Получения требуемогоДля получения требуемой ЭДС или силы в электромагнитном устройстве должно быть создано магнитное поле определенной интенсивности и направленности действия. С этой целью в каждом электромагнитном устройстве имеется магнитная цепь (магнитная система), состоящая из магнитопрово-да, выполняемого в общем случае из различных ферромагнитных материалов, и одной или нескольких намагничивающих обмоток.
1) точность выполнения отдельных операций ТП с целью получения требуемой оптимальной дисперсии размеров топологии;
При смене состояний автомата Q,—*-Q/ происходит смена состояний отдельных триггеров, так как они представляют собой состояния автомата, Следд&атедъно, адя каждого триггера известно, какими должны быть изменения его состояний на всех переходах. Зная тип триггера, можно определить, какие сигналы должны быть поданы на его входы для получения требуемой смены состояний.
Рассмотрим, как влияет введение обратной связи на статическую характеристику. усилителя (. 3.18, а). Принимая во внимание, что закон равенства м. д. с. (3.8) справедлив для магнитного усилителя независимо от того, имеет он обратную связь или нет, можно утверждать, что характеристика усилителя, построенная в координатах напря-женностей Нср = f (Я0), останется неизменной и при введении обратной связи. Все отличие будет заключаться в том, что если ранее Н0 = =Яу,то при наличии обратной связи Я0 = ЯУ +НОС- Поэтому для получения требуемой зависимости Яср = f (Hy) необходимо исключить
11. Расскажите о методах получения требуемой функциональной зависимости / = / (U) функциональных преобразователей.
Если сопротивление резистора R3u как элемента высокочастотной коррекции недостаточно для получения требуемой стабильности режима, то в этом случае можно ввести дополнительный ре-
удовлетворяющее условиям получения требуемой выходной мощности при высоком КПД и низком уровне нелинейных искажений. В (6Л) г\, г2 — сопротивления обмоток трансформатора, а /гт= = N2fNi — коэффициент трансформации.
Для получения требуемой точности измерения Rx погрешность установки напряжения U должна быть не более 0,5%, такой же должна быть погрешность шунта, а погрешность резистора должна быть менее 1 % ,
Для испытаний используют плоские образцы толщиной 12 мм квадратной или круглой формы. Диаметр круга или сторона квадрата должны быть не менее 80 мм. Если испытуемый материал имеет меньшую толщину, то допускается складывать несколько образцов плотной стопкой до получения требуемой толщины. Для анизотропных материалов в нормативно-технической документации должна быть указана ориентация образца по отношению к плоскости расположения осей электродов, там же указывается способ обработки материала.
Метод ПЭ обладает высокой эффективностью, т. е. для получения требуемой информации ставится минимальное число опытов; позволяет проводить одновременное исследование влияния нескольких переменных параметров машины на ее показатели; при наличии случайных погрешностей можно поставить опыты таким образом, чтобы дисперсия в оценке коэффициентов полинома a2 {bi} была наименьшей.
Метод ПЭ обладает высокой эффективностью, т.е. для получения требуемой информации ставится минимальное число опытов; позволяет проводить одновременное исследование влияния нескольких переменных параметров машины на ее показатели; при наличии случайных погрешностей можно поставить опыты таким образом, чтобы дисперсия в опен-
Автоматизированная система управления ТП ГПС (АСУ ТП) состоит из средств вычислительной техники—управляющих ЭВМ, связанных в единый комплекс с помощью интерфейсных устройств и линий передачи данных, и программного обеспечения, предназначенного для управления отдельными единицами автоматизированного оборудования всех подсистем и системы в целом. Она базируется на использовании оборудования с ЧПУ, ГПМ. Программное управление АСТО основывается на применении программы, определяющей порядок действий с целью получения требуемого результата. Вычислительные машины, устройства сопряжения с объектами и передачи данных являются аппаратурными средствами системы управления ГПС, функционирующими под управлением программных средств.
