии при высоких температурах из твердых, жидких или газообразных соединений, содержащих атомы примеси. При ионной имплантации ионы примеси ускоряются в специальных ускорителях до весьма больших скоростей, позволяющих им при попадании на поверхность полупроводника внедряться в него на заданную глубину.

Ток, протекающий через канал МОП-транзистора, оказывает существенное влияние на структуру канала. Если напряжение [/си = О, то, как видно из 3.1, а, поверхность полупроводника является эквипотенциальной и, следовательно, поле в диэлектрике однородно, а толщина образовавшегося канала одинакова

достигает 10'4—10асм 2, т.е. составляет величину порядка концентрации поверхностных атомов или ионов кристалла. При таком поверхностном состоянии полупроводниковой подложки формирование МДП-структур оказалось бы принципиально невозможным. Это нетрудно показать, если учесть, что максимальная плотность состояний, индуцируемая на поверхности полупроводника и определяемая напряженностью пробоя диэлектрика (106—107В/см), не превышает 10" — 102см~2. Следовательно, влияние индуцируемого заряда на модуляцию проводимости слоя полупроводника является пренебрежимо малым. Однако рассмотренный случай может иметь место лишь в условиях, близких к идеальным. В обычных условиях поверхность полупроводника покрыта толстым слоем оксидных соединений, а также слоями адсорбированных атомов и молекул. В результате искусственного окисления поверхности полупроводника или каких-либо других химических реакций можно получить диэлектрические слои с контролируемыми электрофизическими свойствами. Существенным является то, что поверхность, покрытая таким диэлектрическим слоем, имеет значительно меньшую плотность состояний, чем атомарно чистая поверхность. Этому можно дать сравнительно простое качественное объяснение, если учесть, что поверхностные состояния обусловлены обрывом валентных связей в кристаллической решетке, вследствие чего поверхностные атомы или ионы кристалла находятся в иных условиях по сравнению с атомами или ионами, расположенными в его глубине. При окислении или других поверхностных реакциях поверхностные атомы или ионы кристалла образуют химические связи с чужеродными атомами, например с атомами кислорода или азота. Вследствие этого для поверхностных атомов полупроводника и атомов, находящихся в глубине кристалла, различия становятся менее значительными. Этому способствует влияние ориентирующего поля полупроводникового кристалла, благодаря которому первые слои наращиваемого диэлектрика повторяют структуру полупроводника. В результате плотность поверхностных состояний на границе раздела полупроводник — диэлектрик уменьшается по сравнению с открытой поверхностью полупроводника.

Однако в действительности на плотность поверхностных состояний оказывает влияние ряд других факторов, характеризующих реальное состояние поверхности и несовершенство технологических операций. Важнейший из них связан с различием исходных состояний поверхностных атомов полупроводника, обусловленным тем, что реальную поверхность полупроводника нельзя отождествлять с идеальной кристаллографической плоскостью. Реальная поверхность всегда имеет определенный рельеф как в микроскопическом, так и в макроскопическом масштабе и, следовательно, различные ее участки ограничены разными кристаллографическими плоскостями. Поэтому на такой рельефной поверхности имеются внешние и внутренние углы, условия

Основная цель этой операции — защитить поверхность полупроводника в нужных местах от проникновения примесей на последующих стадиях легирования. Вместе с тем нанесенная пленка оксида стабилизирует электрические свойства поверхности раздела и защищает ее от воздействия внешних факторов в процессе эксплуатации прибора или микросхемы. Качество полученного маскирующего покрытия тщательно контролируют: измеряют его толщину, определяют однородность, наличие дефектных мест (проколов, кристаллических включений, инородных частиц).

негативным по отношению к профилю поверхности полупроводника, который следует воспроизвести в результате обработки. В место контакта инструмента с обрабатываемой пластиной непрерывно подают абразивную суспензию. При колебаниях инструмента в жидкости возникают кавитацион-ные*' явления, заключающиеся в образовании и исчезновении (схлопывании) кавитационных пузырьков. В момент схлопы-вания пузырька частички абразива на его стенках получают большую кинетическую энергию и, ударяясь о поверхность полупроводника, постепенно разрушают ее. Интенсивность кавитации выше на выступах инструмента, вследствие чего поверхность пластины под выступом разрушается с большей скоростью. При обработке на небольших глубинах (до 1 — 1,5 мм) профиль поверхности с достаточно высокой точностью воспроизводит профиль инструмента. На больших глубинах точность воспроизведения профиля снижается за счет увеличения роли боковой кавитации. Другими факторами, влияющими на точность УЗ-обработки, являются износ инструмента, размер зерен абразива, а также характеристики оборудования.

4. Нанесение на поверхность полупроводника стабилизирующих, защитных или контактных покрытий.