Потенциально ненадежных

При увеличении амплитуды входного сигнала Евк\ ток транзистора Т\ увеличивается, а напряжение на его коллекторе ?/ВЫх1 снижается и, наоборот, ток транзистора Тч уменьшается, что сопровождается ростом напряжения UetlX2 [(участок t\ — t
Так как на потенциальной диаграмме сопротивления отдельных участков цепи откладываются в определенном масштабе по оси абсцисс, а по оси ординат — потенциалы, то каждой точке цепи соответствует точка на потенциальной диаграмме.

Согласно потенциальной диаграмме ЭДС, ?j3=40 В.

В этом легко убедиться, рассматривая прямоугольные треугольники, построенные на потенциальной диаграмме ( 2.10) — вертикальный катет в масштабе

Вопрос 2. Укажите схему, соответствующую потенциальной диаграмме 3.3, если Е^<Е2 и

В этом легко убедиться, рассматривая прямоугольные треугольники, построенные на потенциальной диаграмме (см. 2.15) —вертикальный катет в масштабе представляет собой напряжение, а горизонтальный —• сопротивление. Так как сила токев в резисторах одинакова, то углы си и ста равны, а соответствующие отрезки параллельны.

Вопрос 2. Укажите схему, со-соответствующую потенциальной диаграмме 3.6, если EI < Е2

Образование дырки показано на потенциальной диаграмме 2.6, которую легко получить из энергетической диаграммы для отдельного электрона, энергия которого измеряется в электрон-вольтах. В этом случае числовые значения энергии, выраженные в электрон-вольтах и вольтах совпадают. Потенциальная диаграмма (см. 2.6) иллюстрирует процесс образования пары: дырки и электрона.

Если к р-п переходам подключить внешние источники напряжения, то наступит неравновеснее состояние концентраций носителей зарядов (см. § 2.3), которое выразится на потенциальной диаграмме большим или меньшим смещением изломов в области р-п переходов. Б связи с этим внешние напряжения иногда называют смещающими. Под воздействием смещающих напряжений через транзистор потечет ток. Этот ток будет изменяться с изменением напряжений, прикладываемых к переходам. Если внешнее напряжение скомпенсирует контактную разность потенциалов одного из переходов, то этот переход булет открыт.

3-54. Что происходит на потенциальной диаграмме, если изменяется заземляемая точка?

1-65. На какой потенциальной диаграмме цепи ( 1.65) допущена ошибка, если ?, = 40 В, ?2=60 В, ?3=10 В, ?4=70 В, ?/=20 В, г= = 10 Ом? Внутренние сопротивления всех источников г0=0.

4) трудность контроля корпус монтажа кристаллов и окончательного изготовления ИМС; невозможность до последнего времени проведения ЭТТ для обеспечения отбраковки потенциально ненадежных ИМС. В связи с этим сборка методом перевернутого кристалла применялась в отечественной практике в основном для микромонтажа ИМС невысокого уровня интеграции (МИС и СИС). Полный контроль ИМС и проведение ЭТТ связано с использованием полиимидных носителей, установленных в технологическом корпусе ( 4.8).

Кроме рассмотренных категорий испытаний в производстве ИМС особое место занимают так называемые технологические испытания, которые имеют большое значение в практике исследования и повышения качества ИМС. Целью технологических испытаний является своевременная отбраковка потенциально ненадежных ИМС. Состав и последовательность проведения этих испытаний базируются на использовании изложенных ниже видов испытаний и методики их проведения.

Эффективность программы отбраковки потенциально ненадежных микросхем зависит от многих факторов и должна оцениваться с учетом экономической целесообразности. Помимо экономической целесообразности при определении оптимальной программы обраковочных испытаний необходимо исходить из соображений обеспечения гарантии сох-

Испытания изделий — это группа операций, имитирующих реальные или экстремальные условия их эксплуатации с целью выявления потенциально ненадежных изделий.

возможностей конструктивно новых изделий; при граничных испытаниях МЭ и ИМ оцениваются предельные нагрузки на изделия, на основании которых определяются безопасные величины нагрузок при эксплуатации (не вызывающие ухудшения качества.и надежности применяемых' изделий), виды нагрузок и режимы испытаний для выявления потенциально-ненадежных изделий, виды и механизмы наиболее характерных отказов.

Метод измерения m-характеристик основан на выявлении потенциально ненадежных ПП по виду входной вольт-амперной характеристики при малых уровнях ин-жекции.

Безусловно, что испытания под термической нагрузкой являются более дешевыми. Но являются ли они более эффектшшыми, чем испытания под электрической нагрузкой с точки зрения выявления потенциально ненадежных изделий? Для ответа на этот вопрос рассмотрим приведенные на 3.24 обобщенные зависимости интенсивности отказов от нормализованной температуры * и отношение рабочей мощности рассеяния к максимальной для ПП. Эти характеристики позволяют, исходя из известных точек зависимости количественных показателей надежности от электрического и температурного режимов, получить расчетным путем показатели надежности для любого температурного режима.

личная интенсивность отказов, что связано с механизмом нагревания за счет повышения мощности рассеяния на коллекторе или температуры окружающей среды. В первом случае интенсивность отказов выше. Таким образом, испытания под электрической нагрузкой являются более жесткими, чем испытания под термической нагрузкой, и, следовательно, более эффективными для выявления потенциально ненадежных приборов. При этом следует учесть, что при работе МЭ и ИМ под электрической нагрузкой выявляются такие отказы, которые зачастую невозможно обнаружить при термических нагрузках.

Климатические испытания МЭ и ИМ проводятся не только на стадии их разработки (ОКР), но и при освоении изделий в серийном производстве, а также в самом серийном производстве для отбраковки потенциально ненадежных изделий (технологические испытания) и контроля стабильности производства (периодические испытания).

чение параметра а в случае оценки надежности готовой продукции выражает долю потенциально ненадежных изделий в выборке объемом /г, т, е.

где Q=D/N — доля потенциально ненадежных изделий в партии объемом N, из которой взята выборка.