Для получения требуемого наклона АЧХ T(f) номиналы элементов следует выбирать такими, чтобы частоты нулей и полюсов располагались в определенном порядке, чередуя участки характеристики с наклоном '12 и 6 дБ/окт. Формировать АЧХ T(f) целесообразно в первую очередь конденсаторами Сблэ, выбирая связанные с ними частоты полюсов ближе к рабочему диапазону, в результате чего уменьшаются емкости этих конденсаторов и в ряде случаев их габариты.
Конец провода закреплен на кольцевом каркасе 1, который поворачивается вокруг своей оси. Провод, сматываясь со шпули 3 и проходя через ролик 6, наматывается на каркас. Для получения требуемого шага вращение каркаса 1 и челнока 2 согласуют при настройке станка. Натяжение провода создается подпружиненной шайбой 4, прижимающей шпулю к челноку. Челнок имеет прорезь для ввода каркаса и приводится в дви-
В тонкопленочных гибридных ИС ( 76) осаждение всех слоев выполняют различными методами вакуумного распыления. Для получения требуемого рисунка в слое распыление проводят через специальные металлические маски, имеющие окна нужной формы и прижатые к подложке (применяют также и фотолитографию).
Заливка — это сплошная упаковка компонента или узла в изоляционную массу путем заполнения ею свободного промежутка между изделием и стенками корпуса или между изделием и заливочной формой ( 4.4). Материал формы в последнем случае выбирают таким (например, фторопласт), чтобы он обеспечивал минимальную адгезию заливочного материала; иногда стенки формы покрывают смазкой. Заливка пенопластом позволяет значительно увеличить механическую прочность узла при минимальном увеличении массы, но теплоотвод (без тепло-отводящих шин) резко ухудшается. Толщина стенок влагозащитной конструкции выбирается из соображений получения требуемого времени влагозащиты. Для улучшения теплопроводности в заливочный компаунд иногда добавляют кварцевую пудру или прокаленный порошок оксида алюминия, а для улучшения влагозащитных свойств можно добавлять порошок цеолита, поглощающего влагу.
Время нагрева под пайку составляет 10—120 с, что определяется возможностью получения требуемого распределения температуры, временем расплавления припоя и затекания его в шов. Завышение времени нагрева приводит к снижению производительности, излишнему расходу энергии и окислению изделий. Средние
в) диффузия примесей в кремний через окно с целью получения требуемого сопротивления слоя.
Операции шлифования и полирования в технологии полупроводниковых приборов выполняют для улучшения плоскостности и плоскопараллельности пластин после резания, подгонки пластин в размер по толщине, получения требуемого класса чистоты поверхности и др.
В полупроводниковых ИС. роль резистора выполняет объемное сопротивление участка монокристалла полупроводника, в объеме которого изготовляют ИС. Кристалл в этом случае является подложкой. Для получения требуемого номинала резистора размеры соответствующего участка, а также его проводимость должны иметь строго определенные значения. Чаще всего резисторы получают локальной диффузией примесей через маску, ограничивающую зону резистора. Резисторы, полученные с помощью диффузионной технологии, называются диффузионными. На 9.4 показан интегральный пленочный резистор, полученный с помощью диффузионной технологии. Концы резистивного элемента / соединяются с пленочными контактами площадки 2, выполненными из металла (алюминий, медь, золото), наносимого на подложку 3.
Работа цифровых ЭВМ заключается в обработке исходных данных по задач-ному алгоритму. Под алгоритмом работы понимается набор последовательного выполнения действий по обработке исходных данных для получения требуемого результата. В цифровых ЭВМ алгоритм реализуется при выполнении программы, хранимой в запоминающем устройстве в виде последовательности команд.
Искусственные линии находят широкое применение в лабораторных условиях и в особенности в современной импульсной радиотехнике для получения требуемого запаздывания сигналов.
Похожие определения: Представлены различные Понимается отношение Представлена упрощенная Представления синусоидальных Представлено следующим Предварительным преобразованием Предварительно напряженного
|