Постоянных значениях

Пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников применяют для создания элементов памяти в микросхемах перепрограммируемых постоянных запоминающих устройств ЭВМ, передающих телевизионных трубок (видиконов), фоточувствительных сред для записи оптической информации, а также в качестве неорганических фото- и электронных резистов при производстве изделий микроэлектроники.

Таким методом удобно формировать диодные структуры, содержащие тысячи диодов на одном кристалле и предназначенные для использования в качестве диодных матриц постоянных запоминающих устройств.

В последнее время появились запоминающие устройства [18] на основе МНОП приборов (металл — нитрид— окисел — полупроводник). В этих приборах, в отличие от МДП приборов, используется двойной изоляционный слой под затвором — нитрида кремния и двуокиси кремния. Приложение высоковольтного импульса к затвору прибора вызывает появление на границе раздела нитрида и двуокиси кремния заряда, который сохраняется и после снятия внешнего напряжения. Использование этого явления позволяет создать оперативное запоминающее устройство, в котором информация не разрушается при отключении питания. Однако вследствие того, что длительность импульсов стирания записи на несколько порядков больше длительности импульсов считывания, МНОП-структуры применяются в основном для создания электрически перепрограммируемых постоянных запоминающих устройств (ЭППЗУ).

По функциональному назначению и системной организации БИС ЗУ подразделяют на следующие основные типы: БИС оперативных запоминающих устройств (ОЗУ), т. е. ЗУ с оперативной записью и считыванием информации; БИС ассоциативных запоминающих устройств (АЗУ), т. е. ЗУ, в которых кроме функции хранения, оперативной записи и считывания реализуется еще и операция ассоциативного поиска информации; БИС постоянных запоминающих устройств (ПЗУ), т. е. ЗУ с оперативным считыванием информации, запись которой не является оперативной.

Регистры. Основным назначением регистров является хранение информации в виде многоразрядных двоичных чисел (двоичного кода). В отличие от постоянных запоминающих устройств долговременной памяти в регистрах осуществляется кратковременное запоминание информации на период одного или нескольких циклов работы всей системы.

Данное учебное пособие знакомит студентов вузов с основными методами проектирования специализированных БИС, особенностями схемно-конструкторского исполнения БМК и ПЛУ (программируемых и перепрограммируемых логических матриц и постоянных запоминающих устройств) и особенностями их использования при создании специализированных БИС.

Устройства постоянной и оперативной памяти для микроЭВМ выпускаются серийно в виде интегральных микросхем, маркируемых, как и обычно, семиэлементным кодом. При этом третий элемент — две буквы — обозначают: РМ — матрицы оперативных запоминающих устройств; РВ—матрицы постоянных запоминающих устройств^ РУ •— оперативные запоминающие устрой-

20. Схемотехника БИС постоянных запоминающих устройств/ О. А. П е т-росян, И. Я. Козырь, Л. А. Коледов и др. — М.: Радио и связь, 1986.

Задачи создания точных функциональных преобразователей могут быть решены как аналоговыми, так и цифровыми средствами. При решении цифровыми средствами требуется грименение сложных функциональных преобразователей код—код (на основе постоянных запоминающих устройств или программируемых логических матриц [57] при аппаратной реализации) или микропроцессоров (при программной реализации). В этом случае обеспечивается высокая точность преобразования, однако снижаются быстродействие и частотный диагазон преобразуемых сигналов.

Реализация многопороговых сравнивающих устройств в ИКШ и перекодирующего устройства, осуществляющего переход от промежуточного кода, свободного от неоднозначности считывания, к двоичному безызбыточному или двоично-десятичному коду, в настоящее время проще всего осуществляется на основе постоянных запоминающих устройств ПЗУ ( 4.11).

Описываются новые структуры биполярных (гл. 3) и полевых (гл. 4, 5) транзисторов (в том числе арсенид-галлиевых), а также трехмерные структуры элементов (гл. 4, 9), эффекты короткого канала в МДП-транзисторах (гл. 4), структуры элементов БИС с инжекцион-ным питанием, отличающиеся повышенным быстродействием (гл. 7), логические элементы на арсенид-галлиевых полевых транзисторах (гл. 8), новые структуры элементов памяти для оперативных и электрически стираемых постоянных запоминающих устройств (гл. 9), аку-стоэлектронные компоненты и принципы построения элементов памяти на вертикальных блоховских линиях (гл. 13).

Чтобы составить представление о влиянии толщины листов, из которых изготовляется магнитопровод, на потери мощности в нем, воспользуемся выводом, приводимым обычно в литературе по теории переменного тока. На основании указанного вывода можно сделать заключение о том, что при постоянных значениях частоты переменного тока / и максимальной магнитной индукции Вт потери мощности в одном листе ДРВ,Л магнитопровода длиной / и высотой поперечного сечения h (см. 6.22.6) примерно пропорциональны третьей степени толщины листа d, т. е. ДР„,л ~ kd3.

Как видно, при постоянных значениях U, Е, со и хс момент двигателя прямо пропорционален sin в. Зависимость М (0) называется угловой характеристикой синхронного двигателя и приведена на 11.10 в первом квадранте.

/—?, а—11 — характеристики двигателя при постоянных значениях потока Ф>Ф2>Фз>Ф»; 5, 12 — рабочие характеристики системы; 6, 13 — кривые ограничения по току (или по напряжению) якоря; 7, 14 — линии ограничения по максимальной скорости двигателя

роны, увеличение Ка приводит к -недоиспользованию двигателя по потоку в установившемся режиме. Поэтому величина К3 должна быть не слишком большой (рекомендуется /С3= 1,2-г-1,3). После выбора и расчета основных параметров системы могут быть построены ее характеристики. Графически они представляются в виде зависимостей %(/) и пд(Мд) при разных постоянных значениях потока возбуждения ( 59, кривые соответственно / — 4 и 8 — 11). Для графических расчетов удобно изображать характеристики с общей координатой пд. Для расчета характеристик из общих выражений (74), (75) и (147) получены формулы:

Тали" выражений (162)-(168) позволил установить, что зависимость ii (-?-) имеет вид кривой, показанной на 62, а. а зависимость;.'/-^) ири постоянных значениях моментов и маховых масс за переходный период имеет вид кривой, показанной

в (174), получим формулу для определения г'0ц при постоянных значениях маховых масс и моментов:

Характеристикой насоса называют графические зависимости основных его параметров от давления для объемных насосов и от подачи для динамических насосов при постоянных значениях частоты вращения ротора, вязкости и плотности жидкости на входе в насос.

Всасывающая способность динамических насосов оценивается навигационными характеристиками, которые представляют собой графические зависимости основных параметров Н и Л^ от кавита-ционного запаса при постоянных значениях частоты вращения, подачи, вязкости и плотности ( 2.4). Характеристики получают при испытании насосов не менее чем для трех режимов работы насоса: Q = Q0irr; Q5M,25; Q<0,75 QOHT-

Требуемый угол а отклонения при заданной силе тока / и постоянных значениях параметров S и п можно получить путем изменения магнитной индукции В и удельного противодействующего момента W.

1.21. Зарядные кривые никель-кадмиевой АБ при постоянных значениях:

гих факторов на постоянном уровне; в результате такого эксперимента находят зависимость выходной величины от варьируемого фактора при постоянных значениях других факторов. Затем то же проделывается при варьировании уже другого фактора.