Повышенную концентрацию

Наибольшее распространение обращенные диоды получили в детекторных и смесительных схемах. Это объясняется более низким (на 20...30 дБ) уровнем шума по сравнению с точечными диодами, который обеспечивается благодаря работе обращенных диодов вблизи нулевого значения прямого тока (при нулевом смещении). Обращенные диоды имеют дополнительные преимущества: повышенную чувствительность по току и уменьшенный температурный коэффициент.

Из этого выражения видно, что абсолютная ошибка дифференцирующего усилителя растет с повышением частоты входного сигнала, т. е. схема имеет повышенную чувствительность к высокочастотным составляющим напряжения на входе усилителя. Это существенный недостаток, ограничивающий использование дифференцирующих блоков при решении уравнений. При составлении структурных схем моделей всегда следует избегать операций дифференцирования, а если это невозможно, необходимо применять специальные блоки, в которых предусмотрены элементы сглаживания составляющих входного напряжения высокой частоты.

Электронные измерительные приборы занимают особое место среди магнитоэлектрических приборов с преобразователями переменного тока в постоянный. В ряде случаев электронные приборы оказываются незаменимыми, и их применение значительно расширяет возможности электроизмерительной техники. К числу основных достоинств электронных приборов нужно отнести их повышенную чувствительность по сравнению с другими электромеханическими приборами переменного тока. Указанное свойство достигается за счет использования усилительных свойств электронных ламп и транзисторов. Приборы могут работать в широком диапазоне частот — от постоянного тока до частот 103 МГц. Практическое отсутствие потребления мощности от исследуемого источника позволяет использовать их для измерений в маломощных цепях.

аддитивную погрешность, меньшую нелинейность функции преобразования и повышенную чувствительность по сравнению с аналогичными нёдифференциальными ИП.

Триггер, использующий ключевые каскады с нелинейной отрицательной обратной связью ( 5.34). Благодаря использованию ключевых каскадов с ненасыщающимися во включенном состоянии транзисторами (см. §3.2) в составе временных интервалов, определяющих время задержки срабатывания триггера при переключении, отсутствует время рассасывания tf. Вследствие этого время задержки срабатывания триггера и общее время его переключения уменьшаются, т. е. триггер имеет большее быстродействие. Поскольку энергия запускающего импульса на рассасывание избыточного заряда неосновных носителей в базе включенного, транзистора не расходуется, такой триггер имеет повышенную чувствительность к запускающим импульсам по сравнению со схемой 5.15.

В качестве примера можно указать на микровольтнаноамперметр постоянного тока типа Ф116, который может применяться для записи измеряемых величин в комплекте с самопишущим компенсатором на 10 мВ. Модификация Ф116/1 имеет повышенную чувствительность к напряжению, а Ф116/2— к току. Пределы измерений Ф116/1: по напряжению 1,5 — 750мкВ и по току 0,15 — 75 мкА; пределы измерений Ф116/2:-по. напряжению 0,15 — 75 мВ и по току 0,015 — 7,5 мкА Основная погрешность их составляет 1,5—4%.

Указанные стали для первых реакторов с относительно невысокими давлениями (до 10 МПа) и температурами (до 220° С) теплоносителя позволяли получать корпуса с толщинами 100—150 мм. Однако, как показали исследования, эти стали имели повышенную чувствительность к радиационному облучению; пределы текучести после интегральных потоков до

Таким образом, по сравнению с защитами, включенными на полные фазные токи, защита нулевой последовательности может иметь меньшие выдержки времени и повышенную чувствительность. В связи с этим она находит широкое применение в сетях с глухо-заземленными нейтралями в качестве защиты от коротких замыканий на землю.

КА1 — К,АЗ соединены по схеме полной звезды. Комбинированный пусковой орган напряжения состоит из минимального реле напряжения K.V, включенного на междуфазное напряжение, и максимального реле напряжения KVZ, которое присоединяется к фильтру напряжения обратной последовательности. Благодаря реле KVZ схема имеет повышенную чувствительность, не зависящую от группы соедине-

Если распределительная сеть имеет напряжение 10 кВ, то для использования электродвигателей на 6 или 3 кВ их объединяют в блоки с трансформаторами, имеющими схему соединения обмоток Л/А. На блоках трансформатор — двигатель в качестве защит, общих для обоих элементов блока, могут использоваться токовая и дифференциальные отсечки, а также токовая дифференциальная защита. Они выполняются с учетом тех же требований, какие предъявляются к ним при раздельной защите трансформатора и электродвигателя. Защиты блоков должны иметь повышенную чувствительность, так как токи к.з. в электродвигателе ограничиваются сопротивлением трансформатора. Защита от замыканий на землю не устанавливается, так как ток замыкания на землю невелик.

Головки 4ГД-8Е и 6ГД-3, имеющие повышенную чувствительность и высокую механическую прочность, предназначены для автомобильных радиоприемников.

Транзисторы. Транзисторы, работающие при низких уровнях сигналов, могут иметь повышенную чувствительность к помехам. Шум, характерный для полупроводниковых материалов, может накладывать ограничения на минимальные значения детектируемых и усиливаемых сигналов.

В результате при приплавлении металла .с введенной примесью к полупроводнику образуется тонкий слой .полупроводника, значительно обогащенный соответствующей примесью. Эагот слой, имеющий повышенную концентрацию примесей, ослабляет инжекцию неосновных носителей. Полученный сплав представляет собой контакт двух полупроводников одного типа, но с различной концентрацией примесей. Физические свойства таких контактов рассмотрены «§3.5.

