Повышением концентрации

Увеличение быстродействия системы при пуске и внезапном включении нагрузки также объясняется повышением коэффициента усиления всей системы регулирования частоты электромашинного преобразователя.

Высокая точность суммирования с помощью таких усилителей достигается максимально возможным повышением коэффициента усиления по току (путем введения положительной обратной связи и применения многокаскадных схем) и использованием глубокой отрицательной обратной связи, охватывающей весь усилитель. Для получения реакции усилителя, на. изменение знака суммы базовой схемой суммирующих операционных усилителей является, как правило, двухтактная схема с выходом постоянного тока.

Объем кубового остатка, связанный с количеством исходной перерабатываемой воды коэффициентом упаривания, зависит от технологического режима. С повышением коэффициента упаривания увеличивается накипеобразование на греющей поверхности. С увеличением концентрации примесей пропорционально увеличивается загрязненность генерируемого пара, что требует более сложной технологии для сепарации влаги и промывки пара, а также дополнительных устройств для ионообменной доочистки дистиллята.

2.1,6, так и интегрирующем усилителем 10.23, а тем выше, чем больше величина ют (для усилителя еотэкв) по сравнению с единицей. Однако между этщми интегрирующими устройствами есть существенная разница. В jинтегрирующей цепи увеличение ют достигается только повышение^ частоты ю или увеличением постоянной времени i=RC, что приводит к потере коэффициента передачи. В усилителе с реактивной параллельной обратной связью увеличение ютэкв достигается повышением коэффициента усиления усилителя /( при тех же величинах R и С. Действительно, выходное напряжение усилителя, как видно из (10.117), не уменьшается, так как в числителе (10.117) также

Выбирая провод и изоляцию, следует помнить, что с повышением коэффициента заполнения паза (рекомендуется не более 0,72...0,74) увеличивается трудоемкость укладки и снижается надежность машины. В ходе ремонта асинхронных электродвигателей первой и второй серии (А и А2) и использования современных проводов с более тонкой изоляцией и пазовой изоляции с меньшей толщиной (как правило, более высокого качества) при укладке получают очень низкий коэффициент заполнения паза. В этом случае необходимо устанавливать дополнительные прокладки или использовать провода большего диаметра. При ремонте четвертой серии асинхронных электродвигателей (4А) или серии АИ (АИР) часто используют более толстую изоляцию, чем установлена в машинах. Поэтому трудоемкость ремонта машин этих серий больше и требует более высокой квалификации рабочих.

В результате при колебании нагрузки будет изменяться в некоторых пределах и коэффшщцент мощности потребителя в целом. При расчетах, связанных с повышением коэффициента мощности, это обстоятельство обычно не учитывается. При этом исходят из среднего значения коэффициента мощности coscp^ потребителя электроэнергии.

О важности повышения КПД нерегулируемых АД на несколько процентов говорит и тот факт, что в 1970— 1980-е гг. при существенном подорожании электроэнергии в США, а затем и странах Западной Европы стали создаваться так называемые энергоэффективные двигатели, в которых за счет увеличения количества активных материалов (меди и стали) обеспечивалось повышение КПД на 2... 5 %. В России, где стоимость электроэнергии пока еще в несколько раз ниже, чем в европейских странах, это направление в электромашиностроении не получило широкого развития. Повышение КПД, учитывая отечественную специфику, может быть получено в нашей стране повышением коэффициента загрузки двигателей.

У новых быстроразогревных катодов температура разогрева до 800 °С составляет примерно 10 с. Достигается это в основном за счет снижения потребляемой КПУ мощности, т. е. повышением коэффициента полезного действия. При попытках восстановить эмиссию следует учитывать время разогрева КПУ. В противном случае весьма вероятны локальный перегрев и разрушение эмиттирующего слоя катода.

в) повышением коэффициента мощности без применения и с применением компенсирующих устройств.

В ряде случаев из-за характера производства промышленного предприятия и особенностей технологического процесса не удается значительно повысить коэффициент мощности указанными выше мерами. Тогда возникает технико-экономическая целесообразность в установке специальных компенсирующих устройств: синхронных компенсаторов, синхронных двигателей на приводных механизмах, статических конденсаторов. При выборе компенсирующих устройств производят сравнение повышения коэффициента мощности синхронными двигателями при одновременном их использовании в качестве компенсаторов с повышением коэффициента мощности при установке батареи статических конденсаторов. /

Характеристики цифровых элементов на ЗШП-транзисторах определяются тем, насколько увеличивается ток стока при изменении напряжения затвора. Для получения хороших характеристик переключения необходимо увеличивать параметр gm. Это достигается повышением коэффициента G0. Поскольку G0= (q\inWaNu/L), то повышения G0 можно достичь за счет уменьшения длины канала L и увеличения его ширины W. Большой ширине канала W соответствует большая емкость затвора, и характеристики цифровых схем с такими приборами не улучшаются. Если же уменьшать длину канала L, емкость затвора уменьшается, что приводит к повышению быстродействия схемы.

видно, возможно в том случае, если уровень Ферми $Р будет смещен от середины запрещенной зоны &{ в сторону дна зоны проводимости. Чем выше концентрация атомов доноров в полупроводнике Wд, тем больше это смещение. В полупроводнике р-типа, наоборот, уровень $F располагается ниже уровня Si, и с повышением концентрации атомов акцепторов NA в нем уровень Ферми будет располагаться все ближе к потолку валентной зоны. На 1.11 представлены функции Ферми—Дирака для примесных полупроводников л-типа (а) и р-типа (б). Заштрихованные площади пропорциональны концентрациям носителей заряда в зонах.

