Повышение быстродействия

Повышение энтальпии воды в насосе по (1-28а) составит:

г — скрыта'я теплота парообразования, кДж/кг; s — удельная энтропия, кДж/(кг-К); Т — температура абсолютная, К; t — постоянная времени, с; температура, °С, К; V—-объем, м3; объемный расход, м'/с; v — удельный объем, м'/кг; х — паросодержание пароводяной смеси; а — доля отбора, доля пропуска пара; Ар — повышение (падение) давления, Па, МПа; At — повышение (понижение) температуры, "С; At — повышение энтальпии, кДж/кг; As — изменение удельной энтропии, кДж/(кг-К); ? — коэффициент местного гидравлического сопротивления; т) — коэффициент полезного действия; в, Ф — недогрев воды до температуры насыщения, "С; 6 — температура воздуха, "С; К; К — коэффициент теплопроводности, кДж/(м-К); 5 — коэффициент ценности тепла; р — Плотность вещества, кг/м3; В — расход топлива, т/ч; кг/ч; кг/с; Ь — удельный расход топлива, кг/(кВт-ч); г/(кВт-ч); с — удельная теплоемкость вещества, кДж/(кг-К); D — расход пара, т/ч; кг/с;

т. е. теплота dp\, подведенная к элементу объема dV в результате теплопроводности, и теплота dp2, выделившаяся в данном элементе, расходуются на повышение энтальпии (dp) элемента.

Уравнение (4-8) легко трактуется как уравнение теплового баланса, в соответствии с которым выделившаяся теплота расходуется частично на повышение энтальпии тела, частично отводится в окружающую среду. Таким образом, уравнение (4-8) может быть получено непосредственно из рассуждений.

где Ah"3 — повышение энтальпии в идеальном компрессоре (изо-энтропное сжатие, определяемое по h, s -диаграмме для водяного пара); ч\иэ — изоэнтропный внутренний КПД турбокомпрессора (ТК), равный 0,80—0,86.

где Д/гн — повышение энтальпии воды в насосе [см. (3.55)]; GH— расход перекачиваемой воды; тпр — КПД привода насоса.

щего пара; /гдр, — энтальпия дренажа; Д/гв/ = йВ¦ -hBXi — повышение энтальпии нагреваемой воды; hBxi, hBi — энтальпии нагреваемой воды на входе в подогреватель и выходе из него; ДЛдр, = ^вхдр/ ~ hapi — удельная теплота, отдаваемая сливаемым в данный подогреватель потоком дренажей; Авх (— энтальпия дренажей на входе в подогреватель; F, и ?>;.— элементы двух матриц F и D, задающих структуру системы регенерации: F, = 1, если конденсат греющего парау-го подогревателя проходит через подогреватель с номером / как часть нагреваемой воды, и Fy = 0 в противном случае; ?>( = 1, если конденсат греющего пара j-ro подогревателя присутствует в потоке дренажей, поступающем в подогреватель с номером /', и Оц = 0 в противном случае; D^ = 0 по определению.

где ДЛН — повышение энтальпии воды в насосе [см. (3.55)]; GH — расход перекачиваемой воды; г)пр — КПД привода насоса.

щего пара; Адр,- — энтальпия дренажа; Дйв = йв,• -ABX; — повышение энтальпии нагреваемой воды; /)вх(, Лв/ — энтальпии нагреваемой воды на входе в подогреватель и выходе из него; ААдр, = Лвхдр; -йдр, — удельная теплота, отдаваемая сливаемым в данный подогреватель потоком дренажей; /гвх д_, — энтальпия дренажей на входе в подогреватель; Fy и DJJ— элементы двух матриц F и D, задающих структуру системы регенерации: FH= 1, если конденсат греющего пара>го подогревателя проходит через подогреватель с номером / как часть нагреваемой воды, и Fy = 0 в противном случае; D» = 1, если конденсат греющего пара^-го подогревателя присутствует в потоке дренажей, поступающем в подогреватель с номером /, и DJJ = 0 в противном случае; Dit = 0 по определению.

режиме, ч; Д^ — повышение энтальпии пара в промежуточном пароперегревателе, кДж/кг; Qp — располагаемое тепло топлива, кДж/кг; Л?>Пг — приращение расхода пара через промежуточный перегреватель на рассматриваемом режиме в результате вытеснения отборов на регенерацию, зависящую от тепловосприятия Q2i и поверхности нагрева Fz. Из выражения (8-89) с учетом уравнения теплового баланса подогревателей высокого давления находим:

Улучшение технико-экономических характеристик ЭВМ (повышение быстродействия, надежности, снижение габаритных размеров, стоимости и т. д.) достигается за счет все более широкого применения БИС, при этом возникает следующая ситуация: рост степени интеграции схем сопровождается ростом их специализации. Создание достаточно универсальных по применению микропроцессоров частично решает проблему применимости БИС, но оставляет проблему построения БИС для схем, которые не могут быть реализованы на базе микропроцессоров, например, из-за необходимости обеспечения высокого быстродействия их работы.

