Повышение концентрации

Повышение коэффициента мощности приводит к уменьшению тока в проводах, соединяющих потребитель с источником энергии, и полной мощности источника.

Таким образом, повышение коэффициента мощности дает определенные выгоды во многих отношениях, а поэтому имеет большое народнохозяйственное значение.

2.20. ПОВЫШЕНИЕ КОЭФФИЦИЕНТА МОЩНОСТИ

2.20. Повышение коэффициента мощности..................... 87

§ 5.11. ПОВЫШЕНИЕ КОЭФФИЦИЕНТА МОЩНОСТИ В ЦЕПЯХ СИНУСОИДАЛЬНОГО ТОКА

В тех случаях, когда работа двигателя при полной нагрузке сочетается с его работой со значительной недогрузкой, при которой коэффициент мощности становится недопустимо низким, применяют специальные меры, обеспечивающие повышение коэффициента мощности. Так, во время работы асинхронного двигателя со значительной недогрузкой (например, когда Р2<0,5Р2н) снижают фазные напряжения на его статорной обмотке. Тем самым поток полюса вращающегося поля, а следовательно, и реактивная мощность машины будут уменьшены, а коэффициент мощности возрастет.

§ 5.10. Активные и реактивные составляющие проводимости и тока 116 § 5.11. Повышение коэффициента мощности в цепях синусоидального

Повышение коэффициента мощности имеет народнохозяйственное значение. Чтобы стимулировать повышение коэффициента мощности предприятиями, плату за электрическую энергию, обычно исчисляемую по двухставочному тарифу, ставят в непосредственную связь с величиной коэффициента мощности.

§ 83. Повышение коэффициента мощности

Повышение коэффициента мощности на промыслах достигается следующими мерами.

Повышение коэффициента мощности при помощи компенсирующих устройств

Повышение концентрации О2 в воде КМПЦ за счет радиолиза приводит к коррозии аустенитной стали и циркониевых сплавов, применяемых в первом контуре РБМК. Это учитывают при конструировании оборудования контура.

С приложением к переходу прямого напряжения, вследствие снижения высоты барьера, из n-области в р-область будут переходить (диффундировать) электроны, а из р-области в /г-область — дырки. При этом вблизи перехода концентрация неосновных носителей заряда —• электронов в р-области и дырок в п-области — становится больше равновесной. Избыточные неосновные носители заряда диффундируют в глубь перехода ирекомбини-р у ю т там. Повышение концентрации неосновных носителей заряда в р- и тг-областях при прямых напряжениях называется инжекцией, снижение концентрации неосновных носителей при обратных напряжениях — экстракцией.

' терным р-п переходом и связанный с этим слоем заряд дырок, что уменьшает время рассасывания и увеличивает коэффициент передачи p/vn. Повышение концентрации акцепторов в пассивной р+-базе уменьшает заряд электронов, накапливаемых в ней при включении переключательного транзистора, снижает сопротивление пассивной базы и увеличивает (iyvn- Распределение концентраций примесей в активной области базы, создаваемое диффузией акцепторов «вверх» — из подложки (см. 7.29, в), обеспечивает ускоряющее электрическое поле для электронов, движущихся от эмиттера к коллектору, тем самым уменьшается их время пролета через базу. Напомним, что в активной базовой области переключательного транзистора со структурой, показанной на 7.20, существует тормозящее электрическое поле для электронов, движущихся от эмиттера к коллектору, что связано с инверсным (по отношению к обычным п-р-п транзисторам) включением этого транзистора. Для данной структуры Рд'п = 30...300, ^зд.р.ср = 2,5 не при Рср = 0,4 мВт, работа переключения в области малых токов инжектора Апер = 0,2 пДж.

цинка. При больших плотностях разрядного гока около цинкового электрода возможно повышение концентрации цинката калия и выпадение окиси цинка на электроде. При медленных и прерывистых разрядах за счет диффузии концентрация раствора остается почти одинаковой во всем элементе. Поэтому кристаллы окиси цинка могут выпадать в любом месте, в том числе внутри пор диафрагм. Известно, что в ряде случаев окись цинка обладает некоторой электронной проводимостью. Это является причиной возникновения внутренних замыканий в элементе при длительном режиме разряда.

Повышение концентрации влаги сверх растворяющей способности масла приводит к образованию эмульсии, т. е. мельчайших капелек воды диаметром 0,01—0,1 мкм. Появление эмульгированной влаги вызывает резкое снижение пробивного напряжения ( 9-3).

значительное повышение концентрации структурных дефектов в эпитаксиальной пленке из-за различия в кристаллических структурах сапфира и кремния;

Содержащаяся IB кремнии примесь может влиять на скорость окислительной реакции на границе раздела SiO2 — Si, а также на .коэффициент диффузии окислителя (кислорода, воды) в окисной пленке — повышение концентрации примеси в кремнии повышает скорость окисления кремния, а повышение концентрации примеси в окисной пленке ускоряет диффузию окислителя.

Обогащение поверхности кремния фосфором при окислении вследствие сегрегации и повышение концентрации электронов в поверхностном слое под влиянием пространственного заряда повышают электронную электропроводность поверхности диффузионных областей. В транзисторе типа п-р-п эти явления опасны для коллекторной ,и базовой областей.

При больших плотностях тока концентрация электронов в базе п+-р-п-п+ транзистора увеличивается, а в силу ква-зиэлектронейтральности увеличивается и концентрация дырок. Это приводит к повышению уровня инжекции в определенных частях базы и ликвидации там встроенного электрического поля. Для транзистора, полученного методом двойной односторонней диффузии, уровень инжекции электронов наиболее сильно увеличивается в приэмиттерной части, а затем и в приколлекторной части базы ( 2.16, в). Повышение концентрации дырок в базе вблизи

Вторая запись формулы (2.19) справедлива для р-п-перехода с любым распределением концентраций примесей. Из нее видно, что барьерная емкость совпадает с емкостью плоского конденсатора с расстоянием между обкладками, равным толщине обедненного слоя. Аналогия С плоским конденсатором позволяет наглядно пояснить Свойства барьерной емкости. Например, с ростом модуля обратного напряжения барьерная емкость уменьшается из-за увеличения LOG, т. е. расстояния между обкладками конденсатора. Повышение концентрации примесей увеличивает емкость, так как расстояние между обкладками уменьшается.

Очевидно, что в рассмотренном случае не исключается вероятность нахождения некоторой части электронов на энергетических уровнях примесной зоны, т. е. в связанном состоянии вблизи примесных центров. По .мере увеличения концентрации примеси вероятность пребывания электронов на энергетических уровнях примесной зоны будет возрастать, вызывая соответствующее повышение концентрации нейтральных атомов.