Потенциальный коэффициент

Глава I посвящена рассмотрению структур и электрических параметров элементов полупроводниковых и гибридно-пленочных микросхем. В главе 2 изложены основные принципы технологии ИМС, описана последовательность разработки микросхем различной степени интеграции.

без раскрытия каких-либо конструктивных признаков. Схемотехнические приемы построения базовых логических элементов ИМС разнообразны. Они могут базироваться как на классических методах, заимствованных из дискретной электроники, так и на новых, рожденных спецификой ИМС. Настоящая глава и посвящена рассмотрению основных схемотехнических решений базовых логических элементов ИМС. Прежде чем перейти к рассмотрению конкретных схемотехнических решений, остановимся на некоторых общих для всех базовых логических элементов характеристиках и параметрах.

Вторая глава посвящена рассмотрению электрических параметров МЭ и ИМ и методов их измерения.

Как уже указывалось выше, настоящая книга посвящена рассмотрению электрических цепей, в которых сопротивления, индуктивности и емкости не зависят от величин и направлений токов и напряжений. Такие электрические цепи, как и сами элементы, из которых они состоят, называются линейными, так как напряжение и ток в каждом элементе связаны между собой линейным уравнением — алгебраическим или дифференциальным — первого порядка.

Как уже указывалось выше, настоящая книга посвящена рассмотрению электрических цепей, в которых сопротивления, индуктивности и емкости не зависят от токоз и напряжений и их направлений. Такие электрические цепи, как и сами элементы, из которых они состоят, называются линейными, так как напряжение и ток в каждом элементе связаны линейным уравнением — алгебраическим или дифференциальным первого порядка.

Книга посвящена рассмотрению широкого круга физических явлений, определяющих принципы построения и работы РЭА и ЭВА и технологических процессов их изготовления — физической природе механических, тепловых,, электрических и магнитных свойств твердых тел и пленок, адгезионной связи. и механической стабильности и надежности пленочных структур, природе контактных и поверхностных явлений, термоэлектрических, гадьваноыапштиых, оптических и фотоэлектрических эффектов и механизму переноса зарядов через, тонкие пленки.

Книга посвящена рассмотрению физической природы механических, тепловых, электрических и магнитных свойств твердых тел и пленок, природы адгезионной связи и механической стабильности пленочных структур, природы контактных и поверхностных явлений, термоэлектрических, гальваномагнитных, оптических и фотоэлектрических эффектов и механизма переноса тока сквозь тонкие пленки.

В начале книги изложены общие задачи экономического анализа при внедрении новой техники. Первая глава посвящена рассмотрению этих вопросов потому, что методика определения экономической эффективности промышленного применения радиоактивных изотопов является частным вопросом общей методики экономических обоснований новой техники. Кроме того, в теоретические вопросы экономических обоснований новой техники при социалистическом способе производства внесена далеко еще не полная ясность.

Настоящая глава посвящена рассмотрению следующего этапа оптимизации, который примерно соответствует стадии разработки эскизного проекта АЭС. Цель

Вторая часть учебного пособия посвящена рассмотрению статической и динамической устойчивости и асинхронных режимов в

Глава 2 посвящена рассмотрению общих свойств невзаимного сочленения с использованием аппарата матриц [Z], [S] и их собственных значений, что позволяет в определенной степени восполнить имеющий место в литературе пробел.

где осц, «за — собственные потенциальные коэффициенты высоковольтного элемента аппарата и экрана; а12 — взаимный потенциальный коэффициент.

Собственный потенциальный коэффициент эквивалентного электрода с учетом (4.49) и (4.50)

Формула (4.53) позволяет оценить влияние размеров дополнительного экрана. Взаимный потенциальный коэффициент определяется в основном взаимным расположением ВЭА и промежуточного экрана. Поэтому возможности его изменения ограничены. Увеличение размеров дополнительного экрана приводит к уменьшению собственного потенциального коэффициента а22, что в свою очередь приводит к

уменьшается обратно пропорционально R0. Следует иметь в виду, однако, что при увеличении радиуса R0 тороида относительно размеров ВЭА уменьшается собственный потенциальный коэффициент тороида (а22 = 1/Ст), что согласно (4.49) приводит к уменьшению заряда
Предположим, что имеется два отрезка проводов, длины которых /! и /2 ( 7-14). Требуется вычислить потенциальный коэффициент а12. Предположим, что qt — О и цг ф 0. При этом имеем:

Таким образом, искомый потенциальный коэффициент определяется формулой:

пользуясь методом средних потенциалов, потенциальный коэффициент а12 для случая параллельных отрезков проводов, расположенных на расстоянии D друг от друга и имеющих одинаковые длины /i = 4 = /, причем начала отрезков лежат на одном перпендикуляре к ним. Оси координат расположим так, как показано на 7-16. Имеем:

Здесь через a12 обозначен потенциальный коэффициент: a12 =

Предположим, что имеются два отрезка проводов, длины которых 1\ и 1% ( 25.14). Требуется вычислить потенциальный коэффициент СЦ2. Предположим, что q\ = О и q2 * 0- При этом имеем

Таким образом, искомый потенциальный коэффициент определяется форму-

В качестве примера определим, пользуясь методом средних потенциалов, потенциальный коэффициент а]2 для параллельных отрезков проводов, расположенных на расстоянии D друг от друга и имеющих одинаковые длины Ii~l2 = I, причем начала отрезков лежат на одном перпендикуляре к ним. Оси координат расположим так, как показано на 25.16. Имеем