Повышении напряжения

Более перспективным методом многослойной коммутации, позволяющим увеличить число слоев при одновременном повышении надежности соединений, является использование полиамидной пленки толщиной 50...60 мкм, на которой с двух сторон формируются коммутационные слои. Для этого на пленку о металлизированными отверстиями диаметром 20 мкм методом термовакуумного осаждения наносится покрытие из меди. Необходимая топология проводников формируется посредством фотолитографии. Далее на слой меди электрохимически наносят медь толщиной до 10 мкм с последующей защитой слоем олова и висмута. Полиамидная пленка с двумя слоями коммутации крепится на диэлектрической подложке, содержащей пассивные элементы и однослойную коммутацию. Крепление производится с помощью столбиков ( 5.9). В пленке могут быть отверстия для дискретных навесных элементов. Такая система коммутации обеспечивает практически стопроцентную гарантию качества пересечений и переходов из слоя в слой и требует только визуального контроля. В подобных конструкциях реализуются схемы, содержащие до 2000 пересечений и 500 переходов между слоями коммутации.

Микроминиатюризация ЭА — направление технического прогресса, преследующее цель уменьшения габаритов, веса и потребления энергии при одновременном повышении надежности ЭА и обеспечении автоматизации ее производства.

Следует отметить, что с помощью испытаний осуществляют оценку не фактической надежности, а только ее нижнего значения, т. е. при этом оценивается, что надежность испытуемых ИМС не хуже полученного значения Р (t) или X (/). В то же время испытания ИМС совместно с анализом отказов составляют единую методологию и являются важнейшим средством в обеспечении и повышении надежности ИМС.

Переход на элементную базу МЭА (микроэлектронные изделия) позволяет: 1) расширить возможности системного подхода; 2) распространить его на РЭС в целом, например изменить принципы организации РЭС—перенести выполнение части функций с наземной аппаратуры на бортовую; заменить в радиолокационной станции антенну с механическим сканированием луча на активную фазированную антенную решетку с электрическим сканированием луча; производить передачу информации не в аналоговой, а в цифровой форме; снизить стоимость и массогаба-ритные характеристики при одновременном повышении надежности путем замены механических и электромеханических компонентов электронными (в микроэлектронном исполнении), использования элементов в интегральном исполнении с новыми свойствами (транзисторных пар, изготовленных в едином технологическом цикле, жидкокристаллических индикаторов и т. д.). Все это позволяет улучшить показатели качества РЭС, но одновременно требует коренного изменения конструкции. В конечном счете структура РЭС и ее конструкция зависят от технологических возможностей производства. Поэтому при системном подходе подразумевается учет при конструировании не только схемотехнических, но и технологических факторов. Так, при проектировании полупроводниковой ИС разработчик должен оценить выгоду от использования транзистора как резистора или диода и, конечно, должен уметь рассчитывать взаимное влияние элементов.

К середине 30-х годов встал вопрос о повышении надежности работы электроустановок с ?/Ном>110 кВ. Они обычно имели две системы шин с одним выключателем на присоединение и шиносоединительным выключателем, причем только одна система использовалась для нормальной работы присоединения. Для повышения надежности было предложено работать на двух системах с соответствующим распределением элементов между ними. К релейной защите предъявлялось требование при КЗ на шинах отключать только одну поврежденную систему. Этому требованию не удовлетворяет обычная дифференциальная токовая защита. В СРЗиУ ТЭП (П. И. Устиновым и Л. Е. Соловьевым) и Мосэнерго (И. И. Соловьевым) был разработан ряд специальных выполнений дифференциальных защит для этого случая. Было признано необходимым для создания приемлемой защиты предусматривать закрепление (фиксирование) элементов за системами шин. Эффективность такой работы значительно повысилась при последующем широком использовании обходной системы шин, так как при этом отпала необходимость при ревизии

5. Поясните значение профилактического контроля, тестирования и функционального диагностирования в повышении надежности защит.

вательно. Выход из строя одной детали или одного-узла может привести к полному или частичному отказу всей системы. Применение резервирования наиболее ответственных деталей и узлов или всей аппаратуры в целом дает значительный выигрыш в повышении надежности. Однако оно резко увеличивает габариты и вес системы.

менном повышении надежности устройств за счет сокращения числа соединений. С другой стороны, при увеличении числа элементов на плате, особенно пленочных, повышается вероятность брака платы вследствие некачественного изготовления того или иного элемента. Это приводит к большому проценту отбраковки плат с неудовлетворительными характеристиками, что в свою очередь сводит к нулю выигрыш в производительности сложных плат с пассивными элементами.

Существенное повышение надежности возможно только при значительном уменьшении числа комплектующих элементов и соединений за счет увеличения их функциональной сложности при повышении надежности работы.

