Постоянное положительное

Таким образом, как следует из последнего выражения, постоянное подмагничивание трансформатора отсутствует.

с постоянным подмагничиванием, то при увеличении зазора магнитная проницаемость сначала растет, а потом начинает уменьшаться. Максимальное значение магнитной проницаемости, которое можно получить при заданной индукции и наличии постоянного подмагничивания за счет создания воздушного зазора в магнитопроводе, обозначают доп1, соответствующее ему значение зазора — /опт. Чем больше постоянное подмагничивание, тем больший зазор нужно делать в сердечнике для получения цопт. При увеличении постоянного подмагничивания максимальное значение магнитной проницаемости Цопт уменьшается.

Пульсация выпрямленного напряжения в значительной мере зависит от величины нагрузки: с увеличением нагрузки растет постоянное подмагничивание стали дросселя, падает ее дифференциальная магнитная проницаемость, а следовательно, и индуктивность дросселя, что приводит к увеличению пульсаций.

Эта мощность в 3,5 раза больше мощности выпрямленного тока Ра, так как кроме постоянной составляющей выпрямленного тока /о, создающей постоянное подмагничивание сердечника, и переменной составляющей тока основной частоты через вторичную цепь трансформатора проходят составляющие высших гармоник выпрямленного тока.

1. Отсутствует постоянное подмагничивание магнитной цепи выходного трансформатора. Действительно, через идентичные половины первичной обмотки трансформатора протекают одинаковые токи, создающие равные и противоположно направленные магнитные поля, т. е. в трансформаторе отсутствует постоянное подмагничивание. Это приводит к стабилизации и увеличению магнитной проницаемости материала, позволяет уменьшить число витков обмоток и сечение магнитопровода трансформатора для получения заданной индуктивности первичной обмотки трансформатора.

3) отсутствие постоянной составляющей в разностном токе, поскольку при этом через выходной трансформатор не проходит постоянный ток и, следовательно, в нем отсутствует постоянное подмагничивание; в результате можно повысить переменную составляющую магнитной индукции в сердечнике выходного трансформатора и уменьшить его размеры;

Как видно из 13.20, токи покоя протекают по первичной обмотке выходного трансформатора от средней точки в противоположных направлениях. Следовательно, при полной симметрии плеч магнитные поля, созданные этими токами, компенсируются, и в сердечнике трансформатора отсутствует постоянная составляющая магнитного потока (постоянное подмагничивание). Это являете^ важным преимуществом двухтактной схемы перед одно-тактной, так как уменьшает нелинейные искажения в выходном трансформаторе (исключается возможность работы в области магнитного насыщения) и позволяет сделать его менее громоздким.

отсутствие постоянной составляющей в разностном токе, поскольку при этом через выходной трансформатор не проходит постоянный ток и, следовательно, в нем отсутствует постоянное подмагничивание; в результате можно повысить переменную составляющую магнитной индукции в сердечнике выходного трансформатора и уменьшить его размеры;

Чтобы исключить в однотактных схемах постоянное подмагничивание магнитопровода трансформатора, можно ввести в трансформатор размагничивающую обмотку, которая через диод соединяется с источником питающего напряжения, так что при запертом состоянии транзистора накопленная в трансформаторе энергия возвращается в источник питания ( 5.15).

В двухтактных и мостовых схемах постоянное подмагничивание магнитопровода трансформатора отсутствует, если нет несимметрии в работе противофазных плеч, и магнитопровод используется лучше. Поэтому эти схемы применяются для больших мощностей, хотя при этом система управления получается сложнее.

При замыкании во вторичных цепях напряжения отключается автомат SF и своим контактом включает постоянное подмагничивание AT, предотвращающее ложное перевозбуждение генератора.

Катодолюминесцентные индикаторы состоят из накаленного катода, сетки и нескольких (от 7 до 19) изолированных друг от друга анодов. Аноды выполнены в виде металлических полосок (сегментов), размещенных в одной плоскости и покрытых люминофором ( 7.3). На сетку подано постоянное положительное напряжение порядка 20 В. Когда такое же напряжение подается на ряд анодов, их бомбардируют электроны, вылетающие из катода, возникает люминесценция и аноды светятся зеленым светом, образуя соответствующую стилизованную цифру. Катод и сетка при этом практически не видны.

Для повышения коэффициента усиления, уменьшения проходной емкости и расширения функциональных возможностей в некоторых типах ламп используют две и более сеток. Лампа, имеющая две сетки -управляющую и экранирующую, получила название тетрод. Условное обозначение тетрода приведено на 15.2, в. Экранирующая сетка располагается между анодом и управляющей сеткой и выполняется в виде густой спирали, окружающей управляющую сетку. На экранирующую сетку подается постоянное положительное напряжение относительно катода. Обычно это напряжение по величине несколько меньше анодного. Экранирующая сетка при этом эффективно ослабляет воздействие анодного напряжения на электроны, вылетающие с катода. Благодаря этому коэффициент усиления в тетроде получается больше, чем в -триоде, и достигает нескольких сотен.

Для измерения эффекта бокового затвора используют тестовую структуру ( 5.7). Она содержит МЕП-транзистор, вблизи истоко-вой области И которого на расстоянии LKH расположена дополнительная область л+-типа с омическим контактом К, играющим роль бокового затвора. В кристалле микросхемы такая п+-область может быть истоковой или стоковой областью соседнего транзистора. Это может быть область n-типа, в которой создается диод Шотки, резистор и т. д. Затвор 3 транзистора обычно соединяют с заземленным истоком, а на сток С подают постоянное положительное напряжение, превышающее напряжение насыщения: ?/си > t/синас- Далее измеряют зависимость тока стока /с от напряжения на боковом контакте t/ки относительно истока.

