Повышению стабильности

За последние годы в работах, ведущихся под руководством проф. К- 3. Шепеляковского вначале на Автомобильном заводе им. Лихачева, а в дальнейшем в отраслевой лаборатории Московского металлургического института, были исследованы режимы закалки, при которых изделие прогревается до надкритической температуры на глубину, превышающую глубину прокаливаемости стали. Эти работы освещены в литературе, и их результаты докладывались на ряде конференций. Идея метода состоит в том, что помимо закалки одновременно достигается и упрочнение части сердцевины; это, в свою очередь, приводит к общему повышению прочности изделия. Проведенные исследования свидетельствуют о большой перспективности такого режима закалки. Многое сделано и по исследованию целесообразных термических кривых, обусловливающих требуемую зависимость от времени мощности, передаваемой в нагреваемое изделие. Необходимо подчеркнуть, что для рассматриваемого режима закалки характерно уменьшение мощности к концу нагрева. Однако неполное использование источника т. в. ч. компенсируется отказом от предварительного улучшения.

Второй период (1933—1945 гг.) характеризуется созданием скоростных самолетов различного назначения. Если на протяжении предшествующего периода улучшение летно-технических характеристик самолетов достигалось главным образом соответствующим наращиванием мощности невысотных поршневых авиационных двигателей, то в этот период наряду с дальнейшим увеличением мощности двигателей существенное значение приобрели совершенствование аэродинамических качеств самолетов, переход к высотным двигателям, снабженным центробежными и турбокомпрессор-ными нагнетателями, и применение новых конструкционных материалов, во многом способствовавших уменьшению веса и повышению прочности

Исследовали влияние содержания ванадия на механические и специальные свойства стали 110Г13Л. Исследованиями установлено, что легирование 0,3—0,9% ванадия стали 110Г13Л приводило к повышению прочности на растяжение с 545 до 700 МПа, относительного удлинения — с 18,6 до 20,9%, сужения — с 17,4 до 19,6%, ударной вязкости — с 220 до 420 кДж/м2, твердость повышалась с 1700 до 1890 МПа. Максимальные механические характеристики соответствуют образцам с содержанием ванадия 0,64%. Карбидов в этих образцах больше, аустенитное зерно мельче.

Таким образом, дефекты решетки оказывают на сопротивление кристалла деформации двоякое влияние. Способствуя образованию дислокаций, они ослабляют кристалл. С другой стороны, они упрочняют его, так как препятствуют свободному перемещению дислокаций. Это позволяет представить влияние количества дефектов на прочность кристалла U-образной кривой, показанной на 1.40. Некоторой плотности дислокаций р0 соответствует минимальное сопротивление кристалла деформации. Уменьшение р по сравнению с РО приводит к повышению прочности, так как приближает структуру к идеальной. Увеличение числа дефектов по сравнению с р0

В работе [23а] исследовано влияние содержания легирующих элементов на жаропрочные свойства сплавов системы Mo—TiC (сплав (1:1,76% Ti —0,42%С; сплав 11:4,2% Ti — 0,95%C). Увеличение содержания легирующих элементов, сопровождающееся ростом количества упрочняющей фазы, приводит к повышению прочности сплавов. Так, значение предела прочности и текучести сплава II на 15—20% выше, чем сплава I, при температуре до 1000°С. Относительное сужение, характеризующее наибольшую пластичность металла при разрыве, напротив, выше у сплава I ( 3.18). Повышение температуры испытания приводит, во-первых, к снижению прочностных и росту пластических характеристик сплавов и, во-вторых, к нивелировке различия прочности сплавов с разным содержанием легирующих элементов — при температуре испытания 1400°С пределы прочности и текучести обоих сплавов практически одинаковы. Это, по-видимому, связано с термической нестабильностью сплавов в деформированном состоянии. Для проверки этого предположения были проведены испытания механических свойств сплавов в термически более стабильном литом состоянии с дополнительной

порошка BN и условий горячего прессования. Примеси в горячепрессованном BN снижают его рабочие свойства. Применение активных к спеканию порошков BN способствуют повышению прочности и плотности изделия. Активные тонкодисперсные порошки чистого BN могут быть получены при термохимической очистке предварительно синтезированного BN в аммиаке при 1300°С. Содержание В2Оз в таком порошке после очистки не превышает 1 %. Горячепрессованные изделия из сс-В проявляют анизотропию свойств относительно направления .прессования. Абсолютные значения некоторых свойств могут различаться в несколько раз (табл. 49).

