Повышение потенциала

Трудоемкость производства сборочных единиц РЭА может быть представлена в таком соотношении: механическая обработка— 8. ..15, сборка— 15.. .20, электрический монтаж — 40.. .60, наладка — 20. ..25%. Следовательно, основными конструктивно-технологическими задачами производства РЭА являются: разработка ИС на уровне ячеек и сборочных единиц РЭА с высокой степенью интеграции и совершенствование технологии их изготовления; повышение плотности компоновки навесных элементов на ПП и плотность печатного монтажа; совершенствование методов электрического соединения модулей первого, второго и третьего уровней; механизация и автоматизация сборки и электрического монтажа модулей второго, третьего и четвертого уровней; развитие автоматизированных и автоматических методов, а также средств наладки и регулировки аппаратуры сложных РТС; автоматизация операций контроля функциональных параметров; создание гибких комплексно-автоматизированных производств, функционирующих совместно с системами автоматизированного проектирования.

Развитием монтажно-сборочных работ на ПП является переход от монтажа компонентов с выводами в отверстия к поверхностному монтажу безвыводных компонентов в микрокорпусах или компонентов с планарными выводами. Его преимущества по сравнению с традиционным методом сводятся к следующим: 1) повышение плотности компоновки, так как многие компонен-

Широкие технические возможности проводного монтажа, его экономичность в условиях мелкосерийного производства привели к разработке программируемого автоматического оборудования и многочисленных технологических вариантов реализаций: стежковый, многопро'водный с фиксированием проводов, незакрепленными проводами. По сравнению с печатным монтажом они характеризуются следующими достоинствами: повышение плотности монтажа из-за многократного перекрещивания проводов на одной поверхности, упрощение процесса трассировки для сложных ИС (БИС, СБИС), минимизация длины соединений за счет прокладки проводов по кратчайшим расстояниям, уменьшение взаимных по'мех, возможность применения сварки для создания неразъемных соединений повышенной надежности, сокращение сроков проектирования и изготовления, уменьшение количества требуемой технологической оснастки (фотооригиналов, фотошаблонов и др.) и «мокрых» ТП.

Плотность записи информации. Основные характеристики ВЗУ (емкость, скорость передачи данных, относительная стоимость, размеры устройства и др.) прямо зависят от плотности записи информации на носитель, поэтому одним из важнейших направлений улучшения характеристик ВЗУ является повышение плотности записи, что представляет собой сложную инженерную проблему, решение которой связано с улучшением конструкции и технологии изготовления основных узлов ВЗУ, в первую очередь носителя и магнитных головок, создание новых методов магнитной записи и способов кодирования записываемой информации, обеспечивающих корректирование ошибок при считывании.

Экономия площади кристалла и, следовательно, повышение плотности компоновки элементов ИМС достигаются за счет выполнения шины питания в изолирующей области в объеме кристалла, а не на поверхности, как это делается обычно. Шина питания имеет малое сопротивление и, что особенно важно, она надежно электрически изолирована как от подложки, так и от изолированных областей.

Повышение плотности компоновки или увеличение числа схемных элементов, размещаемых на единице площади кристалла, является одной из основных закономерностей эволюции ИМС. Этого достигают посредством уменьшения геометрических размеров и за счет функциональной интеграции.

Рост функциональной сложности, использование полупроводниковых БИС в качестве компонентов и связанное с этим повышение плотности монтажа и плотности ИМС привели к необходимости создания больших гибридных микросхем (БГИС) и микросборок.

2. Проблема помехоустойчивости МЭА Повышение плотности электромонтажа в пределах интегральных полупроводниковых микросхем, микросборок и функциональных ячеек, применение многоуровневой разводки, снижение напряжения питания обусловливают наличие паразитных связей, наводок, возникновение внутренних помех при функционировании МЭА. Основными видами паразитных связей в МЭА являются емкостные и индуктивные связи, а также связь через общее активное и индуктивное сопротивления шин питания.

Ячейки, в которых применяются бескорпусные БИС, БГИС и микросборки, устанавливаются в герметичные металлические корпуса, внутренний объем которых заполнен инертным газом. Повышение плотности упаковки ИМС и увеличение удельной объемной мощности рассеивания, с одной стороны, и невозможность использования принудительного охлаждения ячеек в герметичном корпусе — с другой, приводят к необходимости принятия дополнительных конструктивных мер по обеспечению отвода теплоты на корпус.

Еще большее повышение плотности упаковки ЭРЭ в герметизируемых блоках книжной конструкции (примерно в два раза) достигнуто путем использования ячеек на металлических рамках (см. 1.14) с гибкими носителями ИМС, гибкими печатными шлейфами для межячеечного и межблочного монтажа ( 1.32). Гибкие шлейфы на полиимиднои пленке с двусторонней раз-

Положительными эффектами таких приемов является снижение удельной площади кристалла и удельной мощности рассеивания на один элемент, т.е. повышение плотности размещения и экономичности ИС в целом.

Однотактные УПТ прямого усиления являются обычными многокаскадными усилителями с непосредственной связью. В многокаскадном УПТ наблюдается последовательное повышение потенциала на эмиттере транзистора каждого последующего каскада. Необходимость повышения потенциалов эмиттера от каскада к каскаду обусловлена тем, что за счет непосредственной связи потенциал коллектора у каждого последующего транзистора оказывается выше, чем у предыдущего. Обеспечить необходимый режим покоя в каскадах такого УПТ можно за счет последовательного уменьшения номиналов коллекторных резисторов от каскада к каскаду. Однако в этом случае будет падать усиление УПТ.

