Потенциал соответствующий

7.4. РАБОТА РАЗДЕЛЕНИЯ. ПОТЕНЦИАЛ РАЗДЕЛЕНИЯ. РАЗДЕЛИТЕЛЬНАЯ МОЩНОСТЬ*

Следовательно, это условие устанавливает значение разделительной мощности ступени. В то же время из этого условия получаем дифференциальное уравнение (7.23), определяющее потенциал разделения.

Вернемся теперь к уравнению (7.23), определяющему потенциал разделения V(x). Его общее решение имеет вид

чения, так как при вычислении работы разделения по формуле (7.18) они не входят в окончательный результат с учетом уравнений материального баланса *. Поэтому можно положить A=B=Q, и тогда потенциал разделения V(x) принимает вид

1. Существует функция ценности U—MV(x), где М — количество бинарной изотопной смеси; V(x) — потенциал разделения, зависящий только от изотопного состава смеси.

Потенциал разделения 212 Потенциальные запасы урана 14 Поток тяжелой и легкой фракции 206 Потребности АЭС в обогащенном

7.4. Работа разделения. Потенциал разделения. Разделительная мощность .................212

7.4. РАБОТА РАЗДЕЛЕНИЯ. ПОТЕНЦИАЛ РАЗДЕЛЕНИЯ. РАЗДЕЛИТЕЛЬНАЯ МОЩНОСТЬ*

Следовательно, это условие устанавливает значение разделительной мощности ступени. В то же время из этого условия получаем дифференциальное уравнение (7.23), определяющее потенциал разделения.

Вернемся теперь к уравнению (7.23), определяющему потенциал разделения V(x). Его общее решение имеет вид

:ния, так как при вычислении работы разделения по формуле М8) они не входят в окончательный результат с учетом уравне-ш материального баланса *. Поэтому можно положить Л=В=0, тогда потенциал разделения V(x) принимает вид

Если на один из входов (или на несколько входов) подан потенциал, соответствующий логической 1 (1/вх = — 0,87 В), открывается входной транзистор, а транзистор V5 закрывается. Ток /э протекает по цепи R1—V1—V4~R7. Потенциал объединенных коллекторов VI—V4 равен I/ = — 0,97 В. На выходе эмиттерного повторителя V8 устанавливается уровень, соответствующий 0, а на выходе эмиттерного повторителя V7—1.

При низком потенциале на входах (логический «О») транзисторы заперты и на выходе имеется логическая «1» (напряжение -f- UHn). Если хотя бы к одному из входов приложить высокий потенциал, соответствующий логической «1», то соответствующий этому входу транзистор войдет в режим насыщения и потенциал коллекторов всех транзисторов (выход схемы) снизится до нуля (логический «О»). Таким образом, реализуется логическая операция ИЛИ — НЕ.

Если, например, х\ = 0, х% = 0 (код 00), то оба триггера находятся в положении «О». В исходном положении левые выходы триггеров имеют высокий уровень напряжения (отрицание входного сигнала), а правые выходы — нулевой. Поэтому диоды Д\, Дч, Дъ, Д& закрыты, а остальные диоды открыты. Если хотя бы один из диодов, присоединенных к какой-либо выходной шине, открыт, то потенциал этой шины низок, так как практически все напряжение источника -(- ? при прохождении тока через резистор R и открытый диод падает на резисторе, сопротивление которого значительно больше сопротивления диода в прямом направлении. Поэтому высокий потенциал, соответствующий коду «1», возникает лишь на шине У!, к которой подсоединены одновременно закрытые диоды Д\ и Дб. Таким образом, Y\ = 1, У 2 = УЗ = У4 = 0.

На 7-35, а показаны подпрограммы восстановления одних и тех же ионов, полученные при различной концентрации их в растворе. Как видно из кривых, потенциал выделения ионов при прочих равных условиях зависит от их концентрации. Поэтому для качественного анализа используют не потенциал начала резкого возрастания тока (так называемой «волны» тока на графике), а потенциал, соответствующий середине этой волны,— потенциал «полуволны», который не зависит от концентрации ионов и параметров преобразователя. Если графически продифференцировать полярографические кривые I = f(U), то максимумы кривых dlldU = f (U) ( 7-35, б) будут при одном и том же потенциале, также соответствующем потенциалу полуволны исследуемых ионов, а высоты максимумов будут пропорциональны концентрациям.

Когда на входы транзисторов 7"ь Т-±, ..., Т/ одновременно подается низкий потенциал, соответствующий логическому 0, то все транзисторы запираются, поэтому потенциал их коллекторов повышается, стремясь к уровню ?к. При этом подключенные к элементу последующие транзисторы отпираются, фиксируя потенциал коллекторов TI, TI, ..., Т/ на уровне U§H, равном потенциалу базы насыщенного транзистора. Этот потенциал соответствует логической 1. Число транзисторов ин, а также сопротивление резистора RK выбирают так, чтобы ток базы открытого транзистора 1^№ = = (?к — V^a)/(RKnH), отбираемый от источника Ек, обеспечивал насыщение транзисторов.

