Постоянной магнитной

обусловлен неодномерностью диффузионного процесса. Это означает, что при формировании любой из областей транзисторной структуры примесные атомы диффундируют не только в глубь исходной полупроводниковой подложки, но и в боковых направлениях. Поскольку при формировании полупроводниковой ИМС подложка неоднократно подвергается высокотемпературной обработке, действительные площади эмиттерной, базовой и коллекторной областей будут несколько превышать площади вскрытых окон, через которые проводилась диффузия. Эффект боковой диффузии показан на 2.18 для случая диффузии примесных атомов из неограниченного (а) и ограничен-ного (б) источников. Кривые на этих рисунках являются так называемыми кривыми постоянной концентрации (изоконцентрационными), т.е. удовлетворяют условию N (х, у, t)/Ns = const, где N (х, у, t) характеризует двухмерное распределение атомов примеси при произвольном значении длительности диффузионного процесса .t. Если N (х, у, t)/Ns<.Q,l, то глубина диффузии в боковом направлении в обоих случаях составляет более 75% от глубины диффузии в вертикальном направлении. Поэтому с учетом воздействия обоих отмеченных факторов вокруг контактных окон в маске из двуокиси кремния оставляют зазоры размером 5—6,5 мкм.

Эта зависимость и положена в основу принципа действия электрохимических резистивных преобразователей, которые получили широкое применение для анализа состава и концентрации химических растворов, а также преобразователей таких механических величин, как перемещение, угол наклона, деформация. В одном случае при постоянных геометрических размерах ячейки выходное сопротивление преобразователя является функцией удельной проводимости раствора, зависящей, в свою очередь, от его состава и концентрации, в другом случае при постоянной концентрации раствора — функцией расстояния между электродами или их активной площади. Электрохимические преобразователи концентрации бывают контактными ( 14.6) или бесконтактными ( 14.7). Для исключения погрешности от поляризации в контактных электрохимических преобразователях используются четырехэлектродные системы с двумя токовыми и двумя потенциальными электродами. Измерительные цепи контактных преобразователей питают обычно от источника переменного напряжения частотой 50 Гц (иногда 1000 Гц). Погрешность преобразования не превышает 1 %.

вотируют через слой жидкого хлорида / (см. 6.16). Концентрация пара хлорида в этом случае зависит от скорости потока газа-носителя, температуры жидкого хлорида и высоты его слоя, проходимого газом-носителем. Для получения постоянной концентрации паров соединения эти параметры стабилизируют с использованием автоматических систем управления. Недостатком испарителей барботажного типа является образование над поверхностью жидкого хлорида аэрозоли. Неконтролируемое попадание ее в систему изменяет стабильную концентрацию хлорида в подаваемой в реактор парогазовой смеси. Этого недостатка лишен проточный

При дальнейшем увеличении температуры концентрация свободных электронов практически не увеличивается (участок кривой между точками 2 и 3), так как все примеси уже ионизированы, а вероятность ионизации собственных атомов полупроводника еще ничтожно мала. Участок кривой, соответствующий постоянной концентрации носителей заряда, называют участком истощения примесей. Первые два участка кривой (/—2 и 2—3) соответствуют примесной электропроводности полупроводника.

превышать площади вскрытых окон, через которые проводилась диффузия. Эффект боковой диффузии показан на 2.22 при диффузии из неограниченного (а) и ограниченного (б) источников атомов примеси. Кривые на этих рисунках являются так называемыми кривыми постоянной концентрации, т. е. удовлетворяют условию N(x, у, t)/Ns=consi, где N(x, у, t) характеризует двумерное распределение концентрации атомов примеси при произвольном значении длительности диффузионного процесса t. Если Л^(л:, у, t)/ ,/jVs<0,l, то глубина диффузии в боковом направлении в обоих случаях составляет более 75% от глубины диффузии в вертикальном направлении.

Преобразователи наиболее широко применяются для измерения концентрации растворов, а также механических величин. В последнем случае при постоянной концентрации раствора под действием измеряемой величины изменяется расстояние / или площадь S.

Для поддержания постоянной концентрации ионов SO^B электролит

На 9.6 удельная активность отложений отнесена к удельной активности циркулирующего шлама, измеренной в период проведения исследований этих отложений. Вследствие быстрого роста удельной активности шлама при относительно постоянной концентрации его в воде рассматриваемое отношение средних

на практике этого не наблюдается. Другим возможным объяснением низкой эффективности легирования a-SixNj _х : Н фосфором может служить предположение об образовании в Запрещенной зоне легированных пленок большого количества локализованных состояний. Это предположение, однако, противоречит наличию в легированных фосфором пленках резкого края оптического поглощения. Таким образом, остается неясным, чем обусловлена низкая эффективность легирования a-SixNj_x : Н фосфором. Как видно из 4.4.10, б изменение относительного содержания в газовой смеси NH3 и SiH4 при постоянной концентрации РН3 (9,3 • • 10~2 мольных долей) никаких существенных изменений в ИК-спектры пленок не вносит. Наблюдаемый в спектрах сдвиг волнового числа, соответствующего колебательной моде растяжения связи Si-H можно объяснить с помощью того же механизма изменения суммарной электроотрицательности. •

на практике этого не наблюдается. Другим возможным объяснением низкой эффективности легирования a-SixNi _х : Н фосфором может служить предположение об образовании в Запрещенной зоне легированных пленок большого количества локализованных состояний. Это предположение, однако, противоречит наличию в легированных фосфором пленках резкого края оптического поглощения. Таким образом, остается неясным, чем обусловлена низкая эффективность легирования a-SixNi_x : Н фосфором. Как видно из 4.4.10, б изменение относительного содержания в газовой смеси NH3 и SiH4 при постоянной концентрации РН3 (9,3 • • 10~2 мольных долей) никаких существенных изменений в ИК-спектры пленок не вносит. Наблюдаемый в спектрах сдвиг волнового числа, соответствующего колебательной моде растяжения связи Si—H можно объяснить с помощью того же механизма изменения суммарной электроотрицательности. '

При выращивании монокристаллов из плавающего тигля сохранение постоянной концентрации легирующего элемента в обоих тиглях возможно при соблюдении условия [176]:

Вышеизложенное относится к случаю постоянной концентрации примеси в полупроводнике. Если же слой n-типа формируется методом ионной имплантации, то концентрация примеси вблизи поверхности резко изменяется и выражения (3.6) — (3.8) несправедливы. В этом случае необходимо решить уравнение Пуассона с учетом реального распределения концентрации примеси в обедненном слое.

