Полученный результат

В полупроводниковой технологии для интенсификации химического и электрохимического травления, при отжиге радиационных дефектов лазерным излучением, для стимуляции стадии зародышеобразования при получении эпитаксиальных слоев и т. п. в ряде случаев используют фотохимические процессы. Основным же местом их использования является фотолитография. Именно развитие метода фотолитографии с использованием защитных свойств масок из диоксида кремния послужило основой для создания планарнОЙ технологии -одного из наиболее прогрессивных методов в условиях промышленного производства. Достаточно сказать, что в технологическом цикле производства БИС процесс фотолитографии на разных уровнях повторяется 10—12 раз.

При получении эпитаксиальных слоев кремния наряду с целенаправленным легированием следует учитывать влияние процесса автолегирования примесями, содержащимися в подложке. Механизмы этого процесса могут быть различны: диффузия в твердой фазе из подложки в растущий слой; непосредственный перенос примеси через газовую фазу; перенос примеси в связанном виде при химическом взаимодействии компонентов парогазовой смеси с подложкой (например, при образовании летучих хлоридов примесного элемента). Наиболее существенным при высоких температурах является механизм диффузии в твердой фазе.

При получении эпитаксиальных слоев бинарных соединений AnlBv или их твердых растворов компонент E;v при комнатной температуре находится обычно в газообразном состоянии, что обеспечивает постоянство состава газовой фазы и управляемость процессом легирования. На 4.16 представлена схема установки для эпитаксиального роста и легирования бинарных соединений GaAs, GaP, GaN и твердых растворов типа GaAs.cPi_x; GaxIni_xP; A]xln1-xP; Ga^In^^P^Asi-j,; GajAl^jN, а также других возможных комбинаций, технологически осуществимых при росте из газовой фазы.

При получении эпитаксиальных слоев арсенида галлия наибольшее применение нашел триметилгаллий (ТМГ) (СНзЬОа, имеющий более низкую температуру кипения 1ЬЬ,7°С) по сравнению с температурой кипения своего аналога триэтилгаллия (ТЭГ) CH3Ga, температура кипения которого 143 °С. Интенсивная термическая диссоциация ТМГ происходит при 500—550 °С. Одновременно добавление ТМГ к арсину существенно понижает температуру его термической диссоциации, по-видимому, вследствие каталитического действия образующихся радикалов или арсе-

Для повышения однородности толщин и свойств эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений AUIBV и твердых растворов на их основе, так же как и при получении эпитаксиальных слоев кремния (см. § 1 гл. 6), хорошие результаты дает проведение процесса осаждения при пониженном давлении. Оно резко увеличивает диффузионные характеристики компонентов ПГС, что позволяет существенно понизить температуру осаждения. Однако проведение процесса роста зпитаксиальных слоев при пониженном давлении требует внесения существенных изменений в конструкцию реактора. Они сводятся к созданию диффузионных затворов на входе и выходе из зон источника и осаж-

В некоторых случаях газораспределительную систему комплектуют дополнительными устройствами. Например, при получении эпитаксиальных слоев арсенида галлия хло-ридным методом к ней подключают снабженный термостатом барботер с хлоридом мышьяка (III). Для легирования жидкими соединениями примесей к установке подсоединяют содержащие их барботеры с термостатами, а при легировании парами элементов, например цинка, — печи для их нагрева.

В случае создания эпитаксиальных структур, содержащих несколько различающихся по составу эпитаксиальных слоев, наращивание их производят из расплавов различного состава. Необходимость в использовании нескольких расплавов возникает и при получении эпитаксиальных слоев многокомпонентных твердых растворов, например индий — галлий — мышьяк — фосфор. В этом случае применяют кассеты другой конструкции, в которой подложки последовательно приводят в контакт с расплавами различного состава ( 6.31,6). При этом взаимное движе-

При получении эпитаксиальных слоев одного типа проводимости расплав может быть использован многократно, что снижает удельный расход металлов-растворителей. Для этого его подпитывают летучим компонентом, подаваемым к поверхности расплава в элементарной форме или в виде соединений, например фосфина. При создании в одном технологическом цикле структуры, состоящей из двух слоев разного типа проводимости, после наращивания первого слоя, легированного, например, донорной примесью (теллуром), подложки извлекают из расплава, который перекомпенсируют, легируя примесью другого типа проводимости, например цинком. Его подают к поверхности расплава в элементарной форме или в виде газообразного соединения, например диэтилцинка. После

Наилучшие результаты при получении эпитаксиальных слоев многокомпонентных твердых растворов дает метод ступенчатого охлаждения ( 6.27, я, линия 2—2'), в котором кристаллизационный процесс протекает в изотермических условиях, не вызывающих изменения эффективных коэффициентов распределения компонентов. Однако необходимое в этом случае постоянство состава слоя расплава, прилегающего к подложке, возможно только лишь в условиях полубесконечной жидкой фазы, т. е. требует использования расплава малой толщины.