При Р—0 кривая / не попадает в пулевую точку системы координат, ибо, очевидно, что нулевой уровень надежности требует каких-то минимальных затрат (при изготовлений сплошного брака все равно расходуются материалы, энергия, имеют место затраты на заработную плату; амортизацию оборудования и др.)- При повышении надежности изделий затраты в сфере производства увеличиваются, что полностью соответствует реальным условиям производства МЭ и ИМ, так как повышение надежности связано с дополнительными капитальными затратами К на проведение научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ, приобретение нового, бг>лее совершенного технологического и

Широкое применение в вычислительной технике полупроводниковых и магнитных элементов, а в последнее время интегральных микросхем, достигнутые на этой основе успехи в повышении надежности УВМ и уменьшении их габаритов, а также важные результаты в развитии логики УВМ сделали возможным использование УВМ в промышленных установках.

Как видно из полученных формул, при повышении напряжения обмотки ее число витков и сопротивление возрастают, а ток. площадь поперечного сечения и диаметр проволоки уменьшаются. Мощность обмотки не зависит от напряжения, а при увеличении МДС она возрастает.

Следует отметить, что длительная работа двигателя при повышенном или пониженном напряжении недопустима, особенно при номинальной нагрузке на его валу. В том и другом случае ток в обмотках оказывается больше номинального, двигатель перегревается и выходит из строя. При повышении напряжения, как следует из выражения

При малых значениях напряжения питания U ток в цепи / отстает по фазе от этого напряжения на четверть периода, так как сопротивление цепи имеет индуктивный характер (Uj > L/c). При постепенном повышении напряжения питания действующие значения тока / и напряжений U. и и„ увеличиваются. Наконец, напряжение питания приближается к критическому значению U\, определяемому рабочей точкой М - точкой касания прямой, параллельной оси абсцисс, вольт-амперной характеристики цепи.

женных пусковым реостатом (см. 14.4); выключатель отключает двигатель при понижении напряжения на его выводах. При отсутствии такого выключателя понижение напряжения или его исчезнование вызывает остановку двигателя. Затем, при обратном повышении напряжения вследствие того, что пусковой реостат не введен, возникает большой пусковой ток, нежелательный для электрической сети и опасный для двигателя. Поэтому часто при отключении предусмотрено автоматическое включение пускового реостата.

Параллельный стабилизатор, включающий насыщенный трансформатор и емкость, основан на введении в цепь нагрузки генератора реактивного тока соответствующего знака. При номинальном напряжении в цепи стабилизатора наступает резонанс и он не влияет на напряжение генератора. При снижении напряжения стабилизатор нагружает генератор емкостным током, реакция якоря которого намагничивает генератор и увеличивает напряжение. При повышении напряжения ток индуктивный, размагничивающий, увеличивает размагничивающее действие реакции якоря и напряжение стабилизируется вновь. Точность обоих методов ±2%.

Решение. Максимальный ток, длительно отдаваемый в нагрузку, определяется только допустимой с точки зрения нагрева плотностью тока в рабочих обмотках. Поэтому величина /тах= 0,14 А, а следовательно, и //тах= = 7,75 А/см будут постоянны при любой частоте. Изменение мощности в нагрузке можно получить только при повышении напряжения с ростом частоты. Считаем, что семейство кривых намагничивания не зависит от частоты. Тогда для сохранения кратности регулирования необходимо, чтобы индукция, равная 1,25 Т, не изменила своего значения на всех частотах. При этом нагрузочная прямая справедлива для всех частот, а напряжение сети, необходимое для сохранения неизменным значения индукции, должно быть увеличено пропорционально частоте сети

Наличие спадающего участка характеристики позволяет получить скачкообразное изменение тока (релейный эффект) при повышении напряжения, приложенного к терморезистору и линейному сопротивлению, соединенным последовательно.

При отсутствии тока /н и, следовательно, переменного потока Фр или при малых значениях этих величин медленно пульсирующий магнитный поток имеет значение Ф". При повышении напряжения U от нуля изменение /н определяется участком кривой Оа". При U = аа" ток /н резко возрастает на величину a"f" . После этого при неизменном U медленно пульсирующий поток уменьшается до значения Ф' .

Вольт-амперные характеристики полевого транзистора приведены на 1.29. Здесь зависимости тока стока /с от напряжения при постоянном напряжении за затворе ?/зи определяют выходные, или стоковые, характеристики полевого транзистора ( 1.29, а). На начальном участке характеристик ?/си+?/3и1<^зап ток стока /с возрастает с увеличением t/cil. При повышении напряжения сток — исток до ?/си~^зап—1^эи1 происходит перекрытие канала и дальнейший рост тока /с прекращается (участок насыщения). Отрицательное напряжение ?/зи между затвором и истоком смещает момент перекрытия канала в сторону меньших значений напряжения ?/си и тока стока /с. Участок насыщения является рабочей областью выходных характеристик полевого транзистора.

При повышении напряжения [7пр (что достигается увеличением э. д. с. источника питания ?а) ток тиристора увеличивается незначительно, пока напряжение t/np не приблизится к некоторому кри-

Вольт-амперные характеристики большинства фоторезисторов линейны ( 4.3), однако в некоторых случаях при повышении напряжения линейность нарушается.