и почти вся намагничивающая сила возбуждения идет на проведение магнитного потока через воздушный зазор, т.е. среду с постоянной магнитной проницаемостью. Но по мере увеличения тока возбуждения и соответственно магнитного потока сталь машины начинает насыщаться и сначала имеет . место о'1е!1нен1г:мтен(тая обпапть кпивоЧ (колено кривой),

В катушках со стальным сердечником потоком рассеяния называют поток, замыкающийся частично или полностью помимо ферромагнитного сердечника (рис 4-3), для которого магнитное сопротивление в основном определяется участком с постоянной магнитной проницаемостью, обычно принимаемой равной л,„. Часть потока рассеяния при этом может не сцепляться с частью витков обмотки. В трансформаторах потоком рассеяния называют магнитный поток, сцепленный

Существенным отличием элементов с такими сердечниками от элементов с сердечниками с продольными магнитными полями является то обстоятельство, что при постоянном токе <2 в обмотке ш2 ( 6-8, б) и переменном токе г\ в обмотке wt влияние насыщения, вызванного постоянной магнитной индукцией Вг *, одинаково как для положитель-

Когда носитель заряда движется под углом к направлению вектора постоянной магнитной индукции, то его траектория имеет вид спирали вокруг направления поля. Круговую частоту вращения шс называют циклотронной. Она определяется эффективной массой носителя заряда и индукцией магнитного поля. Для электрона «с= = еВ/тп.

Пусть линейно поляризованная электромагнитная волна распространяется в немагнитном полупроводнике с концентрацией свободных электронов «о в направлении эектор i постоянной магнитной индукции. Линейно поляризованную волку можно представить в виде суперпозиции двух волн круговой поляризации. Им соответствуют различные фазовые скорости. После прохождения через образец толщиной w волна вновь оказывается линейно поляризованной, однако плоскость поляризации повор ачивается на некоторый угол относительно исходной плоскости Угол, характеризующий поворот плоскости поляризации, называют углом Фарадея б*-. Он равен среднему значению углов поворота плоскостей поляризации, на которые поворачивается вектор напряженности электрического поля волн правой и левой круговой поляризации.

Знак угла Фарадея различен для электроюв и дырок и зависит от направления распространения волны вдоль или против направления вектора постоянной магнитной индукции. Угол 0F считают положительным, когда вращение происходит по часовой стрелке, если направление распространения волны совпадает с направлением вектора магнитной индукции. Положительный угол Фарадея связан с воздействием свободных электронов на вращение плоскости поляризации. Для слабого магнитного поля, когда циклотронная частота мала и выполняется условие (о2>шс2, угол Фарадея

Если п = 1, то /! (п) = fa (п) = fs (n) = f4 (п) = 1, a Ayci = •». В этом случае имеем среду с постоянной магнитной проницаемостью.

Для нагревателей, содержащих магнитные тела, необходимо ввести вторичные источники намагниченности. Пусть индукционная система содержит обмотки В, немагнитные тела А и магнитопровод F ( 8-4). Влияние магнитопроводов с постоянной магнитной проницаемостью на поле вне их объема можно полностью учесть, если заменить их простыми слоями тока намагниченности на поверхности. Условием для нахождения этих токов служит требование, чтобы при этой замене сохранился неизменным скачок тангенциальной составляющей магнитной индукции В( во всех точках магнитопровода:

только одна, так как первый является практически идеальным источником напряжения, а второй — тока. Для совершенного трансформатора (замыкание магнитных потоков, определяемых МДС i\w\ и fawz, и результирующего магнитного потока Ф только по сердечнику с постоянной магнитной проницаемостью ц) потокосцепление каждой из обмоток представляет функцию двух + ^fi2i2 и ^?2 = ^2212 + ^2^1, где Ln и L22 — собственные индуктивности обмоток / и 2, определяемые выражениями Ln = [xFi/t'i] ,-2=о и L22=[4f2/i2k=o а М\2 и M2i — их взаимные индуктивности, причем Mi2 = = [хЕ;1/Уг1=о и Mzi = [4?2/ii\ tf=o. Для рассматриваемого случая они одинаковы и равны Y L\\Ly^. Индуктивности L всегда положительны. Взаимоиндуктивности в зависимости от взаимного направления намотки обмоток / и 2 могут иметь разные знаки. При направлении намотки по 3.1 и направлении мгновенных токов 1\ и /г, когда они определяют (по правилу «штопора») вычитающиеся потоки, они отрицательны. Зажимы обмоток, соответствующие указанным условиям, называются одноименными и отмечены на 3.1 точками. Далее они обозначаются соответственно Я, н и К, к.

Существенным отличие ментов с такими сердечнш элементов с сердечниками с ными магнитными полями то обстоятельство, что при ном токе г°2 в обмотке 6-8,6) и переменном токе/i ке Wi влияние насыщения, ного постоянной магнитной

В средах с постоянной магнитной проницаемостью