Детонационное нанесение покрытий заключается в том, что материал покрытия выбрасывается взрывной волной со сверхзвуковой скоростью. Кинетическая энергия частиц при этих скоростях (750—1600 м/с) на два' порядка выше, чем в случае газопламенного и плазменного нанесения покрытий. В результате этого напорное давление сильно возрастает, в момент удара происходит' пластическая деформация, что и приводит к повышению прочности сцепления. Аппаратурно-детонационное нанесение покрытий производится через цилиндрический ствол, в котором в его рабочей камере находится смесь ацетилена с кислородом в оптимальном взрывном составе. Смесь поджигают свечой зажигания, и взрывная волна, уносящая материал покрытия, направляется йа' изделие. Температура при этом способе практически совпадает с температурой пламенного напыления. Отличие состоит в более высокой скорости движения частиц и соответственно большем напорном давлении в момент соприкосновения с подложкой.

Для обеспечения достаточной прочности связи при сварке и пайке не обязательно взаимное «перемешивание» атомов за счет диффузии. Если диффузия в некоторых случаях и может привести к повышению прочности соединения, то это происходит не за счет какого-либо «перемешивания» атомов, а в результате простого увеличения площади контакта между двумя сплавами.

При рассмотрении физических свойств оловянно-свинцовых припоев нужно иметь в виду, что приводимые ниже данные относятся к собственно припою, а не к припою в соединении. Как уже было отмечено, дисперсионное твердение приводит к повышению прочности паяного соединения, а не к его ослаблению, если в припое не образуются нежелательные интерметаллические соединения, которые сообщают металлу хрупкость и уменьшают его прочность. В последующих разделах рассмотрим различные физические свойства припоя как такового и постараемся учесть изменения этих свойств в зависимости от состава используемого припоя.

Расширяющиеся припои используются при пайке не только обычных печатных плат, но и конструкционных соединений, в которых дополнительное давление на детали, например на проволоку, пропущенную через отверстие, способствует повышению прочности спая.

Кроме того, нестабильность выходного напряжения генератора зависит не только от колебания питающие напряжений, но также от изменения параметров элементов цепей генератора, вызываемого различными другими причинами (например, изменение температуры, старение и т. д.). Особенно чувствительны к изменениям окружающей температуры транзисторные генераторы. Поэтому повышение стабилизации анодного (коллекторного) напряжения задающего генератора лучше + (0,2-нО,5) % и напряжения цепей анода и накала остальных каскадов лучше + (1-.-2) % практически уже не приводит к дальнейшему повышению стабильности выходного напряжения генератора.

способствует заметному повышению стабильности частоты генерации и длительности импульсов, так как в мостовой схеме указанные параметры зависят не от абсолютного значения амплитуды сигналов в диагонали моста, а от их отношения (см. выражения для Д{„1 и AtIE2)-

Как следует из (3.20), увеличение R3 и уменьшение /?б способствует повышению стабильности тока коллектора и уменьшению коэффициента нестабильности Si, который стремится к единице. Вместе с тем увеличение R3 и уменьшение Re приводят к снижению экономичности питания каскада, а также его входного сопротивления. Поэтому на практике ограничиваются значениями S,-= = 2. ..4 и в редких случаях 5,= 1,5.. .2.

В эмиттерном повторителе с динамической нагрузкой (см. рис, 4.42), где также имеются два входа и транзисторы включены последовательно по отношению к источнику питания, что способствует повышению стабильности их режима питания, подача усиливаемого сигнала на вход / неравноценна, как в предыдущем случае, подаче усиливаемого сигнала на вход 2. Это объясняется тем, что при подаче сигнала на вход / УЭ становится транзистор VT1, а его динамической нагрузкой в цепи эмиттера является достаточно большое выходное сопротивление транзистора VT2. Транзистор VT2 совместно с резисторами R3 и #4 по отношению к транзистору VT1 является токоотводом и стабилизирует его режим питания. Коэффициент усиления напряжения в этом случае близок к единице.

