Полученных результатов

Хамакава, Тавада и др. показали, что в пленках a-Sii_xCx: Н также как и в пленках a-Si: Н, можно управлять типом и концентрацией носителей заряда. На 4.2.8, а показаны зависимости основных свойств пленок a-Si i_xCx : Н, полученных плазменным разложением [SiH4 (0,8) + + СН4 (0,2) ], от концентрации легирующих примесей. Величина темновой проводимости при комнатной температуре при добавлении в исходную газовую смесь 5 % диборана составляет 10~4 См/см, а при добавлении 0,1 % фосфина — 10~2 См/см. Это намного выше темновой проводимости нелегированных пленок, величина которой имеет порядок 10"1 См/см. Величина энергии активации изменяется от 1,08 эВ для нелегированных

4.2.8. Влияние типа и концентрации легирующих добавок на основные свойства пленок a-Sij-^Cx •' Н, полученных плазменным разложением газовой смеси: а - SiH4 (0,8) + СН4 (о,2) [ 71; 6 - SiH4 (0,5) + СН4 (0>5) ( 81

На 4.2.8, б показаны зависимости основных свойств пленок а-Sii_xCx : Н, полученных плазменным разложением [SiH4 (0,5) + СН4 (0,5)], от концентрации легирующих примесей. Здесь также видна возможность управления типом и концентрацией носителей заряда. Темновая проводимость при добавлении в газовую смесь 1 % диборана или 0,2 % фосфина увеличивается до 10""5 и 10~3 См/см соответственно. Темновая проводимость нелегированных пленок при комнатной температуре из-за малости величины не поддается измерению. Минимальные значения энергии активации для пленок р- и л-типов составляют 0,4 и 0,3 эВ соответственно. Здесь наблюдается значительный эффект увеличения фотопроводимости в результате легирования, однако, величина фотопроводимости оказывается на порядок ниже, чем в пленках состава х = 0,2. Оптическая ширина запрещенной зоны в исследованных пленках зависит от легирования и уменьшается при росте концентрации обоих легирующих компонентов.

Эти результаты показывают, что в пленках a-Sii_xCx : Н, полученных плазменным разложением газовой смеси [SiH4(i_x) +CH4(x)]> можно управлять типом и концентрацией носителей заряда. Этот материал может быть использован в качестве прозрачного р • или л-слоя в обычных и обратных р-/-л-структурах солнечных элементов.

В работе рассмотрены фотовольтаические свойства, гибкость, стабильность и морфология поверхности слоев a-Si: Н солнечных элементов с гетерограницей p-i-n/ОИО (оксиды индия - олова), полученных плазменным осаждением на пленоч-. ной подложке из органического полимера.

Свойства слоев a-Si : Нр-типа, полученных плазменным осаждением в газовой смеси В2Н6 (0,5 % объемн.) + SiH4, также зависят от Тпоап. Как" показано на 5.5.3,6, повышение TnoTkn от 150 до 350 °С увеличивает темновую проводимость и снижает энергию активации, но увеличивает коэффициент, поглощения при длине волны 600 нм от 1,8 • 104 до 7,0 • 104f см"1. Слои a-Si: Нр-типа, полученные при ТПОШ1 > 300 °С имеют большую темновую проводимость и высокое поглощение света с энергией,

Хамакава, Тавада и др. показали, что в пленках a-Sii_xCx: Н также как и в пленках a-Si: Н, можно управлять типом и концентрацией носителей заряда. На 4.2.8, а показаны зависимости основных свойств пленок- a-Si i_xCx : Н, полученных плазменным разложением [SiH4 (0,8) + + СН4 (0,2) ], от концентрации легирующих примесей. Величина темновой проводимости при комнатной температуре при добавлении в исходную газовую смесь 5 % диборана составляет 10~4 См/см, а при добавлении 0,1 % фосфина — 10~2 См/см. Это намного выше темновой проводимости нелегированных пленок, величина которой имеет порядок 10"1 См/см. Величина энергии активации изменяется от 1,08 эВ для нелегированных

4.2.8. Влияние типа и концентрации легирующих добавок на основные свойства пленок a-Sij-^Cx : Н, полученных плазменным разложением газовой смеси: а - SiH4 (0,8) + СН4 (о,2) ( 71; б - SiH4 (0,5) + СН4 (0>5) I 81

На 4.2.8, б показаны зависимости основных свойств пленок а-Sii_xCx : Н, полученных плазменным разложением [SiH4 (0,5) + СН4 (0,5)], от концентрации легирующих примесей. Здесь также видна возможность управления типом и концентрацией носителей заряда. Темновая проводимость при добавлении в газовую смесь 1 % диборана или 0,2 % фосфина увеличивается до 10""5 и 10~3 См/см соответственно. Темновая проводимость нелегированных пленок при комнатной температуре из-за малости величины не поддается измерению. Минимальные значения энергии активации для пленок р- и л-типов составляют 0,4 и 0,3 эВ соответственно. Здесь наблюдается значительный эффект увеличения фотопроводимости в результате легирования, однако, величина фотопроводимости оказывается на порядок ниже, чем в пленках состава х = 0,2. Оптическая ширина запрещенной зоны в исследованных пленках зависит от легирования и уменьшается при росте концентрации обоих легирующих компонентов.

