Повышении плотности

В сильнолегированных слоях полупроводника с узким переходом возможен полевой пробой вследствие волнового перемещения электронов при повышении напряженности электрического поля до 10^—10^ В/м. Такие уровни напряженности достигаются в низкоомных слоях при обратных напряжениях до 5—6В.

Рост интенсивности начальных ЧР при повышении напряженности в изоляции

Нелинейные резисторы вентильных разрядников. Основу нелинейного резистора разрядника составляет порошок электротехнического карборунда SiC. На поверхности зерен карборунда имеется запорный слой толщиной порядка 100 мкм из окиси кремния Si02. Удельное сопротивление собственно зерен карборунда невелико — около 10~2 Ом-м. Сопротивление запорного слоя нелинейно зависит от напряженности электрического поля. При малых напряженностях поля (при небольших напряжениях на резисторе) удельное сопротивление запорного слоя составляет, 104—106 Ом-м, все напряжение ложится на запорный слой, и он определяет значение сопротивления нелинейного резистора. При повышении напряженности поля сопротивление запорного слоя резко падает, и значение сопротивления нелинейного резистора начинает определяться собственно карборундом.

Зависимость скорости движения дуги в продольных щелях от напряженности магнитного поля может быть охарактеризована кривыми на 6-10. В широких щелях (5 = 16 мм) скорость дуги растет с ростом напряженности магнитного поля подобно тому, как это происходит в открытой дуге (штриховая кривая). В узких щелях (6 < 4 мм) дуга при малых напряженностях магнитного поля горит неподвижно. При повышении напряженности магнитного поля скорость дуги резко, почти скачком, возрастает и значительно превосходит скорость открытой дуги и дуги в широких щелях. Минимальную напряженность магнитного поля, необходимую для обеспечения движения дуги при данном токе и ширине щели, назовем критической напряженностью Якр. Критическая напряженность магнитного поля растет с увеличением тока и уменьшением ширины щели.

магнитного поля горит неподвижно. При повышении напряженности магнитного поля скорость дуги резко, почти скачком возрастает и значительно превосходит скорость открытой дуги и дуги в широких щелях. Минимальное значение напряженности магнитного поля, необходимое для обеспечения движения дуги при данном токе и ширине щели, назовем критической напряженностью //кр. Критическая напряженность магнитного поля растет с ростом тока и уменьшением ширины щели.

В твердых однородных'диэлектриках по резкому возрастанию tg б 'при повышении напряженности поля судят о наличии газовых включений. Кривая ионизации газа ( 1.9) таким образом состоит из трех частей: 1) при напряжении от 0 до 0,006 в — пропорциональная зависимость тока от напряжения; 2) при напряжении от 0,006 в до напряжения начальной точки ионизации — независимость от напряжения; 3) при напряжении

При небольших напряженностях, сопротивление не зависит от напряжения. При более высоких напряженностях, сопротивление пр-степенно уменьшается по мере повышения напряжения. При даль- -нейшем повышении напряженности плотность тока увеличивается, а сопротивление резко падает в экспоненциальной зависимости. При пробое ток растет при уменьшении напряжения.

При повышении напряженности электрического поля в твердом диэлектрике, так же как в жидком и газообразном возникают ионизационные процессы, связанные с увеличением сквозного тока, высоковольтной поляризацией, ударной ионизацией, диэлектрическими потерями, нагревом диэлектрика. В сильных.полях нарушается закон Ома: плотность тока растет по экспоненциальному закону в функции напряженности поля; напряжение начинает падать, а ток резко возрастает, стремясь к бесконечности — наступает пробой диэлектрика. В случае большой мощности ток расплавляет материал диэлектрика, прожигает