При лавинно-стримерном механизме на развитие пробоя существенно влияет совместное действие поля пространственного заряда лавины и фотоионизация в объеме газа. Благодаря этим вторичным процессам электронная лавина создает повышенную концентрацию носителей заряда, которая достаточна для непосредственного преобразования ее в стример - канал с повышенной проводимостью газа. Стример иредставляет собой скопление ионизированных частиц, сильно превосходящее лавину по степени ионизации. После распространения стримеров (отрицательного и положительного) на весь межэлектродный промежуток происходит пробой газа. Рассмотрим этот процесс подробнее.

При необходимости покрыть графитовое изделие снаружи слоем пироуглерода его обрабатывают в атмосфере родер-жащей повышенную концентрацию углеводород ,. ече-ние 2—4 ч. Это позволяет создать на поверхности гра >ита плотную пленку пироуглерода серебристо-черного ц.;ета толщиной до 100 мкм. Длительная, в течение нескольким "е-сятков часов, обработка изделия в атмосфере с

В классе полевых транзисторов различают транзисторы со структурой металл—диэлектрик—полупроводник (МДП-транзисторы) и транзисторы с управляющим р-n переходом. В МДП-транзисторах1 управляющая цепь затвор 3—исток И отделена от канала диэлектриком. Обычно в качестве диэлектрика используют оксид (диоксид кремния 5Ю2) и говорят о МОП-транзисторах (со структурой металл — оксид— полупроводник). Проводящий канал в МДЙ-транзи-сторах (показан штриховкой на 4.2) расположен между стоком С и истоком И и имеет повышенную концентрацию носителей заряда по отношению к исходному полупро-

Переходы между областями с различной концентрацией примесей одного типа называют электронно-электронными (п+-п) или дырочно-дырочными (р+-р). Индекс «+» означает повышенную концентрацию примесей по сравнению с областями п- и р-типа.

Для того чтобы после прекращения прямого тока тиристор повторно мог выдерживать прямое напряжение, оставаясь в закрытом состоянии до включения отпирающего тока в цепи управляющего электрода, должно пройти некоторое время, которое называют временем выключения. Непосредственно после прекращения прямого тока базы тиристора имеют повышенную концентрацию неосновных носителей. В течение времени выключения концентрации неосновных носителей в базах уменьшаются за счет ухода носителей во внешнюю цепь под воздействием обратного напряжения и рекомбинации в самих базах. Время выключения заканчивается, когда концентрации избыточных неосновных носителей становятся настолько малыми, что тиристор не может включиться при повторной подаче прямого напряжения до тех пор, пока не будет включен отпирающий ток в цепи управляющего электрода. Для питания цепи управляющего электрода тиристора обычно используется источник импульсного тока.

диффузии в объеме сделаны две области с повышенной концентрацией положительных носителей—-дырой. Это области истока И и стока С с проводимостью р+. Знак « + » означает повышенную концентрацию носителей. Чем запас носителей больше, тем больше может быть плотность тока в канале и тем значительнее крутизна полевого транзистора. На поверхности п-лодложки (это левая вертикальная плоскость ва 2 1, а) создают специальным окислением поверхности кремния высококачественный слой кварцевого стекла SiO2. Толщина этого слоя около 1 мкм. Поверх слоя SiOj напыляется металл—алюминий. Если транзистор VT1 в схему не включен, его исток не связан со стоком электрически, так как между этими областями р+ находится n-кремний подложки.

По сравнению с первичным поликристаллическим кремнием обороты содержат повышенную концентрацию разных примесей, в связи с 4ev их сортируют по типу и концентрации легирующего элемента (бора фосфора, сурьмы и т.д.).

Для подачи абразивной жидкости из смесителя в рабочую камеру применяют насосы типа С-854 и С-855. Трущиеся части этих насосов изолированы от соприкосновения с абразивной с е и. Это обеспечивает их высокую надежность и позволяет применять повышенную концентрацию абразива в рабочеи жидкое и, тем самым созда ая условия для высокой производит ьностн установки.

Для подачи абразивной жидкости из смесителя в рабочую камеру применяют насосы типа С-854 и С-855. Трущиеся части этих насосов изолированы от соприкосновения с абразивной с е и. Это обеспечивает их высокую надежность и позволяет применять повышенную концентрацию абразива в рабочеи жидкое и, тем самым созда ая условия для высокой производит ьностн установки.

Активными элементами нейристорной линии могут быть диоды, тиристоры, однопереходные транзисторы, туннельные диоды, аморфные ключи и др. [61]. В базовой области полупроводникового прибора с отрицательным дифференциальным сопротивлением 5-типа во включенном состоянии создается электронно-дырочная плазма, которая распространяется за пределы области, ограниченной электродами данного прибора, и создает повышенную концентрацию неравновесных носителей в прилегающих участках полупроводника. Механизмы связи между исходными элементами могут быть различ-

В базовой области полупроводникового прибора с отрицательным сопротивлением S-типа во включенном состоянии создается электронно-дырочная плазма, которая естественно распространяется и за пределы области между электродами данного прибора и создает повышенную концентрацию неравновесных носителей :в прилегающих участках полупроводника. Если другой прибор такого же типа разместить в этой области, то его свойства будут зависеть от плотности электронно-дырочной плазмы, создаваемой током в первом приборе. Таким образом, достаточно близко расположенные приборы оказываются взаимосвязанными: напряжение срыва и другие параметры вольт-амперной характеристики одного прибора определяются величиной тока, протекающего через другой. Такая связь реализуется не только между приборами с отрицательным сопротивлением, но и между любыми другими, включенными в пропускном