Построении различных

При построении потенциальной диаграммы равный нулю потенциал выбран у нейтральной точки N воображаемого генератора, которая служи? началом отсчета. Из начала отсчета построены три вектора фазных ЭДС воображаемого генератора Е ., Е„ и Е.-,. Концы этих векторов определяют комплексные значения потенциалов Пр., фа и уг линей-

При построении потенциальной диаграммы равный нулю потенциал выбран у нейтральной точки N воображаемого генератора, которая служит началом отсчета. Из начала отсчета построены три вектора фазных ЭДС воображаемого генератора ЁА, Ёд и ЁС . Концы этих векторов определяют комплексные значения потенциалов $А, Фв и <рс линейных -проводов А, В и С при
При построении потенциальной диаграммы равный нулю потенциал выбран у нейтральной точки ./V воображаемого генератора, которая служит началом отсчета. Из начала отсчета построены три вектора фазных ЭДС воображаемого генератора Ё., ЕВ и Ес. Концы этих векторов определяют комплексные значения потенциалов ф., ф„ и у„ линей-

При построении потенциальной диаграммы масштаб сопротивлений тг = 0,1 ом/мм. Сопротивления по горизонтальной оси будем откладывать в том порядке, в каком они встречаются при обходе цепи. Для значений потенциалов, откладываемых по вертикальной оси, выберем масштаб тф = 0,5 в/мм. По данным подсчета построена потенциальная диаграмма ( 1.6, б). На любом пассивном элементе цепи соблюдается закон Ома (например, / = (фл —
Потенциальную диаграмму строят в прямоугольной системе координат. При этом по оси абсцисс откладывают в соответствующем масштабе сопротивления всех участков цепи, а по оси ординат — потенциалы соответствующих точек. При построении потенциальной диаграммы одна из точек цепи условно заземляется, т. е. принимается, что потенциал ее ф=0. На диаграмме эта точка помещается в начале координат.

При построении потенциальной диаграммы ( 1.50, 6) условно принимаем потенциал точки / равным нулю (ф = 0). Потенциал точки 7 цепи при заданной полярности напряжения: ф7 = /?,/, — ф, = 10-4 — 0 = 40 В. Координаты точки 7 потенциальной диаграммы: Л7=Ю Ом; ф? = 40В.

10. Как следует откладывать сопротивления при построении потенциальной диаграммы?

Соотношения между токами и напряжениями переменного и постоянного тока. В одноякорном преобразователе э. д. с. переменного и постоянного тока создаются в одной обмотке одним и тем же потоком и поэтому находятся в определенном соотношении, зависящем от числа фаз. Соотношения между э. д. с. можно определить из потенциальной окружности, построенной для обмотки якоря. Щетки, принадлежащие стороне постоянного тока, располагаются под углом 180 эл.град. Электродвижущая сила ?п постоянного тока на щетках преобразователя определяется диаметром АВ потенциальной окружности ( XIV. 1,а). При построении потенциальной окружности пользуются векторами, длина которых соответствует амплитудному значению э. д. с. Поэтому диаметр АВ соответствует амплитудному

тенциал, если заземлена только одна точка? 8. Как определить на опыте знак потенциала какойглибо точки электрической цепи? 9. В каком направлении следует продвигаться по цепи при расчете потенциалов, по ходу или против хода часовой стрелки? 10. В какой последовательности.нужно откладывать сопротивления при построении потенциальной диаграммы?

При построении потенциальной диаграммы контура AMBCNDA ( 24, а) с учетом внутренних сопротивлений источников электрической энергии и обходе контура по часовой стрелке принято, что точка А ( 25) непосредственно соединена с.землей и потенциал ее <рА = 0, вследствие чего

При построении потенциальной диаграммы необходимо помнить, что при обходе контура по направлению тока потери напряжения берут со знаком минус, а при обходе против направления тока ••— со знаком плюс. Что касается переходов через источники электрической энергии, то независимо от направления тока э. д. с. берутся со знаком плюс, если направление обхода идет от отрицательного полюса к положительному, и со знаком минус в противном случае.

Представленная на 1.1 структура (модель) вычислительной машины, получившая название фоннеймановской *, благодаря ее изящной простоте и большой гибкости при управлении вычислительным процессом с самых первых шагов электронной вычислительной техники и по сей день доминирует при построении различных ЭВМ.

К четвертому поколению относятся реализованные на СБИС такие новые средства вычислительной техники, как микропроцессоры и создаваемые на их основе микроЭЕ!М. Микропроцессоры и микроЭВМ нашли широкое применение в устройствах и системах автоматизации измерений, обработки данных и управления технологическими процессами, при построении различных специализированных цифровых устройств и машин.

машин этого класса существенным является обеспечиваемые общим интерфейсом простота реализации системы ввода-вывода и гибкость при построении различных конфигураций вычислительных комплексов.

ОНПЛ, работающая с ритмом штуки (транспортной пачки), является классической формой потока, методика расчета которой используется при построении различных видов непрерывно-поточных линий.

На 2.9 изображены электрические принципиальные схемы токового ключа и источника токов, которые используются при построении различных логических элементов на переключателях токов. Один из вариантов ячейки матрицы для формирования логических элементов показан на 2.10. Отличительной особенностью ячейки является то, что в качестве источника токов используется инверсно включенный многоэмиттерный п-р-л-транзистор с одним закороченным эмиттерным переходом. Соотношения между токами /г1//в, /г2//й (см. 2.9) определяются соотношениями площадей эмиттеров (т1=8э\/8эз и /п2=5э2/5эз> где 5Эз — площадь закороченного эмиттерного перехода).

При построении различных функциональных узлов микросхемы (например, усилительных каскадов) возникает необходимость формирования тока / ( 12.1, а), значение которого не зависит (или слабо зависит) от напряжения на нагрузке U. При этом нагрузкой может служить произвольная, иногда достаточно сложная, в общем случае нелинейная цепь.

Быстродействующие БИС ТТЛ с диодами Шоттки представляют собой микропроцессорный комплект схем, обладающий широким функциональным составом и большой гибкостью при построении различных вычислительных устройств.

Рассмотренные механизмы переноса носителей заряда используются при построении различных пленочных структур, в том числе я сложных (типа металл—диэлектрик—металл—полупроводник). В частности, прохождение электронов через металлические пленки используется при построении пленочных транзисторов с металлической базой.

Счетчики предназначены для подсчета импульсов и широко используются при построении различных узлов систем телемеханики.

Преимуществами световодной ОЭ-связи * являются: высокая степень уплотнения световодов, обеспечивающая огромный объем передаваемой информации, экономия цветных металлов, высокая помехозащищенность, устойчивость к внешним воздействиям и ряд других преимуществ, приводящих в конечном счете к высокой технико-экономической эффективности. Все это создает основания для принципиально качественных изменений в построении различных систем передачи информации и расширяет ее возможности.

Настоящая книга призвана помочь разработчику правильно сориентироваться в сложных вопросах применения КМДП ИС, вооружить его набором методов и типов решений, применяемых при построении различных функциональных узлов и устройств в системах обработки информации. В условиях непрерывного роста номенклатуры и функциональной сложности ИС такая задача становится особенно актуальной, позволяя сократить сроки разработки аппаратуры и повысить ее качество.