Для вывода зарядового пакета на выходе используют устройство ( 11.8, а), содержащее область / я+-типа проводимости, омический контакт 2 к этой области и выходной затвор ФВых- Область / образует с подложкой выходной диод, который смещают в обратном направлении. Для этого на выходной контакт через резистор подают постоянное положительное напряжение, превышающее максимальное напряжение на ФВых- В некоторый момент времени на выходной затвор подают импульс положительной полярности, разрешающий вывод зарядового пакета. Если в последнем элементе Ф3 к этому моменту времени был накоплен зарядовый пакет, то он переместится в потенциальную яму, расположенную под выходным затвором ( 11.8,6), а затем в более глубокую потенциальную яму области п+-типа и, наконец, в выходную цепь — резистор, присоединенный к п+ -области. К выходному выводу подключают чувствительный усилитель на МДП-транзисторах, которые создаются на этой же подложке.

Для того чтобы уяснить роль экранирующей сетки, рассмотрим работу схемы усилителя на тетроде ( 14.21). На экранирующую сетку подается постоянное положительное напряжение, составляющее примерно 0,5 Еа. По переменному напряжению экранирующая сетка заблокирована емкостью Сел- Переменное электрическое поле анода в основном замыкается на экранирующую сетку. В результате его деуправляющее действие на электронный поток резко снижено и, следовательно, усилительные свойства тетрода значительно выше, чем у триода.

Принцип действия и физические процессы в транзисторах с индуцированным и встроенными каналами п- и р-типа одинаковы. Поясним их на примере транзистора с индуцированным каналом n-типа. Пусть на сток относительного общего истока подано постоянное положительное напряжение Uси, а подложка соединена с истоком. Рассмотрим, как будет изменяться ток стока при повышении напряжения затвор — исток от нуля до положительного значения, превышающего пороговое напряжение. На 5.3, а представлен фрагмент структуры транзистора, а на 5.3,6 — распределение поверхностного потенциала в направлении у от истока к стоку. Фрагмент структуры транзистора со-

В момент времени 12 очередной импульс напряжения управления (см. 152) иутр, поступает на управляющий электрод силового тиристора TPZ, через который в нагрузку подается постоянное положительное напряжение Edz. Вследствие действия индуктивности La ток нагрузки возрастает по экспоненте до/„тах. Этот ток протекает по цепи источник питания + Еаг — дроссель La — нагрузка RH — тиристор TPZ — дроссель LK2.

бы цена игры была положительным ненулевым числом. Для этого к каждому элементу игровой матрицы следует прибавить такое постоянное положительное число К, чтобы в результате все элементы матрицы стали неотрицательными числами й,'1} ^0 для всех i и /.

ц и уменьшения проходной емкости Сас в триод вводят вторую сетку, располагая ее между первой сеткой и анодом. Таким образом получают тетрод. Вторую сетку называют — экранирующей, так как она дополнительно экранирует катод от поля анода. На экранирующую сетку подается постоянное положительное напряжение, обычно составляющее 0,5—0,8 эдс источника Еа ( 6, а). Так как сопротивление конденсатора СС2 мало, большая часть тока /ос внутренней обратной связи попадает в цепь катода, минуя первую сетку, и в управлении анодным током не участвует, что эквивалентно уменьшению проходной емкости СаС1. Для сравнения проходные емкости триода 6С1П и тетрода 6Э5П составляют соответственно 1,7 и 0,065 пФ.

Для повышения коэффициента усиления, уменьшения проходной емкости и расширения функциональных возможностей в некоторых типах ламп используют две и более сеток. Лампа, имеющая две сетки — управляющую и экранирующую, получила название тетрод. Условное обозначение тетрода приведено на 15.2, в. Экранирующая сетка располагается между анодом и управляющей сеткой и выполняется в виде густой спирали, окружающей управляющую сетку. На экранирующую сетку подается постоянное положительное напряжение относительно катода. Обычно это напряжение по величине несколько меньше анодного. Экранирующая сетка при этом эффективно ослабляет зоздействие анодного напряжения на электроны, вылетающие с катода Благодаря этому коэффициент усиления в тетроде получается больше, чем в триоде, и достигает нескольких сотен.

Рассмотрим энергетическую диаграмму структуры металл — диэлектрик — полупроводник- (МДП), показанную на 2.18. Если к металлическому электроду приложить постоянное положительное смещение,

С3и=2/ЗСзк- Сопротивление между затвором и стоком мало и им пренебрегаем. Вследствие малых расстояний между истоком и стоком следует учитывать емкость между ними Сси, в которую также входит емкость сток — подложка — исток. Роль всех элементов эквивалентной схемы такая же, как и в полевом транзисторе с р—«-переходом. Для уменьшения обратной связи между стоком и истоком, очевидно, необходимо уменьшать Сзс, т. е. удалять электрод затвора от стока. Минимальная емкость Сзс достигается в конструкции МДП-тетро-да, где между затвором 31, на который подается входной сигнал, и стоком размещен еще один затвор 32. Второй затвор выполняет роль электростатического экрана между входом и выходом. При работе тетрода на 32 подается фиксированное постоянное положительное напряжение ( 4.17).