Управляющий электрод УЭ ( 68, а) расположен в центре, а верхние металлические контакты левой и правой секций прибора электрически связаны. При положительном потенциале электрода Л относительно К тиристорная структура образуется переходами Яь П2, Я3. Переход Я4 является управляющим. При подаче положительного включающего импульса происходит ин-жекция дырок через переход П^. Последние диффундируют к переходу Я2, и часть их проникает в область р\, повысив ее потенциал относительно области пч. Повышение потенциала области р\ будет способствовать увеличению потока электронов из области п2 в область р\. Так как переход П\ смещен в обратном направлении, то электроны области п2, дошедшие до него, будут втягиваться полем перехода П\ в область п\ и достигать катода. Процесс продолжится до тех пор, пока структура п\-р\-пъ-рч не перейдет в проводящее состояние.

Заряд конденсатора происходит при подаче напряжения питания. Зарядный ток будет протекать по цепи: корпус +ЕК, резистор R3, эмиттер — база транзистора Т2, конденсатор С, резистор RKi, источник питания —Ек. Запускающий импульс отрицательной полярности ( 129, б) поступает на базу закрытого транзистора Т1 и открывает его, так как напряжение на его базе в результате действия запускающего импульса станет более отрицательным, чем напряжение на эмиттере. При этом потенциал коллектора транзистора Т1 повышается почти до нуля. Повышение потенциала передается через конденсатор С на базу транзистора Т2 и закрывает его. Конденсатор С начинает разряжаться по цепи: + С, резистор R, —Ек, корпус +ЕК, резистор R3, открытый транзистор Т1, —С. По мере разряда конденсатора его разрядный ток и напряжение С/Эб на базе транзистора Т2 уменьшаются, и когда напряжение достигнет значения, равного

Если, например, несколько уменьшится ток /Ki, то это приведет к уменьшению потенциала на коллекторе Т\. А так как напряжение на конденсаторе Ci не может измениться мгновенно, то отрицательный скачок напряжения на коллекторе 7\ передается на участок база — эмиттер транзистора Т». Это вызовет увеличение тока коллектора iK2 и, следовательно, повышение потенциала коллектора 7Y Повышение потенциала коллектора Тч через конденсатор С2 передается на базу Т( и ток <к1 еще больше уменьшается и т. д. Данный процесс нарастает лавинообразно, тем более что

На участке цепи между точками А и Б происходит повышение потенциала на величину /л, так как ток в сопротивлении rt проходит от точки Б с более высоким потенциалом к точке А с меньшим потенциалом. Таким образом, ФБ—ФА = /Л, откуда

Рассмотрим принцип действия триггера. Предположим в триггере записано Q = 0, 6 = 1. При подаче входных сигналов, например, в виде J[ = J2 = -^3=1 и Ki=K2 = K^=0 запись 1 в триггер производится в следующей последовательности. Тактовый импульс положительной полярности, поступающий на вход С, во-первых, запирает транзисторы Т\4 и Т^ и тем самым отключает вспомогательный триггер от главного, во-вторых, разблокирует многоэмиттерные транзисторы Ту и Туй- Так как на всех эмиттерах Т20 действует повышенный потенциал (Ji = /2 = J} — 1, С --= 1, и так как в триггере был записан 0, то и на эмиттере, соединенном с инверсным входом, Q = = 1), то Туд переходит в инверсную активную область и своим коллекторным током отпирает транзистор Т&. По мере понижения потенциала коллектора Т\д увеличивается ток эмиттера Ги и соответственно ток его коллектора уменьшается, 'что приводит к запиранию инвертора Гц. Повышение потенциала коллектора Т ц способствует уменьшению тока эмиттера Tie и увеличению тока его коллектора, отпирающего инвертор на Tig. В схеме начинает действовать регенеративная обратная связь, которая приводит к перебросу главного триггера в новое состояние, при котором транзисторы Г^, Tn оказываются открытыми, а Гц, Т12 закрытыми.

Отсюда можно заключить, что одноименные зажимы двух индуктивно связанных катушек обладают той особенностью, что подведение к одной из них тока, возрастающего по величине, вызывает повышение потенциала на одноименном зажиме второй катушки.

Отсюда можно заключить, что одноименные выводы, двух индуктивно связанных катушек обладают той особенностью, что подведение к одной из них возрастающего тока вызывает повышение потенциала на одноименном выводе второй катушки.

Когда заряды лидерного канала (большей частью отрицательные) опускаются по направлению к земле, на проводе появляются связанные (положительные) заряды. Благодаря малой скорости развития лидера свободные (отрицательные) заряды растекаются по проводу, уходя из зоны влияния лидер-НОГО канала. Поле связанных зарядов провода уравновешивается полем лидера, и потенциал провода на этой стадии равен нулю (напряжение промышленной частоты не учитывается). После того как начинается стадия главного разряда, поле канала нейтрализуется и связанные заряды освобождаются, обусловливая повышение потенциала провода, • — • это и есть электрическая составляющая индуктиро-

При появлении положительного напряжения между точками 1 и 2 потенциал точки / повышается. Однако до полного закрытия триода TI потенциал точки / не может значительно измениться, так как равен потенциалу точки 4 за вычетом падения напряжения в цепи эмиттер—база триода 7Y Повышение потенциала точки 1 может происходить только за счет уменьшения этого падения напряжения, которое даже при полностью открытом триоде имеет порядок 0,1 в. Таким образом, напряжение на сопротивлении RI, имеющее порядок 10—20 в, практически не изменяется до полного закрытия триода Т\. Соответственно остается неизменным и ток /1 в этом сопротивлении.

течет, уровень Ферми постоянен. Повышение потенциала у поверхности соответствует изгибу энергетических зон вниз: энергия дырок здесь увеличивается, а энергия электронов уменьшается. Возрастание ЕФ—ЕВ согласно (1.1) приводит к падению концентрации дырок и росту концентрации электронов