предназначена для выполнения тех же функций, что и в предыдущих ИМС. Элемент дополнен сложным инвертором, который состоит из фазорасщепитеяя на транзисторе TI и двухтактного усилителя мощности на транзисторах TI — Т4, работающих в ключевом режиме. Когда входные диоды проводят, фазорасщепитель закрыт, поэтому закрыт и транзистор TI. При этом проводит эмиттерный повторитель на составном транзисторе Т^-Тз, обеспечивая высокий выходной потенциал, соответствующий логической 1. Когда входные диоды запираются, отпираются транзисторы TI и TI и на выходе устанавливается низкий потенциал. Применение сложного инвертора наряду с увеличением нагрузочной способности элемента одновременно способствует повышению его помехоустойчивости, так как эмиттерный переход транзистора TI играет роль смещающего диода. Это позволяет исключить один из диодов смещения, а также дополнительный источник смещения ?2- Однако надо иметь в виду, что ИМС без источника запирающего смещения EI более чувствите.ньна к помехам отпирающей полярности, действующим на закрытые транзисторы через общую шину, так как при этом транзисторы отпираются от помех, амплитуда которых превышает t/OT.T.

транзистор работает в инверсной области. При этом ток, отбираемый от источника Е\, через коллекторный переход транзистора Г] поступает в базу транзистора Та, выполняющего функции инвертирующего усилителя. Инвертор насыщается, и на выходе элемента устанавливается низкий потенциал ^вых = f-^кэн, соответствующий логическому 0. Если хотя бы один из переходов эмиттер — база транзистора Т\ отпирается (из-за подачи на соответствующий вход низкого потенциала), то ток, отбираемый от источника JSi, ответвляется во входную цепь элемента, поэтому прекращается базовый ток инвертора, он запирается,и на выходе элемента устанавливается высокий потенциал, соответствующий логической 1. При этом МЭТ работает в режиме насыщения с разомкнутым коллектором (/к! = /62 * 0).

В этой цепи микросхемы с инверторами TI, Т2, ..., TIH, коллекторы которых соединены между собой, образуют логический элемент ИЛИ-НЕ, работающий так же, как аналогичный элемент на микросхемах НСТЛ (см. 7.3). Если на вход одного или нескольких инверторов подается высокий потенциал, равный логической 1, то соответствующие инверторы отпираются и на их общем выходе устанавливается логический 0. Когда на входы инверторов 7\, Т2, ..., Т{ одновременно подается низкий потенциал, соответствующий логическому О, токи инжекторов ТиЬ Т„2 ... перехватываются ИМС, подключенными ко входам 1, 2, ..., 1„, и все инверторы запираются. Выходной потенциал элемента ИЛИ-НЕ повышается до уровня входного потенциала нагрузочных ИМС, инверторы которых начинают проводить, отбирая ток инжекторов /ин.

Компаратор, как следует из его названия,— это сравнивающее устройство. Современные интегральные компараторы напряжений (ИКН) предназначены для сравнения двух напряжений, поступающих на его входы. При этом в зависимости от знака разности напряжений на йходах ИКН на выходе устанавливается потенциал, соответствующий либо логической 1, либо логическому 0. Для совмещения ИКН с цифровыми ИМС указанные абсолютные значения выходных потенциалов должны быть равны потенциалам, соответствующим логическим уровням цифровых ИМС.

Диодно-резисторные и транзисторные логические схемы. К наиболее простым схемам логических элементов относятся диодно-резисторные схемы. Реализация логических функций осуществляется за счет использования нелинейных свойств диода. В связи с тем что в таких элементах отсутствует источник питания, коэффициент передачи мощности между логическими элементами всегда меньше единицы. Поэтому при последовательном соединении между ними обычно включают усилительные и формирующие каскады. Кроме того, на базе диодно-резисторных схем нельзя непосредственно реализовать функцию логического отрицания НЕ. В соответствии со смыслом логического отрицания при подаче на вход элемента НЕ информации, соответствующей единице (например, высокого потенциала), на выходе должен получиться низкий потенциал, соответствующий нулю, и наоборот. Таким свойством обладают инверторы, построенные на основе ламповых или транзисторных усилителей. Существенным недостатком является и малое входное сопротивление диодно-резисторных схем по сравнению с выходным, что затрудняет их последовательное включение. К преимуществам диодно-резисторных схем относятся их простота и возможность преобразования логических элементов изменением направления включения диодов и полярности питающих напряжений (например, элемента ИЛИ в элемент И).

На 11.14 приведена схема логического элемента ИЛИ с тремя входами, построенная на одном туннельном диоде. Импульс тока на каждом из входов должен быть не меньше определенного значения, при котором схема переходит из одной рабочей точки в другую. В результате на выходе появляется более высокий потенциал, соответствующий значению «единица». Эта же схема может выполнять функции элемента И, если импульсы тока на каждом входе недостаточны для перевода схемы в другое состояние и только при одновременной подаче импульсов на все три входа осуществляется переход.