Смещение, подаваемое ни сетку лампы с помощью катодного резистора, называется автоматическим. Напряжение смещения в схеме 6.3, в меняется с изменением анодного тока лампы, что приводит к уменьшению эквивалентной крутизны характеристики лампы, но повышению стабильности режима лампы в схеме. Действительно, если по каким-либо причинам ток лампы возрастет, то отрицательное смещение на ее сетке увеличится, что приведет к восстановлению величины этого тока почти до прежнего значения. Наоборот, всякое случайное уменьшение тока лампы вызовет такое изменение смещения, i а сетке:, которое будет направлено на увеличение этого тока.

Схема на 18.8, 6 называется схемой параллельного питания. Здесь источник питания, диод и контур включены между собой параллельно (дио'д и источник питания — по постоянному току, контур и диод — по переменному). Для устранения самовозбуждения в контуре C2L№ последовательно с дросселем включается резистор R, сопротивление которого выбирается из условия R < —Кп\- При параллельном питании постоянный ток источника не поступает в контур, что предотвращает бесполезный нагрев катушки контура и способствует повышению стабильности генерируемой частоты.

Задача решается путем формирования указанных последовательностей из единого гармонического колебания с частотой 1/Т, получаемого от опорного генератора. В связи с тем, что Т является основным параметром цифрового фильтра, особое внимание уделяется повышению стабильности частоты опорного генератора.

Использование пьезоэлемента в схеме генератора в качестве частотно-избирательной цепочки приводит к значительному повышению стабильности частоты колебаний. На рис, 9.15 изображена одна из возможных схем генератора с пьезоэлектрическим фильтром /Се, использующая полевой триод, и эквивалентная схема такого генератора, которая может рассматриваться как схема усилителя с индуктивной нагрузкой и емкостной обратной связью через конденсатор Ссв. Напряжение на стоке в рассматриваемой схеме будет сдвинуто по фазе относительно тока на я (или на величину, близкую к л) за счет индуктивного характера нагрузки. Если емкость конденсатора Ссв мала (но достаточна для выполнения условия генерации по амплитуде), то напряжение обратной связи будет

из которых 'Следует, что добавление коллекторной стабилизации к змиттерной эквивалентно уменьшению i/?& и увеличению RE', как было показано, и то и другое способствует повышению стабильности (режима. Изменение коллекторного тока и здесь определяется по ф-ле (4.211), в которой J?& и КЕ заменяются на RM я REO-

снижается на 201& от егю начального значения (в a-Si: Н), а при включении светового импульса темновая проводимость оказывается на 10 7< меньше значения, предшествующего импульсу. Для восстановления исходных свойств пленок необходимо нагреть их в вакууме до температуры выше 200 °С. Аналогичные явления, хотя и в меньшей степени, наблюдаются в пленках a-Si0,8Ge0)2 : Н. Степень стимулированной облучением деградации в пленках, содержащих 40 % (ат.) Ge (x = 0,4), становится существенно ниже. Однако дальнейшее повышение содержания в пленках Ge к существенному повышению стабильности свойств пленок уже не приводит. Так при увеличении концентрации Ge от 40 до 50 % (ат.) никаких улучшений не наблюдается.

снижается на 20 ~% от егю начального значения (в a-Si: Н), а при включении светового импульса темновая проводимость оказывается на 10 7< меньше значения, предшествующего импульсу. Для восстановления исходных свойств пленок необходимо нагреть их в вакууме до температуры выше 200 °С. Аналогичные явления, хотя и в меньшей степени, наблюдаются в пленках a-Si0,8Ge0)2 : Н. Степень стимулированной облучением деградации в пленках, содержащих 40 % (ат.) Ge (x = 0,4), становится существенно ниже. Однако дальнейшее повышение содержания в пленках Ge к существенному повышению стабильности свойств пленок уже не приводит. Так при увеличении концентрации Ge от 40 до 50 % (ат.) никаких улучшений не наблюдается.