7.6.1. Комбинированные САР с системами регулирования по отклонению на роторе. Повышение быстродействия КСАР напряжения возможно на основе применения систем, исключающих влияние постоянной времени обмотки возбуждения возбудителя[39, 40, 41]. Регулирование напряжения осуществляется также по двум каналам: сигнал регулирования по возмущению воздействует на ток возбуждения возбудителя, а сигнал регулирования по отклонению передается на ротор и изменяет ток возбуждения генератора. Схема комбинированной системы с регулированием по отклонению на роторе представлена на 7.11.

Перспективы развития микроэлектроники. В ЧР еле задач, стоящих перед микроэлектроникой, основное место занимают повышение быстродействия и надежности, увеличение функциональной сложности и снижение стоимости радиоэлектронной аппаратуры [71].

Главное направление развития технологии СБИС — уменьшение размеров транзисторов. В 1982 г. в серийных СБИС достигнут минимальный размер транзистора 2 мкм и начат переход к технологиям, обеспечивающим размер транзистора в 1 мкм. Экспериментальные исследования, выполненные в 1981 г., подтвердили возможность создания работоспособных сверхбыстродействующих МОП-транзисторов с длиной канала 0,25 мкм. Наиболее перспективной технологией БИС и СБИС в 80-е годы, по-видимому, останется КМОП-технология, позволяющая получать приборы с минимальным потреблением энергии. Значительное повышение быстродействия логических элементов возможно благодаря разработке и освоению в производстве транзисторов на основе арсе-нид-галлиевых структур. В 1982 г. экспериментально исследованы транзисторы такого типа с временем переключения 20—30 пс.

Основным достоинством ЭСЛ-схем является их высокое быстродействие, обусловленное прежде всего работой транзисторов в активном режиме и уменьшением времени перезаряда емкостных составляющих схемы за счет малого логического перепада. В настоящее время разработаны сверхбыстродействующие ЭСЛ-схемы с частотой переключения до 500 МГц. Однако следует учитывать, что повышение быстродействия связано с увеличением потребляемой мощности.

Существующие в настоящее время схемотехнические решения направлены на повышение быстродействия, помехоустойчивости, уменьшения потребляемой мощности и улучшения других эксплуатационных характеристик и параметров базовых элементов ИМС.

Основные направления развития АЦП — повышение быстродействия основных узлов, в частности компараторов до 10—15 не, повышение их точности до 0,05—0,005 %, увеличение разрядности преобразователей до 12—16, использование микропроцессоров в преобразователях. Одновременная реализация высоких требований по точности и быстродействию затруднена поэтому создаваемые микроэлект-

500 Ом) и напряжение на выходе Q становится весьма малым (десятые доли-единицы вольт), что соответствует логическому 0. Существенное повышение быстродействия (и снижение потребления энергии питания) достигается при использовании комплементарной пары КМОП-транзисторов.

Повышение быстродействия ИП достигается путем применения специальных цепей коррекции, позволяющих уменьшить инерционность ИП, отрицательных обратных связей, аналоговых и цифровых вычислительных устройств.

грешностей ИП заключается в снижении инерционности ИП и всей ИЦ путем введения специальных корректирующих цепей. Многие ИП (например, усилитель, электрический преобразователь и т. п.) в первом приближении можно рассматривать как инерционное звено, которое характеризуется постоянной времени Т. На 6.11 показана схема замещения ИП инерционным звеном с постоянной T=RC. Повышение быстродействия такого ИП возможно только путем снижения его постоянной времени. Эта задача решается различными методами — посредством корректирующих цепей, аналоговых и цифровых вычислительных устройств, а также с помощью отрицательных обратных связей. Принципиально любой из указанных методов позволяет скорректировать инерционность ИП очень полно. Однако практически снизить постоянную времени ИП удается только на порядок, т. е. примерно в 10 раз. Ограничением на пути коррекции является нестабильность элементов постоянной Т. Рассмотрим коррекцию динамических погрешностей посредством ^С-цепей. Включим последовательно с инерционным звеном, обладающим постоянной Т, цепь, как показано на 6.12. Цепь, содержащую Ri, Rz и С\, называ-

Аналогично строятся БИС статических ОЗУ на других биполярных ЗЭ. Использование ЗЭ типа ТТЛШ направлено на повышение быстродействия БИС ОЗУ, а ЗЭ типа ИЛ — на повышение информационной емкости. При этом для построения схем выборки микросхемы, дешифраторов и других схем управления используют простейшие вентили типа ЭСЛ. В буферных схемах, предназначенных для согласования внешних управляющих схем с БИС ОЗУ, используются преобразователи уровней ТТЛ —>• ЭСЛ и ЭСЛ-^ТТЛ.