Потенциал уменьшается

Следовательно, скалярный магнитный потенциал удовлетворяет уравнению Лапласа. Поэтому при расчете магнитных пйлей можно пользоваться методами, рассмотренными при расчёте электростатических полей. Однако наДо помнить, что скалярный магнитной потенциал существует в той области поля, в которой нет тока, и уравнение Лапласа справедливо только 'для этой области. Кроме того, в отличие от потенциала электрического поля срм может быть многозначным.

Для однородной изотропной среды магнитный потенциал удовлетворяет уравнению Лапласа

Магнитный потенциал удовлетворяет уравнению Лапласа:

В случае однородной среды, когда е = const, эти уравнения дают^ div Е = 0 или div grad t/ = 0, т. е. потенциал удовлетворяет урав-' нению Лапласа.

137.5. Введение векторного потенциала позволяет упростить расчеты магнитного поля, используя аналогию с расчетом электрического поля в присутствии объемных зарядов, так как векторный потенциал удовлетворяет уравнению Пуассона, подобна скалярному потенциалу электрического поля. Различие в этих уравнениях лишь в том, что для электрического поля это одна уравнение для скалярной величины, тогда как для магнитного поля это уравнение для вектора, распадающееся на три уравнения для его составляющих.

Найденный потенциал удовлетворяет уравнению Лапласа и заданным граничным условиям. Действительно, при у = Ь, х ф 0 он равен

Для однородной среды, когда е = const, эти уравнения дают div E = 0 или div grad U = 0, т. е. потенциал удовлетворяет уравнению Лапласа.

В однородной среде с магнитной проницаемостью ц скалярный магнитный потенциал удовлетворяет уравнению Пуассона div grad UM= div HB= ~ рм/ц, решение которого в силу сказанного выше можно записать как

3. Пространство между катодом и анодом разбиваем на две области: в первой из них, где RK
5. В области 1, где 0 < х < d, потенциал удовлетворяет уравнению Пуассона------=

4. Векторный магнитный потенциал удовлетворяет внутри и вне провода уравнениям--— г—— =-Цо—r,0
Из 1.4 видно, что при к ~ LD потенциал уменьшается в е раз и объемный заряд распространяется на расстояние, несколько большее, чем LD. Однако основной зяряд расположен в области шириной LD, поэтому она принимается за ширину области объемного заряда. С увеличением температуры увеличивается число электронов, перешедших из полупроводника в металл, что приводит к расширению области проникновения электрического поля в полупроводник (возрастает LD). Появление объемного заряда вызывает искривление энергетических soa. Объясним подробнее это явление для электронного полупроводника.

При эксплуатации ременных передач прибегают к искусственному увеличению емкости ремня, что достигается путем расположения металлической заземленной сетки на расстоянии 15—20 см от ремня. Как известно, заряд пропорционален емкости и потенциалу. С увеличением емкости при q=const, потенциал уменьшается. Применяется также способ по борьбе со статическим электричеством путем заземления ремня скользящими щетками, которые располагаются в местах сбегания ремня со шкива. В помещениях с пожаро-, взрывоопасными зонами вместо плоских ременных передач следует применять клиновидные ремни. Ремни следует содержать в чистоте. Для уменьшения трения не допускать провисания их.

На участке 8—9 цепи потенциал уменьшается скачком вследствие того, что источник ЭДС ?89 = 55 В подключен положительным полюсом к точке 8, а отрицательным — к точке 9. В данном случае источник ЭДС Egg работает в цепи в качестве источника питания.

Распределения поверхностного потенциала в МДП-структуре в направлении, перпендикулярном затвору, для различных моментов времени приведены на 11.2. Координата х отсчитывается от границы полупроводник (/7) — диэлектрик (Д). Штриховой линией показана граница диэлектрик—металл (/И). По мере накопления зарядового пакета за счет тепловой генерации носителей заряда толщина обедненного слоя Lo6 и поверхностный потенциал полупроводника фпов уменьшаются, а разность потенциалов на диэлектрике увеличивается. В установившемся режиме (/->- оо) поверхностный потенциал уменьшается до значения ФПОР = 2фт1п(УУа//г;), где Na — концентрация акцепторов в подложке; n-f — концентрация собственных носителей. При этом у поверхности образуется инверсный слой л-типа, максимальный заряд электронов в котором

она расположена в начале координат 0. Положение точки М находят из соображений, что при переходе через резистор с сопротивлением rt в направлении тока /1 потенциал уменьшается на неличину /j/f, в результате чего потенциал ее фм окажется ниже потенциала <рА на эту же величину 7^. Дальнейший переход через резистор с сопротивлением г% против направления

При входном напряжении L/BX.OT = l/зи.пор транзисторы отпираются и работают в пологой области вольт-амперной характеристики. По мере увеличения входного напряжения выходной потенциал уменьшается. При этом переключательная характеристика ключа описывается формулой

~~ Обходя контур отточки А, имеющей потенциал фд, в произвольно выбранном направлении, например по часовой стрелке, проследим за изменением потенциала. На участке цепи между точками А и Б имеет место падение напряжения на величину Ilrl, так как направление обхода совпадает с направлением тока, который проходит от точки с более высоким потенциалом к точке с меньшим потенциалом. Кроме того, на этом же участке потенциал уменьшается на величину EI, так как при обходе контура мы переходим от положительного зажима источника питания к его отрицательному зажиму. Таким образом,

Если через заземлитель пропустить ток, то на самом заземлителе и в точках земли, расположенных в непосредственной близости от него, возникнут потенциалы, измеряемые относительно бесконечно удаленной точки, график распределения которых показан на 12-1. Из графика видно, что с удалением от места расположения заземлителя потенциал уменьшается, так как поперечное сечение земли, через которое проходит ток, увеличивается в большей степени. В удаленных точках потенциалы близки к нулю. Таким образом, в качестве точек нулевого потенциала могут служить точки, достаточно удаленные от заземлителя, потенциалы которых практически равны нулю. Обычно достаточно расстояние в несколько десятков метров. Крутизна кривой распределения потенциалов зависит от проводимости грунта: чем меньше проводимость грунта, тем более пологую форму имеет кривая, тем дальше расположены точки нулевого потенциала.

Если измерить вольтметром разность потенциалов на поверхности земли при разных расстояниях от трубы ( 12.5), то получится распределение потенциалов, из которого видно, что наивысший потенциал имеет заземлитель; с удалением от места расположения заземлителя потенциал уменьшается и на расстоянии 15 — 20 м практически равен нулю. Крутизна кривой распределения потенциалов зависит от проводимости

На участке цепи между точками А и Б потенциал уменьшается на падение напряжения л,/,, т.к. направление обхода, произвольно выбранное по часовой стрелке, совпадает с направлением тока. На этом участке АБ потенциал уменьшается на значение ЭДС Е,, т.к. при обходе контура идем навстречу ЭДС. Отсюда следует:

положения заземлителя потенциал уменьшается (зависимость обратно пропорциональна расстоянию) и в удаленных точках близок к нулю. Таким образом, в качестве точек нулевого потенциала могут служить точки, достаточно удаленные от заземлителя (обычно достаточно расстояние в несколько десятков метров). Крутизна кривой распределения потенциалов зависит от проводимости грунта: чем меньше проводимость грунта, тем более пологую форму имеет кривая, тем дальше расположены точки нулевого потенциала.

Нетрудно видеть, что при удалении от особой точки (z0) в обе стороны вдоль оси потенциал возрастает, а при удалении в радиальном направлении потенциал уменьшается. Такую особую точку обычно называют седлообразной точкой или точкой «седловины» поля.