Построить резонансную

12. По данным табл. 16.1 построить резонансные кривые fL = f(L); Ic = f(L); /o = f(L); IL= f (С); /c = f(C); /o = /(C).

6. По результатам опытов и расчетов построить резонансные кривые:

2. По результатам опытов и расчетов построить резонансные кривые; IL, /с, /аь Л ф == f(Bc).

5.26р. В последовательной резонансной цепи R = 2 Ом; С = = 1 00 мкФ; L = 40 мГ. Определить резонансную частоту ш0, добротность контура, полосу пропускания и зависимость полосы пропускания от добротности контура. Построить резонансную кривую ///шах = / (я) в относительных единицах, где п = 0. При U = 10В построить векторные диаграммы напряжений для частот ш0/2, о>0, 2ш0.

= /(ш), полагая, что частота w изменяется от 0 до оо. Принять RC = = 0,182 с. Воспользовавшись резонансной кривой фт = /(<«) для цепи без потерь, полученной при решении предыдущей задачи, построить резонансную кривую для цепи с потерями.

10.53р. Нелинейные емкость с кулон-вольтной характеристикой ис— од3 и индуктивность с вебер-амперной характеристикой i = = а2ф3 присоединены к источнику синусоидального напряжения e(t) — Emsma)t ( 10.26, д). Полагая Ет = 2 В, построить резонансную кривую зависимости амплитуды Qm первой гармоники заряда на нелинейной емкости в функции частоты со.

5.26р. В последовательной резонансной цепи R = 2 Ом; С = = 1 00 мкФ; L = 40 мГ. Определить резонансную частоту ш0, добротность контура, полосу пропускания и зависимость полосы пропускания от добротности контура. Построить резонансную кривую ///шах = / (я) в относительных единицах, где п = 0. При U = 10В построить векторные диаграммы напряжений для частот ш0/2, о>0, 2ш0.

= /(ш), полагая, что частота w изменяется от 0 до оо. Принять RC = = 0,182 с. Воспользовавшись резонансной кривой фт = /(<«) для цепи без потерь, полученной при решении предыдущей задачи, построить резонансную кривую для цепи с потерями.

10.53р. Нелинейные емкость с кулон-вольтной характеристикой ис— од3 и индуктивность с вебер-амперной характеристикой i = = а2ф3 присоединены к источнику синусоидального напряжения e(t) — Emsma)t ( 10.26, д). Полагая Ет = 2 В, построить резонансную кривую зависимости амплитуды Qm первой гармоники заряда на нелинейной емкости в функции частоты со.

3.32. Для контура и по данным задачи 3.30 построить резонансную кривую неразветвленного тока в зависимости: а) от отношения расстройки частоты питающего генератора А/ к резонансной частоте /о (построение сделать для области частот, отличающихся от резонансной на ± 10%); б) от отношения f/fa и в) от обобщенной расстройки 5.

4.39. Параметры двух одинаковых индуктивно связанных контуров: L! = L2 = L = 0,8 мГн, Cl = С2 == С = 750 пФ, ^ = Rz = = R = 30 Ом, М = 50 мкГн. Э. д. с. Е = 120 В. Построить резонансную кривую тока во втором контуре при изменении угловой частоты от 0,9 ша до 1,1 MO. где со0 —• резонансная частота каждого из контуров. Определить частоты связи и полосу пропускания.

4.32. Для контура и по данным задачи 4.30 построить резонансную кривую неразветвленного тока в зависимости: а) от отношения расстройки частоты питающего генератора Д/ к, резонансной частоте /0 (построение сделать для области частот, отличающихся от резонансной на ±10%); б) от отношения ///0 и в) от обобщенной расстройки ?.

5.53. Параметры двух одинаковых индуктивно связанных контуров: L! = LZ = L — 0,8 мгн, GI = С2 = С = 750 ш/>, г4 = г2 = т = = 30 ом, М =• 50 л«/сгн, Эд.с. ? = 120 в. Построить резонансную кривую тока во втором контуре при изменении угловой частоты от 0,9 со„ до 1,1 «о. гДе f°o — резонансная частота каждого из контуров. Определить частоты связи и полосу пропускания.

4. Построить резонансную кривую / = F(f). По кривой найти приближенное значение резонансной частоты/0. Установить это значение на стенде и уточнить , добившись совпадения по фазе напряжения и тока (напряжения U, ), используя оба канала ЭЛТ. Повторить замеры, указанные в п. 1 и выполнить повторно все пункты (п. 1, п.2, п.З) для резонансного (или близко к резонансному) режима.

4. Построить резонансную кривую /=F(C) и по ней найти приближенное значение резонансной емкости С. Установить это значение на магазине емкостей и уточнить, добившись совпадения по фазе напряжения и тока (напряжения на г=100 Ом), используя оба канала ЭЛТ. Повторить замеры, указанные в п.1 и выполнить повторно все пункты (nl, п2, пЗ) для резонансного (или близкого к резонансному) режима.