Поверхностью диэлектрика

Кроме того, вблизи середины запрещенной зоны появляется область разрешенных состояний. Плотность (количество) разрешенных состояний в запрещенной зоне значительно меньше, чем в валентной зоне и зоне проводимости. В связи с этим поведение электронов, находящихся в разрешенных состояниях в запрещенной зоне, существенно отличается от их поведения в разрешенных зонах. В частности, электрон, находящийся в разрешенном состоянии в запрещенной зоне, не может свободно перемещаться в пространстве (переходить на другие уровни) без изменения энергии, т. е. локализует-

Поведение электронов, как показали эксперименты, не подчиняется неоклассической теории. Согласно ей электронный перенос теплоты должен быть в десятки раз меньше ионного из-за того, что ширина электронных траекторий — спиралей гораздо меньше ионных. На практике же электронный перенос оказался больше ионного.

Рассмотрим сначала поведение электронов уединенного атома (атома вещества, находящегося в газообразном состоянии).

щие напряжения — до 10—40 кв) величина первеанса находится в пределах (10-6-т-10-5) а/в3/2, т. е. пучок обладает пространственным зарядом значительной плотности. Такой пучок при движении в среде с остаточным давлением 1-10~"4— 5-10~5 мм рт. ст. производит сильную ионизацию и возбуждение молекул остаточного газа. Происходящие при этом процессы рекомбинации и высвечивания частиц •создают видимое излучение, и путь пучка становится видимым. В этих условиях поведение электронов пучка определяется некоторым усредненным полем соседних электродов и ионов, образовавшихся при его движении в остаточной среде камеры печи.

Рассмотрим теперь более подробно поведение электронов в валентной зоне, в которой возникли свободные уровни вследствие перехода части электронов в зону проводимости ( 5.6, б). Под действием поля электроны валентной зоны теперь имеют воз-

При рассмотрении влияния дополнительных факторов (наличие болтающихся и других слабых связей; легирование водородом и другими пассивирующими примесями; легирование донорными или акцепторными примесями) были использованы квантовые модели [13-14]. В связи с проблемой водородных состояний в a-Si: Н особенный интерес представляют электронные свойства a-Si, а именно хвосты плотности состояний и поведение электронов в хвостах. В зтих теориях используется модель модифицированного беспорядка размещения и предположение о конечности возмущения (обусловленного связью Si-H) в электронном потенциале матрицы чистого Si. Как следствие зтого, связи Si-H вносят локальные флуктуации, определяющие размытие кривых плотности состояний вблизи краев энергетических зон. Кроме того, эти связи Si-H служат барьерами для электронов проводимости и дырок и стремятся локализовать их.

При рассмотрении влияния дополнительных факторов (наличие болтающихся и других слабых связей; легирование водородом и другими пассивирующими примесями; легирование донорными или акцепторными примесями) были использованы квантовые модели [13-14]. В связи с проблемой водородных состояний в a-Si: Н особенный интерес представляют электронные свойства a-Si, а именно хвосты плотности состояний и поведение электронов в хвостах. В зтих теориях используется модель модифицированного беспорядка размещения и предположение о конечности возмущения (обусловленного связью Si-H) в электронном потенциале матрицы чистого Si. Как следствие зтого, связи Si-H вносят локальные флуктуации, определяющие размытие кривых плотности состояний вблизи краев энергетических зон. Кроме того, зти связи Si-H служат барьерами для электронов проводимости и дырок и стремятся локализовать их.

Запрещенные и разрешенные зоны. Рассмотрим поведение электронов в монокристаллическом полупроводнике. Как известно, в вакууме электроны ведут себя сравнительно просто. Под действием электрического поля они ускоряются, перемещаясь в направлении положительного потенциала. При малой концентрации электронного газа и коротком расстоянии между электродами будем считать, что электроны перемещаются без соударений. Тогда за траекторией их перемещения можно проследить на примере одного электрона, как механической частицы.

Между электронами действуют силы взаимного электростатического отталкивания, поэтому трудно понять, каким образом могут образовываться связанные электронные пары. Однако поведение электронов в металле в значительной мере отличается от их поведения в вакууме. В металле электроны движутся в среде положительных ионов. Электроны вращаются вокруг положительных ионов металла, притягиваясь к ним, поэтому можно считать, что в среде возникает состояние с несколько повышенной по сравнению со средним значением плотностью положительного заряда. Сближение отдельных электронов, которые притягиваются указанным положительным зарядом, эквивалентно образованию электронных пар. Поскольку силы образования электронных пар невелики, конденсация электронных пар имеет место только при низкой температуре, когда возмущения, связанные с тепловыми колебаниями решетки, малы.

