Построения математических

Графики Ф,(0 и Ф2(?) можно построить по приведенным выше выражениям. Для построения магнитных характеристик необходимо произвести расчет магнитной цепи.

Повторяя эти расчеты для нескольких значений потока, получают данные для построения магнитных характеристик Ф2(иаЬ") и Ф3(^аь"') параллельных ветвей ( 11.19).

Основы построения магнитных импульсных элементов

1-3) Основы построения магнитных импульсных алементов 19

Графики Ф{(() и Ф2(г) можно построить по приведенным выше выражениям. Для построения магнитных характеристик необходимо произвести расчет магнитной цепи.

Обзор литературы проведен по пяти направлениям: характеристика крупногабаритных ферромагнитных объектов контроля, анализ конструкций и характеристик магнитных и магнитографических дефектоскопов, анализ связи сигналов магнитометрических преобразователей с напряженностью магнитного поля дефекта, принципы построения автоматиэированннх тепевивионных дефектоскопов и их помехоустойчивость, выбор признаков десректов для автоматической разбраковки изделий. Основы теории и построения магнитных дефектоскопов освещены в работах отечественных ученых В.В .Клюева, Тл. Рораздовского, С. М. Рождественского, О.С.Семевова, П.А. Хзлилеева, В.С.Козлова, Н.Н.Зацепине., В.Б.Щербинина, Г.С.Шелехова и зарубежных Ф.55--рстера и К.Дойча (ФРГ), в которых исследуются различные типы магнитннх дефектоскопов, ,их чувствительность, производительность, анализируется связь размеров дефектов с параметрами магнитных отпечатков, определяется область применения. Однако несмотря на значительные •

Графики Фх (/) и Ф2 (/) можно построить по приведенным выше выражениям. Для построения магнитных характеристик необходимо произвести расчет магнитной цепи. Так как сердечники МУ имеют одинаковые размеры и изготовляются из одинаковых материалов, то и магнитные характеристики Фх (Fj) и Ф2 (Fa) будут одинаковыми.

После построения магнитных характеристик Ф (2Я/) для каждой ветви, состоящей в общем случае из любого числа последовательно соединенных участков с одним и тем же потоком, можно произвести графический расчет разветвленной цепи соответствую-

н. с. катушки, или для построения магнитных характеристик ветви Ф^/да) и цепи Ф(/ш).

Повторяя эти расчеты для нескольких значений потока, получают данные для построения магнитных характеристик Ф2 (Uab) и Ф3 (U'ab) параллельных ветвей ( 5.30).

Пособие состоит из двух частей: «Электрические и магнитные цепи» и «Электромагнитные, электронные и электромеханические устройства». В первой части излагаются основные принципы и методы электротехники, необходимые для построения математических моделей устройств электротехники и электроники; проводится разделение на линейные и нелинейные цепи. Во второй части рассматриваются различные устройства, преобразующие токи и напряжения, электрическую энергию в механическую или тепловую для ее передачи или потребления, а также электрические сигналы для передачи и преобразования информации. В приложении изложены вопросы, которые должны быть известны студентам из курсов физики и высшей математики.

Общих способов построения математических моделей в исследовании операций еще не существует. В каждом конкретном случае строится своя модель радиотехнической системы с учетом индивидуальных особенностей ее использования.

Теория электрических цепей (ТЭЦ) является одним из важнейших разделов теоретической электротехники — общенаучной основы широкого круга технических дисциплин. В рамках ТЭЦ разрабатываются основополагающие для прикладных дисциплин методы описания электромагнитных явлений в электрических цепях и построения математических моделей процессов в них. На базе ТЭЦ создаются способы физического и численного экспериментов, приобретаются навыки анализа достоверности и достаточности получения результатов.

Значительное внимание уделено методам и алгоритмам автоматизированного проектирования полупроводниковых БИС: рассмотрены вопросы построения математических моделей компонентов и фрагментов БИС, используемых при машинном проектировании, а также особенности оптимизации параметров ИМС; представлены современные методы решения задач конструкторского этапа проектирования БИС. Дан краткий анализ перспективных направлений развития элементной базы полупроводниковых БИС, описаны принципы организации систем автоматизированного проектирования БИС.

Данная книга представляет собой одну из первых попыток создания учебного пособия, охватывающего широкий круг вопросов расчета и конструирования полупроводниковых ИМС. В пособии нашли отражение такие вопросы, как технология изготовления БИС, анализ тепловых режимов ИМС, электрических и магнитных полей, а также механическая прочность конструкций ИМС, расчет пассивных и активных компонентов биполярных и МДП-структур (МДП: металл — диэлектрик — полупроводник); описаны разновидности транзисторов, реализуемых в современных ИМС. Значительное внимание уделено методам и алгоритмам автоматизированного проектирования полупроводниковых БИС: рассмотрены вопросы построения математических моделей компонентов и фрагментов БИС, а также особенности оптимизации параметров ИМС, представлены современные методы решения задач конструкторского этапа проектирования БИС. Дан краткий анализ перспективных направлений развития элементной базы полупроводниковых БИС, описаны принципы организации систем автоматизированного проектирования БИС.

В первой главе кратко описаны основные технологические этапы изготовления полупроводниковых ИМС. Рассмотрены вопросы теплового расчета, аппроксимации уравнений в частных производных, описывающих распределение электрических и магнитных полей конструкций ИМС, а также построения математических моделей механических напряжений, возникающих в конструкциях ИМС.

В третьей главе изложены физические основы работы МДП-тран-зисторов, необходимые для понимания особенностей построения математических моделей транзисторов. Рассмотрены разновидности полевых приборов, применяемых в современных ИМС, а также пассивные компоненты, построенные на основе транзисторов. Представленные математические соотношения могут быть использованы для проектирования компонентов логических ячеек МДП-БИС.

Внедрение алгоритмических методов конструирования в практику проектирования БИС привело к созданию систем автоматизированного проектирования БИС (САПР БИС). Последние дают возможность улучшить качество и технические характеристики ИМС, повысить производительность труда инженеров-конструкторов, а также сократить сроки и снизить трудоемкость процесса проектирования схем. Описанию технических средств и информационно-программного обеспечения САПР БИС, а также общим вопросам построения математических моделей фрагментов БИС и оптимизации их параметров посвящена шестая глава.

дух, количество водяного пара, поглощенного сухим воздухом, зависело бы от температуры. Когда вблизи поверхности раздела наступит состояние равновесия, воздух будет насыщен водяным паром; это означает, что в нем находится столько влаги, сколько он может содержать. Свойства смесей жидкостей и их паров труднее изучать с точки зрения термодинамики, чем эти же свойства гомогенных (однофазных) систем. Трудности возникают потому, что идеальный газ —удобная система, которая используется для расчетов и построения математических моделей — не может переходить в иное фазовое состояние. Однако .реальные газы способны переходить в жидкое и твердое состояние, и поведение смеси газ — жидкость или жидкость-—твердое тело трудно предсказать аналитически.

Теория идентификации является разделом теории алгоритмизации и изучает процесс формулирования (построения) математических моделей. Модель — информационное отражение (образ) системы оригинала (прообраза) в соответствии с заданной целью моделирования. Под математической моделью в общем случае понимаются аналитические, графические, табличные и другие описания объекта или процесса, которые связывают наблюдаемые переменные с внешней средой, представляемой в виде воздействий.

В данном случае информация о протекающем процессе неполная и, следовательно, для экспериментирования необходима математическая модель. Для построения математических моделей управления сложными системами используют методы стохастических исследований. В процессе применения их для получения математического описания сложной системы решаются задачи о форме зависимости Y fX)