Эти результаты показывают, что в пленках a-Sii_xCx : Н, полученных плазменным разложением газовой смеси [SiH4(i_x) +CH4(x)]> можно управлять типом и концентрацией носителей заряда. Этот материал может быть использован в качестве прозрачного р • или л-слоя в обычных и обратных р-/-л-структурах солнечных элементов.

В работе рассмотрены фотовольтаические свойства, гибкость, стабильность и морфология поверхности слоев a-Si: Н солнечных элементов с гетерограницей p-i-n/ОИО (оксиды индия — олова), полученных плазменным осаждением на пленочной подложке из органического полимера.

Свойства слоев a-Si : Нр-типа, полученных плазменным осаждением в газовой смеси В2Н6 (0,5 % объемн.) + SiH4, также зависят от Тпоап. Как' показано на 5.5.3,6, повышение ТПолп от 150 до 350 °С увеличивает темновую проводимость и снижает энергию активации, но увеличивает коэффициент, поглощения при длине волны 600 нм от 1,8 • 104 до 7,0 • Ю4^ см"1. Слои a-Si: Нр-типа, полученные при Тпоап > 300 °С имеют большую темновую проводимость и высокое поглощение света с энергией,

мо написать разность полученных результатов и в первом члене разности поставить вместо х значение верхней границы b поля допуска, а во втором — значение нижней границы а.

задания; вывод полученных результатов \

Анализ полученных результатов показывает, что для машин с различным числом полюсов и пазов возможно создать гармонические

Показатели надежности бурового электрооборудования обычно рассчитывают при ограниченном объеме первичной информации, поэтому достоверность полученных результатов может быть обеспечена только при априорном задании закона распределения. Если гипотеза о форме законов распределения в определенной мере обоснована сущностью происходящих явлений и относится к широкому классу электротехнических устройств, ее применение без специальной проверки в каждом отдельном случае можно считать оправданным.

г) интерпретация полученных результатов и их доведение до руководства.

При автоматизированном проектировании на ЭВМ перекладывают выполнение проектных процедур, таких, как составление математических моделей схем (ММС), их анализ, оптимизацию и др. Человек вводит в ЭВМ первичное описание объекта и осуществляет пуск оборудования. На основе полученных результатов он определяет направление и характер дальнейших действий, принимает соответствующие решения, осуществляя диалоговый режим взаимодействия с ЭВМ.

В начале каждой главы приведены краткие теоретические сведения, основные определения и формулы, необходимые для решения задач. Типовые, а также наиболее трудные задачи снабжены не только ответами, но и развернутыми решениями, в ряде которых читателю даются дополнительные теоретические сведения. Большое внимание уделено технической интерпретации полученных результатов.

Задача состоит в том, чтобы найти такую оценку истинного значения измеряемой величины, которая была бы точнее самого точного из результатов наблюдений. Поставленную задачу можно решить, используя принцип максимального правдоподобия. Согласно этому принципу считают наиболее правдоподобной такую оценку истинного значения измеряемой величины, при принятии которой плотность вероятности полученных результатов наблюдений будет наибольшей.

Анализ полученных результатов позволяет сделать вывод, что в этом случае после ряда циклов конденсатор перезаряжается и если напряжение на С достигнет порога срабатывания следующего элемента (триггера Шмитта), то он сработает. Выберем напряжение срабатывания тригера Шмитта 3 В, что примерно равно амплитуде пульсаций напряжения на конденсаторе интегрирующей цепочки.

2. Пользуясь программой БПФ, рассчитайте спектр импульсов прямоугольной формы. Проверьте правильность полученных результатов, сверив их с данными спектра, взятыми из справочной литературы или вычисленными аналитически.

Желательно, чтобы отчеты по работам походили на правильно составленный протокол научного эксперимента или заводского испытания, т. е. содержали бы схему исследования, перечень примененных приборов, таблицы наблюденных и вычисленных величин, графики и характеристики, построенные по достаточно большому числу точек, и анализ полученных результатов. Однако, учитывая значительную загрузку студентов домашней учебной работой, приходится сокращать обязательное содержание отчета за счет уменьшения до минимума числа характеристик, опытных и вычисленных точек; с этой точки зрения можно отказаться от приведения схем, если они содержатся в руководстве, а не составлялись учащимися самостоятельно, и не требовать громоздких и повторяющихся арифметических вычислений.