Потенциала соответствующего

Объемный образец. Метод стационарной поверхностной фото-' ЭДС основан на измерении разности потенциалов лежду освещенной и неосвещенной поверхностями полупроводни <ового образца. Электростатический потенциал поверхности полупроводника определяется приповерхностным изгибом энергетических зон. Изменение электростатического потенциала поверхности и результате генерации носителей заряда называют поверхностной фото-ЭДС. Это изменение обусловлено в основном двумя причинами. Во-первых, оно связано с пространственным перераспределением объемного заряда из-за наличия неравновесных носителей заряда в приповерхностной области и, во-вторых, с захватом Носителей заряда поверхностными состояниями. Влияние неравновесных носителей

При приложении внешнего электрического поля перпендикулярно поверхности полупроводника происходит изменение электростатического потенциала поверхности, объемного заряда, поверхностной проводимости и емкости, причем Qn становится отличным от нуля.

емкость, обусловленная изменением электростатического потенциала поверхности.

Если для конкретных условий известна расчетная кривая распределения потенциала поверхности земли вокруг заземлителя, то можно найти зависимости Um = f(U3, г) и (/пр = г](1/з).

Если для конкретных условий известна расчетная кривая распределения потенциала поверхности земли вокруг заземлителя, то можно найти зависимости {/ш=/(?/3> г) и Unp = ty(Ua).

равного потенциала поверхности двух металлических пластин, имеющие электрические заряды, равные по величине, но противоположные по знаку ( 6-11). В начале координат пластины отделены друг от друга весьма тонким слоем диэлектрика. Так как основное требование постоянства потенциала на поверхности каждой пластины оказывается удовлетворенным, то, следовательно, поле таких пластин характеризуется рассмотренной функцией. Постоянные А и С2 найдем из условий: U = С2 = иг при 6 = О, U = Аа + С2 = U2 при

Линии напряженности поля представляют собой окружности, линии равного потенциала — радиальные прямые, и поверхности равного потенциала — плоскости, проходящие через ось 02, Совместим с любыми двумя поверхностями равного потенциала поверхности двух металлических пластин, имеющие электрические заряды, равные по значению, но противоположные по знаку ( 24.11). В начале координат пластины отделены друг от друга весьма тонким слоем диэлектрика. Так как основное требование постоянства потенциала на поверхности каждой пластины оказывается удовлетворенным, то, следовательно, поле таких пластин характеризуется рассмотренной функцией. Постоянные А и С2 найдем из условий: U-C2 = U\ при 9 = 0, U = Aa + C2-U2 при 0 = а. Следовательно, Aa=U2- Uh где а — угол между пластинами. Кроме того, In r= 0 w.C\ = V\ при г= 1. Таким образом, функция, характеризующая поле, имеет вид

Если для конкретных условий известна расчетная кривая распределения потенциала поверхности земли вокруг заземлителя, то можно найти зависимости Um=f(U3, r) и Unp=\p(U3).

где At/ — приращение потенциала поверхности мишени; iT и г'ф —

47, Схема изменения потенциала поверхности элемента

и И. Киучи (1971 г.). Изменение потенциала поверхности элемента

Замыкание ключа происходит в два этапа. На первом этапе входная емкость Свх транзистора заряжается до потенциала, соответствующего отпиранию его эмиттерного перехода. При этом напряжение на выходе ключа не меняется. Время, в течение которого напряжение на выходе ключа постоянно, называют временем задержки включения транзистора Г3.вкл- На втором этапе транзистор работает в активной области статической характеристики, переходя от точки А к точке В ( 11.19,6). Время, в течение которого транзистор работает в активной области статической характеристики, — время фронта включения транзистора ?ф.вкл- Оно уменьшается с ростом отпирающего тока базы, при использовании высокочастотных транзисторов, а также при уменьшении паразитной емкости Свых, шунтирующей коллекторную цепь транзистора. Общее время включения

Импульсно-потенциальный клапан состоит из диода и трансформатора, по обмотке которого протекает ток только во время поступления импульса при наличии на другом входе клапана потенциала, соответствующего значению логического 0. При этом на выходе клапанов во вторичной обмотке трансформатора возникает импульс, соответствующий логической 1 (см. 3-12). Для увеличения числа входов импульсно-потенциально-го клапана используется трансформатор с несколькими первичными и одной вторичной обмотками.