Итак, поведение электронов сверхпроводимости характеризуется большей упорядоченностью. При этом состояние всей системы электронов описывается макроскопической волновой функцией Чг(г, t). Волновая функция всей системы электронов в состоянии сверхпроводимости выражается, по-видимому, суммой волновых функций отдельных электронов. Если волновые функции отдельных электронов выражаются плоскими волнами, функцию Чг(г, t) можно записать следующим образом:

Скорость процесса в свежеприготовленном растворе составляет 40 мкм/мин, но по мере накопления в нем ионов меди постепенно снижается и при 100 г/л составляет 5... 6 мкм/мин. Повышение температуры и рН травителя относительно оптимальных значений (табл. 9.12) приводит к образованию илистого осадка (смесь фильтрующейся меди и оксида железа), который адсорбируется поверхностью диэлектрика, с трудом удаляется при промывке и

Дело в том, что адсорбированная поверхностью диэлектрика влага содержит свободные ионы обоих знаков, которые в электрическом поле смещаются,

Если площадка dS совпадает с внешней поверхностью диэлектрика, то заряды полюсов диполей, прилегающих к dS, образуют на внешней поверхности диэлектрика плотность связанных зарядов а' = Рп.

По теории механического зацепления, объясняющей ы знькновенне прочной связи между металлом и диэлектриком, иа поверхности, подготовленной к иакссению покрытия, содержится большое количество микроуглублений (у лляотиков ABC — до 50 млн. на I см2). В эти углубления проникает осаждаемый "химгчс-ским способом металл и при заполнении их образует механическое гацеп-лгпие типа «ласточкина хасгта,>. Чем больше эти-х зацеолений, т4м больше прочность сцепления между поверхностью диэлектрика и «формированным на нем металлическим покрытием зта теория хороню объясняет обра-давание прочной связи с пластмассами етерогениого строения, с поверхности

По теории механического зацепления, объясняющей возникновение прочной связи между Mtталлом и диэлектриком, иа поверхности, подготовленной к иакссению покрытия, содержится большое колч-еттво микроуглублений (у лляотиков ABC — до 50 млн. на 1 см2). В эти углубления проникает осаждаемый "химгчс-ским способом металл и при заполнении их образует механическое гацеп-лггше типа «ласточкина хасгта,>. Чем больше эти-х зацеолений, т4м больше прочность сцепления между поверхностью диэлектрика и «формирован-лым на нем металлическим покрытием зта теория хорошо объясняет обра-давание прочной связи с пластмассами етерогениого строения, с поверхности

Вначале создают шероховатость на поверхности диэлектрической платы. Для этого можно использовать следующие виды обработки: пескоструйную, с помощью зернения и обработку ультразвуковыми колебаниями в водной суспензии абразива. Создание шероховатости необходимо для увеличения силы сцепления металла покрытия с поверхностью диэлектрика, способы химической и электрохимической металлизации которого не отличаются от используемых при производстве низкочастотных схем.

Шероховатость поверхности диэлектрика влияет не только на величину активных потерь. Она определяет минимально достижимую ширину полоскового проводника, зазор между проводниками, регулярность границы и силу сцепления проводника с поверхностью диэлектрика. Качество изображения полосковых проводников при нанесении фотослоя на металлизированную и неметаллизированную поверхности диэлектрика определяется также их шероховатостью.

Сила сцеп пения металла покрытия с поверхностью диэлектрика определяется эффективной поверхностью металлизируемого диэлектрика, т. е. микрогеометрией его поверхности. В табл. 5.5 приведены значения силы сцепления для различной микрогеометрии поверхности диэлектриков на основе полистирола.

Расчет осуществляют, предполагая, что расстояние между поверхностью шара, с одной стороны, и зеркалом жидкости или заряженной поверхностью диэлектрика (сыпучего материала), с другой,

При разряде в нейтрализаторе ионизация молекул воздуха происходит за счет ударной ионизации. Заряды на поверхности диэлектрика притягивают ионы противоположного знака, и этим снижается исходная поверхностная плотность зарядов. Движение ионов прекращается, если поле над поверхностью диэлектрика станет равным нулю.

При работе активных нейтрализаторов возможен пробой между коронирующим электродом и поверхностью диэлектрика или металлическим листом. Разряд при пробое (искра или дуга) увеличивает опасность воспламенения. При питании нейтрализатора постоянным напряжением энергию разряда ограничивают при помощи резистора, включенного последовательно с коронирующим электродом ( 41,а). При питании нейтрализатора переменным напряжением для этой цели можно использовать конденсатор ( 41,6). При малой емкости конденсатора разряд не произойдет даже при коротком замыкании.