Функция Ферми-Дирака (3.2), (3.3) справедлива не только для собственных, но и для примесных полупроводников. В полупроводниках п-типа большое количество электронов переходит в зону прово- „ димости с уровней доноров, при этом дырки в валентной зоне не появляются. Поэтому вероятность появления электрона в зоне проводимости выше вероятности появления дырки в валентной зоне. Это, очевидно, возможно в том случае, если уровень Ферми WF будет смещен от середины запрещенной зоны Wt в сторону дна зоны проводимости. Чем выше концентрация атомов доноров в полупроводнике NX, тем больше это смещение. В полупроводнике р-типа, наоборот, уровень WF располагается ниже уровня Wit и с повышением концентрации атомов акцепторов NA в нем уровень Ферми будет располагаться все ближе к потолку валентной зоны. На 3.9 представлены функции Ферми-Дирака для примесных полупроводников n-типа (а) и р-

Скорость диффузионного перемещения атомов увеличивается вдоль линий краевых дислокаций. Это объясняется повышением концентрации примесей вдоль линии дислокации, что в свою очередь приводит к возрастанию вероятности образования вакансий. Энергия активации диффузионного процесса вдоль линий дислокаций по оценкам вдвое меньше, чем в совершенном кристалле. Однако полный анализ влияния дислокаций на скорость диффузионного процесса затруднен из-за неопределенности их пространственного распределения.

щелочи повышается с повышением концентрации ( 185), поэтому для снижения внутреннего сопротивления источника тока пользуются растворами, содержащими не менее 0,35—0,6 кг/л вещества.

Наиболее вероятный путь — первый, так как плот-'ность вакансий в кристалле кремния может быть весьма высока (свыше 1%). При высокой температуре процесса вследствие испарения кремния на поверхности кристалла (если она не защищена) образуются вакансии, диффундирующие в глубь кристалла. Вероятность внедрения атомов примеси в междоузлия возрастает с повышением (концентрации примеси, так как плотность вакансий при этом падает.

С повышением концентрации SiCU в рабочей смеси скорость осаждения возрастает. Однако с превышением некоторого критического (при данных условиях) значения концентрации пленка получается поликристаллической, что свидетельствует о выделении кремния в газовой фазе, осаждении агломератов .и снижении миграционной подвижности атомов на подложке. Практически используемые скорости осаждения не превышают 2,5 мкм/мин.

С уменьшением длины волны излучения в области А,гр вначале могут наблюдаться непрямые переходы, при которых требуется меньшая энергия фотона для ионизации атома (участок 2 на 7.2), а затем с ростом энергии фотона будут только прямые переходы (участок /), так как вероятность непрямых переходов уже мала. На участке / спектра поглощения значения аф~105Ч-Ю8 см~'. Граница собственного поглощения Xrp=c/vrp большинства полупроводников приходится на видимую или инфракрасную часть оптического диапазона. На величину Кгр кроме типа полупроводника влияют температура, внешние поля, степень легирования и др. С увеличением температуры ширина запрещенной зоны большинства полупроводников уменьшается и Хгр сдвигается в сторону больших длин волн. С повышением концентрации примесей в полупроводниках энергетические уровни вблизи потолка валентной зоны или дна зоны проводимости заполняются. Поэтому при собственном поглощении, когда энергия фотона должна превышать ширину запрещенной зоны, Лгр соответственно сдвигается в область меньших длин волн. В электрическом поле красная граница Хгр смещается в длинноволновую область (эффект Келдыша — Франца), в магнитном поле — в коротковолновую (расщепление Ландау).

Наиболее вероятный путь — первый, так как плот-'ность вакансий в кристалле кремния может быть весьма высока (свыше 1%). При высокой температуре процесса вследствие испарения кремния на поверхности кристалла (если она не защищена) образуются вакансии, диффундирующие в глубь кристалла. Вероятность внедрения атомов примеси в междоузлия возрастает с повышением (концентрации примеси, так как плотность вакансий при этом падает.

С повышением концентрации SiCU в рабочей смеси скорость осаждения возрастает. Однако с превышением некоторого критического (при данных условиях) значения концентрации пленка получается поликристаллической, что свидетельствует о выделении кремния в газовой фазе, осаждении агломератов .и снижении миграционной подвижности атомов на подложке. Практически используемые скорости осаждения не превышают 2,5 мкм/мин.

КЭП кобачът—корунд предложено осаждать нз электролита с рН = =4 состава, r/-j. сульфат кобальта 260, хлорид кобальта 45, борная кислота 30, корунд 25, при 40=С7 /„=1-8 Л/дм2 С увечтением плотности тока содержание включений корунда уменьшалось от 1 6—2,4 до 1,2—1,6 %. С повышением концентрации второй фазы Б растворе-сус пензн» от 25 до 150 г/т содержание нсметал-жчсской фазы КЭП увеличивается до 5,3 %. При этом внутренние напряжения в осадках падают с 125 до 62 МПа, а твердость повышается [35J

ляемых энергоресурсов: солнечного излучения, движения воздуха в атмосфере, движения вод в реках, включая мелкие, и в морях (течения, волнения, отливы и приливы), тепла недр Земли и толщи вод, дождевых потоков, продуктов искусственно ускоренного фотосинтеза и др. Запасы нефти и газа быстро истощаются, переход на уголь сопряжен с рядом неудобств и грозит повышением концентрации С02 в атмосфере, а ядерные энергоресурсы, хотя и велики, но проблема полного перевода энергетики на ядерные «рельсы» еще требует решения ряда сложных научно-технических задач.