мость керамики изменяется также с напряженностью поля в связи с наличием в составе керамики сегнетоэлектриков. Изменения диэлектрической проницаемости е при повышении напряженности перемен-. ного поля характеризуют коэффициентом нелинейности РЕ = AsE/e0, где АеЕ — наибольшее изменение диэлектрической проницаемости относительно значения е„ при слабом поле, наблюдаемое в интервале значений Е = 0,1 -т- 5 кв/см при нормальной температуре. К общим свойствам керамики относятся также проводимость, характеризуемая значением у ?=: 10"10 Ном-см, электрическая прочность Епр = (30 -т--т- 50) кв/см, сг„зг = 500 кГ/см*. В целях получения высокой диэлектрической проницаемости для этих материалов используют различные поликристаллические сегнетоэлектрики. Наибольшее значение диэлектрической проницаемости наблюдается при температуре 6, в точке основного фазового перехода (точке Кюри). Дальнейшее повышение температуры (Т > 0 )• сопровождается снижением е. Чем выше значение е, тем более резко проявляется зависимость к от температуры и от напряженности электрического поля ( 10.4). Конденсаторная низкочастотная керамика подразделяется на классы (IV—V) и группы (а — е) по величине диэлектрической проницаемости.

При нормальных атмосферных условиях (давлении 760 мм рт. ст. и температуре ^ = 20° С) и при напряженности электрического поля 30000 в/см, при которой происходит пробой воздуха, коэффициент ионизации равен а=11-Я2. При повышении напряженности поля, как это следует из (1—5), коэффициент а возрастает.

Внимание! Коэффициент потерь на гистерезис остается постоянным лишь при слабых полях. При повышении напряженности поля он уменьшается и в полях порядка 1500—2000 А/м снижается до 0,1 своего начального значения. Такая зависимость объясняется тем, что в слабых полях площадь петли гистерезиса альсифера растет пропорционально Я3,ав сильных — медленнее.

Аппаратура третьего поколения выполняется на ИС первой и второй степени интеграции, являющихся функциональными модулями, из которых можно скомпоновать более сложные узлы. Конструктивно такие узлы представляют собой двустороннюю или многослойную печатную плату с установленными на ней ИС ( В. 10). Подобные конструкции имеют высокую плотность компоновки, их функциональная сложность соответствует сложности блока первых поколений. Применение кор-пусированных ИС позволило повысить надежность, степень унификации, взаимозаменяемость, уменьшить габариты, массу, иногда стоимость устройства по сравнению с РЭС второго поколения. Однако использование корпусированных ИС приводит к значительной потере объема При компоновке аппаратуры с использованием ИС первой и второй степени интеграции основной является проблема выполнения электрических связей между элементами. Ограничивающими факторами при повышении плотности компоновки плат являются шаг выводов ИС (2,5 мм) и минимальная ширина проводников и зазоров (0,15 мм).

Кроме того, при увеличении плотности газа увеличение поглощения фотонов в газе приводит к возрастанию роли фотоионизации в процессе воспроизводства электронных лавин. Практически при указанных выше значениях (б/)кр фотоэффект с катода уже не играет роли в воспроизводстве электронных лавин. При дальнейшем повышении плотности газа активная длина промежутка, участвующая в воспроизводстве лавин в начальной стадии формирования разряда, составляет все меньшую часть от действительной длины промежутка. При этом возрастает роль микронеоднородностей на поверхности анода, искажающих электрическое поле вблизи него и приводящих к уменьшению экс-

На состав КЭП большое влияние оказывает концентрация частиц и ионный состав электролитов Однозначного влияния рН электролитов на состав КЭП не обнаружено Существенно влияю! на состав КЭП температура, плотность и форма тска В большинстве случаев при повышении плотности токе наблюдается активный захват частиц растущий покрытием. При повышении температуры включение мелких частиц в покрытие увеличивается Предложен ряд моделей и расчетов составов КЭП [7,351.

Электрохимическое оксидирование ведут на аноде в щеточных растворах По сравнению с химическим электрохимическое оксидирование идет при более низкой температуре, меньшей концентрации компонентов. Оксидные пленки, полученные этим способом, достигают толщины 4—5 мкм, менее пористы и более коррозионностойки по сравнению с пленками, полученными при химическом оксидировании Однако проведение электрохимического оксидирования требует применения источников постоянного тока, специальных подвесочных приспособлений. Электролиты для оксидирования обладают низкой рассеивающей способностью, что затрудняет обработку профилированных изделий Кроме того, электролиты оксидирования чувствительны к изменениям оптимального режима электролиза, что приводит к уменьшению толщины пленки (при снижении концентрации щелочи, температуры раствора) или к ухудшению ее качества (при повышении плотности тока и концентрации щелочи). Введение в щелочной раствор добавок нитратов или хро-ыатов ведет к уменьшению пористости пленки, но одновременно сужает рабочий диапазон ллотвостеи тока