Управление переключателем тока производится путем подачи сигналов на базы транзисторов 7\ — Т3. На базу транзистора Глодается фиксированный опорный потенциал Uon, значение которого выбирают так, чтобы транзистор Т был способен пропускать полностью ток /о ПРИ установлении на базах входных транзисторов низкого потенциала, соответствующего логическому 0. При подаче высокого потенциала, соответствующего логической 1, на базу хотя бы одного из входных транзисторов ток /о переключается в эмиттерную цепь соответствующего входного транзистора. При этом транзистор Т с фиксированным смещением запирается. При переключении элемента происходит изменение выходных потенциалов: потенциал коллекторов входных транзисторов понижается на адг/оКкЬ а потенциал коллектора транзистора Т, повышаясь на aN/oRK2, достигает уровня напряжения источника питания ?к.

Если же при считывании на пластину поступает сигнал, закон которого отличается от записанного ранее, то элементы мишени заряжаются до напряжения, равного разности записанного потенциала и потенциала, соответствующего новому сигналу. Происходит вычитание сигналов. Поэтому такие трубки часто называют вычитающими.

При распределении потенциала, соответствующего кривой 3, между анодом и катодом образуется минимум потенциала, который делит все пространство на два участка: 1) от катода до минимума потенциалам 2) от минимума потенциала до анода. Электроны, эмиттируемые катодом, попадают на первом участке в тормозящее

Если же при считывании на пластину поступает сигнал, закон которого отличается от записанного ранее, то элементы мишени заряжаются до напряжения, равного разности записанного потенциала и потенциала, соответствующего новому сигналу. Происходит вычитание сигналов. Поэтому такие трубки часто называют вычитающими.

от V, показанные на 3.4.3, с помощью уравнения (3.4.1), то можно получить ошибочное значение внутреннего потенциала VD, который принимает значение, превышающее значение потенциала, соответствующего высоте барьера Шоттки.

от V, показанные на 3.4.3, с помощью уравнения (3.4.1), то можно получить ошибочное значение внутреннего потенциала VD, который принимает значение, превышающее значение потенциала, соответствующего высоте барьера Шоттки.

Предположим, что на экран, в целом являющийся диэлектриком, падает поток электронов, ускоренных разностью потенциалов, меньшей потенциала, соответствующего точке а (см. 6.12). Очевидно, в этом случае с экрана уходит меньше вторичных электронов, чем приносится лучом (сг<1), на экране накапливается отрицательный заряд, у поверхности экрана создается тормозящее (для электронов луча) поле. В пределе потенциал экрана стремится к нулю (потенциалу катода прожектора). За счет тормозящего поля электроны луча начинают отражаться от экрана, «кажущийся» коэффициент вторичной эмиссии стремится к единице (пунктирная кривая на 6.12), что соответствует отражению всех электронов, направляемых на экран, обратно в сторону прожектора. Таким образом, при энергии электронов луча, меньшей eUu

При энергии электронов луча, соответствующей участку кривой правее точки Ь на 6.12, коэффициент вторичной эмиссии экрана становится меньше единицы. На экране начинает накапливаться отрицательный заряд, так как число уходящих с экрана вторичных электронов меньше числа электронов, приносимых на экран лучом. Накопление отрицательного заряда на экране снижает потенциал его поверхности, у экрана создается поле, тормозящее электроны луча. Очевидно, понижение потенциала экрана будет происходить до тех пор, пока значение коэффициента вторичной эмиссии не станет равным единице, т. е. до потенциала, соответствующего точке Ъ на кривой 6.12. По достижении поверхностью экрана потенциала точки Ь дальнейшего накопления заряда на экране не будет — установится равновесие между числом