Построения указанных

Для построения векторной диаграммы напряжения и тока цепи на комплексной плоскости запишем их комплексные амплитуды в соответствии с уравнениями (5.1) и (5.2):

Для линии трехфазного тока с т симметричными нагрузками ( 1.6, в) на основе построения векторной диаграммы может быть получена расчетная формула потери линейного напряжения от начала линии до последней нагрузки:

Для построения векторной диаграммы откладываем в некотором масштабе вектор напряжения и под углом 73" к нему вектор тока ( 1.17). Далее находим э.д.с. из

Остальные величины, необходимые для построения векторной диаграммы, получаются в результате следующих вычислений:

Для построения векторной диаграммы находим величины:

Мгновенное значение общего тока (в неразветвленной части цепи) равно сумме мгновенных значений токов в ветвях (по первому закону Кирхгофа): i = ii + i2 + J3 = 'ia + t2P + f3a + t3P. Для действующих значений запишем векторную сумму I = I ia + ЬР + Ьа + + 13р. Для построения векторной диаграммы находим значения токов

Уравнения напряжений первичной и вторичной цепей трансформатора, записанные в векторной форме, являются основой для построения векторной диаграммы 7.10:

Для построения векторной диаграммы выберем масштаб: ти = 6 в/мм, т/ = 0,5 а/мм. Масштабы удобно выбирать таким образом, чтобы в единице длины было 1, 2, 5 единиц измерения изображаемой физической величины, или одно из этих трех чисел, умноженное на 10", где п — любое целое положительное или отрицательное число.

Из векторной диаграммы находим, что / = 1,73 а и угол отставания тока от напряжения будет ф = 1°10'. Но точность полученных величин будет зависеть от точности построения векторной диаграммы.

Для построения векторной диаграммы необходимо определить токи Д и /0 и падение напряжения на всех сопротивлениях.

Для построения векторной диаграммы ( 5.3, б) удобно выбрать масштаб тц = 5 в! мм, т/ = 0,5 а/мм. Сначала откладываем векторы фазных напряжений 0А, ОБ, Ос- Векторы фазных токов ламп будут совпадать с векторами напряжений, так как для ламп ФА — фв = Фс — 0. Произведя геометрическое сложение токов, получаем

Рассмотрение методов построения указанных характеристик по характеристикам холостого хода и короткого вамыкания в нашу задачу не входят. Эти методы хорошо рассмотрены в

ний надо определять поправку .к мощности с помощью специальных поправочных кривых. Для построения указанных графических характеристик надо провести целый ряд серий опытов, в том числе при 'варьировании давлений отборов. Для сокращения числа опытов приходится прибегать к расчетно-экспериментальному методу, сокращая число серий опытов проведением расчетов по .отдельным реперным точкам. Такой подход вполне оправдан, если используемые для пересчета зависимости дают надежные достаточно точные результаты.

Один из распространенных численных методов решения подобных задач состоит в замене частных производных конечно-разностными аппроксимациями; при этом решение дифференциальных уравнений в частных производных сводится к решению систем алгебраических уравнений для ряда дискретных значений искомой функции. Второй подход основан на построении резистивной сетки, значения напряжений в узлах которой пропорциональны значениям искомой функции в выбранных дискретных точках исследуемого пространства. Таким образом, оба подхода позволяют находить некоторые приближенные модели процессов, описываемых дифференциальными уравнениями в частных производных. Процедуру построения указанных аппроксимаций можно рассматривать как задачу моделирования физических процессов в некоторой замкнутой области пространства.

Для построения указанных прямых влево от центра координат откладываем на оси абсцисс в выбранном масштабе:

Методика построения указанных зон рассеяния ЦЭН приведена в § 9-4.

Методика построения указанных зон рассеяния ЦЭН приведена в § 9.4.

Методика построения указанных зон рассеяния ЦЭН приведена выше. Нанесение зон рассеяния ЦЭН на генплан проектируемого промышленного объекта позволяет не только определить местоположение ГПП (ГРП), но и наметить их количество. Чем больше расстояние между зонами рассеяния на генплане, тем больше вероятность экономической и технической целесообразности сооружения двух и более ГПП (ГРП).

Заметим, что в оценке (4.74) можно вместо M
собой последовательность решения смешанных краевых задач, количество которых равно числу итерации. В численной реализации метода последовательных приближений для уравнения (3.22) для построения матричных аналогов интегральных операторов требуется решение ограниченного количества краевых задач, определяемого выбранной дискретизацией граничного фрагмента поверхности L. Как правило, количество итераций, необходимых для получения удовлетворительной точности, значительно больше количества краевых задач, требуемых для построения указанных матричных аналогов. Поэтому при большом числе итераций, зависящих от характера сходимости, второй путь приводит к существенной экономии машинного времени.

Пересчетными обычно называют устройства со счет-чиковой структурой. Характерным признаком устройства с такой структурой является возможность перехода в каждом такте только в одно из двух состояний, называемых соседними. Наиболее известные представители пересчетных устройств — счетчики, делители, распределители. Некоторые из них уже были описаны в гл. 2 при описании функционального ряда КМДП ИС. Ниже рассматриваются вопросы построения указанных устройств с более общих позиций, не связанных рядом ограничений. В частности, описывается обобщенный класс счетчиков с произвольным модулем счета, широко применяемых в различного рода синтезаторах частот; предлагаются варианты распределителей на произвольное число направлений, а также приводятся примеры некоторых специальных устройств со счетчиковой структурой.

2. Облученность, создаваемую концентратором на поверхности приемника, также можно определять в два этапа: вначале установить характеристики поля излучения в зоне концентрации, а затем рассмотреть взаимодействие этого поля с лучевоспринимающей поверхностью приемника. Существует мнение, что такой подход позволяет глубже изучить закономерности переноса и распределения лучистых потоков в концентрирующих системах и на этой основе сформулировать некоторые общие принципы построения указанных систем [5]. Не возражая в принципе против такой точки зрения, заметим, однако, что при современной технике расчетов, базирующейся на широком применении ЭВМ, более рациональным представляется прямой путь решения, предполагающий непосредственное определение облученности приемников и осуществление на этой основе анализа и синтеза систем КСИ. Определение характеристик поля отраженного излучения при этом можно рассматривать как частный случай расчета облученности произвольно ориентированных лучевоспри-нимающих поверхностей.