Дополнительную возможность повышения однородности эпитаксиальных слоев твердых растворов, содержащих в своем составе летучие компоненты, дает управление их испарением. Например, при получении эпитаксиальных слоев твердого раствора 1п1-жОажР накопление фосфора в расплаве может быть скомпенсировано его испарением. Требуемые для этого расчеты выполняются с использованием приведенных в табл. 4.2 уравнений для соответствующих условий эпитаксиального процесса.

Так же как и летучие примеси, эффективные коэффициенты распределения компонентов расплава обладают заметной ориентационной зависимостью. Например, при получении эпитаксиальных слоев твердого раствора lni-xGaxAsyPi-y на ориентированных по (111)5 подложках фосфида индия состав слоев сильнее зависит от переохлаждения, чем при осаждении на подложках, ориентированных по (100). Поэтому при одинаковом составе расплава контакт с ним подложки фосфида индия, ориентированной по (111)5, вызывает переохлаждение на 2—3°С больше, чем в случае контакта с поверхностью (100).

5. Если множитель — положительное число, полученный результат представляет собой произведение. Если множитель отрицателен, то для получения произведения' к результату прибавляется ' множимое с обратным знаком.

8.14. Найти общее число управляющих шин-проводов для МОЗУ типа 2D без координатных трансформаторов, если т = 4096 и п = 9. Сравнить полученный результат с вычисленными в задачах 8.12 и 8.13.

В научных работах трудно предвидеть порядки величин, которые участвуют в расчетах, и очень скоро, перемножив два больших числа, мы получим аварийный останов (авост) ЭВМ, так как полученный результат не будет умещаться в арифметическом устройстве. Чтобы избежать этого, введем масштабы для переменных, чтобы все числа, с которыми мы имеем дело, были меньше 1. Авоста при умножении мы избежим, но затрудним себе жизнь дополнительными действиями над масштабами. Поэтому в ЭВМ, предназначенных для научных вычислений, приняты формы представления чисел с плавающей запятой. Число, записанное в естественной форме, например —397,83514, может быть представлено в такой форме: —0,39783514-103. Первая часть числа называется мантиссой (М), а вто-

Увеличить число разрядов, отводимое на адрес, можно, сократив число адресов. Можно обойтись двумя адресами, если результат записывать по адресу второго операнда в бинарных операциях. А во многих типах операций (управления, останов, логических) третий, а часто и второй адрес вообще не используется. Можно пойти еще дальше и уничтожить и второй адрес в команде. Для этого введем в АУ так называемый аккумулятор, в котором будет храниться результат предыдущей операции. А как мы увидим из нижеприведенного примера программирования, такое положение, когда только что полученный результат сразу же используется следующей командой, встречается довольно часто. Итак, возможно получить типы одноадресных и двухадресных команд и удлинить адрес выборки или посылки числа в ОЗУ, т. е. объем адресуемого ОЗУ.

Решение. Для расчета В0 необходимо сначала выбрать цепь ОС. С помощью табл. 7.2 определить а0=1/Во = 1/0,105=9,52<10. Полученный результат позволяет остановиться на цепи ОС по схеме № 1 или 2. В связи с тем, что полоса пропускания усилителя не указана, можно выбрать любую из этих схем. Выполнив расчет схемы № 2, получим /?= (а0— 1) (R'r+R"r) = (9,52— 1) (37,5+81) =• =i!009,6 Ом, номинальное значение 1 кОм.

— /рез//) для обобщенной расстройки контура. Полученный результат округлите до целого числа десятков. 12.6. Воспользуйтесь формулой (12.14) из [1].

Сравнивая полученный результат с равенствами (4.1),,видим, что матрица передачи отрезка линии с потерями имеет вид:

Найти закон изменения напряжения на резисторе. Сравнить полученный результат с графиком на 7.9, б.

должен быть меньше или равен нулю. При значениях В>0 полученный результат недействителен, так как в этом случае картина движения потока не соответствует принятой гипотезе, на основании которой составлено уравнение (2.54).

Полученный результат нереален, так как напряжение питания положительно. Он означает, что транзистор работает в режиме насыщения, поскольку на эмиттерном и на коллекторном переходах присутствуют прямые напряжения. Переходы включены навстречу друг другу с примерно равными напряжениями, т.е. Е/БЭ« С/БК!> поэтому суммарное напряжение UK3= ?/вых«0. Ток /к в этом случае не может

Полученный результат свидетельствует о том, что входные импульсы не могут быть удовлетворительно переданы на выход, так как длительность фронта выходного импульса оказалась больше длительности входного импульса.