Постоянное импульсное

комплексом сопротивления Z = г — JXL цепи. Поэтому по оси —/ откладываем в масштабе сопротивлений тг величину XL , которая в нашем случае является постоянной величиной. Из точки А восстанавливаем перпендикуляр, параллельный оси + 1, который в масштабе сопротивлений mr является линией переменного параметра г. Задавшись определенной величиной активного сопротивления rlf

Индуктивность рассеяния является постоянной величиной вследствие линейной зависимости потоков рассеяния от тока.

где k — коэффициент пропорциональности, который при условии пренебрежения индуктивным сопротивлением ротора и при постоянстве магнитного сопротивления машины по поперечной оси будет постоянной величиной.

В реальных условиях коэффициент пропорциональности k не является постоянной величиной, в результате чего характеристика (пунктирная линия на 11.9) отклоняется от линейной, т. е. появляется определенная амплитудная погрешность.

Сопротивление диода, определяемое крутизной характеристики, не является постоянной величиной. Однако для упрощения расчета характеристика часто заменяется прямой, проходящей через начало координат и точку, соответствующую максимальному току диода. При таком допущении сопротивление диода Rt постоянно и характеристика цепи линейна. Результат расчета получается достаточно точным, так как фактическая характеристика цепи, показанная на 3-6, в, близка к прямой (когда г ;> #,-).

В установившемся режиме работы параметр потока отказов является постоянной величиной, а наработка на отказ

и является строго постоянной величиной. Это так называемый масштабный усилитель.

также не меняется и комплекс А является постоянной величиной. Тогда tK=t0.^-\-ADK или

Концентрации свободных электронов и дырок в собственном полупроводнике равны: n-i = pt. Добавление примесей в собственный полупроводник сопровождается увеличением концентрации одного типа носителей при одновременном уменьшении концентрации другого типа носителей. Этот процесс описывается соотношением пр — nl = р*, т. е. произведение концентрации дырок на концентрацию электронов в данном полупроводнике при данной температуре является постоянной величиной, которая не зависит от величины и типа примеси.

Схема замещения содержит резистор Гб, который учитывает влияние объемного (омического) сопротивления базы и зависит от конфигурации и материала базы. Влияние эмиттерного тока на коллекторный в схеме замещения учитывается генератором тока а/э; С», Ск — эквивалентные емкости эмиттерного и коллекторного переходов. Генератор напряжения Ц?/КБ учитывает влияние эффекта модуляции толщины базы (эффект Эрли). Сущность этого эффекта заключается в том, что толщина р — n-перехода не является постоянной величиной и в соответствии с выражениями (4.7), (4.8) зависит от приложенного к нему напряжения. При приложении к р — *п-перехо-ду обратного напряжения его толщина увеличивается, а при приложении прямого напряжения уменьшается. Приращение толщины коллектора dK равно приращению толщины базы w. Это явление называется эффектом модуляции толщины базы, или эффектом Эрли.

Если токопроводящий элемент резистора изготовлен из материала с постоянной величиной удельной электрической проводимости, независимой от тока или напряжения, то резистор называется линейным, так как имеет постоянное сопротивление и прямолинейную зависимость между током и напряжением на его зажимах — вольт-амперную характеристику / = f (V). К резисторам такого типа относятся и регулируемые резисторы, конструкцией которых предусмотрена возможность принудительного изменения их сопротивления.

постоянное, импульсное

Цепь управления тиристора характеризуется постоянным (импульсным) отпирающим током /уотт- (^у, от, я т) управляющего электрода тиристора, представляющим собой минимальное значение постоянного (импульсного) тока, которое обеспечивает переключение тиристора из закрытого состояния в открытое при определенных режимах в цепях основных и управляющего электродов, а также соответствующее этому току постоянное (импульсное) отпирающее напряжение Uy отТ (fy, от,я т)- Импульсы управления выбирают короткими с крутыми фронтами, так как при этом снижаются времена включения (1ВКЛ) и выключения (^ВЫкл) тиристора, являющиеся его важными динамическими параметрами. Однако длительность импульса управления должна быть больше времени включения тиристора. Минимальная длительность управляющего импульса обычно составляет 15—20 икс.

обратное входное напряжение ?/вх,0бр— максимальное значение обратного напряжения любой формы (постоянное, импульсное, синусоидальное и др.), которое может быть приложено к входу оптопары в обратном направлении.

Постоянное (импульсное) обратное напряжение:

Постоянное (импульсное) обратное значение..... 300 В

Постоянное (импульсное) обратное напряжение:

Постоянное (импульсное) обратное напряжение:

Постоянное (импульсное) обратное напряжение при температуре от 213 до 348 К..........2000 В

Постоянное (импульсное) обратное напряжение при температуре: от 213 до 358 К (от 218 К для КЦ106А, КЦ106Б, КЦ106В, КЦ106Г, КЦ106Д)

Постоянное (импульсное) обратное напряжение для

Постоянное, импульсное обратное напряжение (любой формы и периодичности) для 2Д510А при температуре от 213 до 398 К и КД510А при температуре от 213 до 358 К............... 50 В