Под кризисом теплообмена при кипении понимается достаточно резкое снижение интенсивности теплоотдачи при повышении плотности теплового потока вследствие изменения механизма переноса тепла от стенки. Это явление обычно связывают с неустойчивостью структуры пристенного слоя при достижении определенных критических условий, когда отвод тепла не обеспечивается без изменений структуры пристенного слоя. По установившимся представлениям по достижении критических условий происходит уменьшение контакта жидкости со стенкой, что и вызывает быстрый рост температуры обогреваемой поверхности.

Вместе с тем, микросхемы повышенного уровня интеграции обладают особенностями, осложняющими разработку аппаратуры на их основе, например, возрастание удельной рассеиваемой мощности при увеличении степени интеграции требует специальных мер по обеспечению теплоотвода, а при удельной мощности выше 2 Вт/см2 -принудительного охлаждения. Меньшая универсальность микросхемы повышенной степени интеграции ограничивает объем их выпуска, и следовательно, увеличивает их стоимость. При повышении плотности упаковки усиливается электромагнитная связь между элементами, что приводит к снижению устойчивости работы устройства.

амсдани до получения голубей окраски раствора. Детали загружают в ванну па медных псдвесках. При этом рекомендуется выдерживать детали в растворе едкого натра без тока в течение ~2 мни, а затеи включать ток и вести анодное оксидирование. При i"a =~ 0,5 А/Дм2 время анодирования составляет 30 мни. При постепенном повышении плотности тока время анодирования существенно уменьшается. Рекомендуется следующий режим анодного оксидирования: в течение первых 5 мин !'а = 2-г- 5 А/дм2, следующие 5 мин 1ц = Юн-15 А/дм2.

ансдгши до получения голубей окраски раствора. Детали загружают в ванну па медных псдвесках. При' этом рекомендуется выдерживать детали в растворе едкого натра без тока в течение ~2 мни, а затеи включать ток и вести анодное оксидирование. При i"a =~ 0,5 А/Дм2 время анодирования составляет 30 мин. При постепенном повышении плотности тока время анодирования существенно уменьшается. Рекомендуется следующий режим анодного оксидирования: в течение первых 5 мин (а =2-г-Б А/дм2, следующие 5 мин 1ц = Юн-15 А/дм1*.

При повышении плотности лучистого потока возможно увеличение эффективного времени жизни и диффузионной длины ННЗ и как следствие этого суперлинейное увеличение фототока. В работе [20] экспериментально было показано, что за счет этого эффекта наблюдается суперлинейный рост фототока в интервале ЛГс=10—1000. При

решетки в междуузлия, и таким образом генерируются вакансии. Поскольку энергия, требуемая для смещения атома кремния, составляет 15 эВ, а энергия, воспринимаемая от имплантируемых ионов гораздо больше, обычно возникают 2—3 смещения и образуются пары вакансий, а также соединения вакансий и примесей. При повышении плотности таких дефектов создаются даже аморфные области. Повышение температуры более 500 °С приводит к образованию дислокаций. Пик в распределении этих дефектов по глубине подложки вероятно не достигает RP, поскольку именно на этом участке имплантируе-

занные выше, трудно повысить плотность интеграции. Емкости переходов и паразитные емкости в этом случае довольно значительны; поэтому при повышении плотности интеграции элементов, быстродействия схемы и уменьшении потребления энергии возникают ограничения. Для преодоления этих ограничений разработана технология, использующая диэлектрическую изоляцию. Примером реализации этой технологии является метод локального окисления, показанный на 5.5 и 5.6 (см. разд. 4.5.5). В этом методе используется тот факт, что S13N4 почти не окисляется. Как видно из 5.6, на участке формирования разделительной области вскрывается слой Si3iN4, далее проводится окисление и на указанном участке наращивается толстый окисный слой.