Получения требуемых

До настоящего времени основным методом получения тонкопленочных ГИС являлось термическое испарение материалов и их конденсация в вакууме. Достоинствами метода являются: реализация высоких скоростей осаждения материалов в высоком вакууме, простота, отработанность технологических операций и наличие современного высокопроизводительного оборудования. Однако этому методу свойственны такие недостатки, как трудность обеспечения высокой воспроизводимости свойств пленок при осаждении веществ

Технологический процесс получения тонкопленочных микросборок требует более дорогостоящего оборудования и значительно более сложен, чем процесс изготовления толстопленочных схем. Однако рисунок толстопленочной схемы можно выполнить при ширине линий и расстояниях между ними не менее 150 мкм. При этом на заданной площади подложки можно расположить менее сложную схему. Габариты микросборок, изготовленных по толстопленочной технологии, больше, чем у изготовленных с применением тонких пленок. Поэтому толстопленочные микросборки находят широкое применение при изготовлении бытовой или промышленной аппаратуры, где решающим фактором является стоимость. В аппаратуре, к которой предъявляют жесткие требования по массе и габаритам применяют тонкопленочные микросборки. Тонкие пленки незаменимы также для получения микросборок СВЧ-диапазона, которые требуют высокой точности выполнения линейных размеров, и полосковых узлов, широко используемых при конструировании устройства СВЧ-диапазона.

10-19. Схема получения тонкопленочных элементов с применением контактной маски (прямой вариант).

10-20. Схема получения тонкопленочных элементов с применением контактной маски (косвенный вариант).

Для получения тонкопленочных компонентов методом селективного травления с минимальным разбросом (погрешностью) их параметров необходимо обеспечить равномерное травление по всему рабочему полю подложки.

В качестве примера исследования влияния технологических факторов на процессы осаждения пленок приведем методику и результаты исследования для случая получения тонкопленочных резисторов из вольфрама,, молибдена и рения.

Технологические факторы, влияющие на процесс получения тонкопленочных резисторов

31. Схема получения тонкопленочных элементов с применением контактной маски (прямой вариант):

32. Схема получения тонкопленочных элементов с применением контактной маски (косвенный вариант):

Для получения тонкопленочных компонентов методом селек'-тивного травления с минимальным разбросом (погрешностью) их параметров необходимо обеспечить равномерное травление по всему рабочему полю подложки.

Для получения тонкопленочных элементов используют проводящие, резистивные и диэлектрические пленки. Проводящие пленки применяют для контактных площадок коммутационных дорожек, обкладок конденсаторов и индуктивностей. Их выполняют из различных материалов, свойства и технология получения которых приведены ниже.

Разработка новых сложных механических, гидравлических и других систем связана со значительными трудностями, состоящими в том, что нет гарантии получения требуемых расчетных величин и нет возможности провести экспериментальные исследования системы, поскольку она не выполнена в натуре. Поэтому при разработке той или иной системы прибегают к созданию физической модели системы. Результаты исследования модели позволяют выявить действительные характеристики и дать рекомендации для корректировки параметров системы с целью получения оптимальных характеристик. Наиболее простыми и универсальными моделями для исследования как стационарных, так и переходных режимов механических и других систем являются электрические модели, представляющие собой электрические цепи с резистивными, емкостными и индуктивными элементами, в которых аналогами исследуемых величин являются ток, напряжение, индуктивность и емкость. Выполнение электрической модели и проведение ее исследования не связано с какими-либо техническими трудностями и не требует значительных затрат. Создание же механи-

Для получения требуемых времен пуска и электрического торможения приходится устанавливать определенные пусковые и тормозные моменты двигателей, которые обычно превышают номинальные значения; пусковым и тормозным моментам соответствуют пусковые и тормозные токи, которые также бывают больше номинальных. В связи с этим интересно сравнить соотношения между моментами при I, > > /„ ном, а также соотношения между токами при М > Мном различных двигателей.

В специальных генераторах со смешанным возбуждением последовательная обмотка необходима для получения требуемых характеристик, например в аппаратах для сварки создается крутопадающая внешняя характеристика.

Метод экспериментального моделирования. Применяется в тех случаях, когда проектируемая электрическая машина не имеет схожих в тепловом отношении аналогов. Для получения требуемых при расчете параметров необходимо проведение экспериментов на моделях или на макетах. Для определения искомых превышений температур отдельных частей электрических машин находят перепады температур, происходящие на пути движения тепловых потоков от источников теплоты к охлаждающей среде. Перепады температур происходят в изоляции, в активных частях, а также между охлаждающими поверхностями машины и охлаждаемой средой. Кроме того, необходимо учитывать подогрев охлаждающей среды от нагретой машины.

В специальных генераторах со смешанным возбуждением последовательная обмотка необходима для получения требуемых характеристик, например в аппаратах для сварки создается крутопадающая внешняя характеристика.

В специальных генераторах со смешанным возбуждением последовательная обмотйа необходима для получения требуемых характеристик, например в аппаратах для сварки создается крутопадающая внешняя характеристика.

Для получения требуемых качественных показателей по точности и достоверности получаемой информации, а также пропускной способности радиолинии необходимо обеспечить определенное соотношение q2 мощности сигнала РС.ВЫХ и мощности шума Рш.вых на выходе приемника

Обычно при проектировании электропривода механическая характеристика производственного механизма является уже заданной. Поэтому для получения устойчивой работы в установившемся режиме для определенных скоростей и моментов сопротивления производственных механизмов необходимо подбирать механическую характеристику электродвигателя соответствующей формы. Это может быть достигнуто подбором электродвигателя соответствующего типа и изменением электрических параметров его цепей. Иногда для получения требуемых механических характеристик приходится применять специальные схемы включения электрических машин и аппаратов.

Полученные выше расчетные формулы пригодны и для предварительных усилителей на полевых транзисторах, если принять в качестве [7Г = цп т (7ВХ, а в качестве Лэ.„.ч сопротивление утечки, включенное между затвором и истоком. В усилителях на биполярных транзисторах вследствие малых значений сопротивления R3 н ч для получения требуемых значений тн ч и, следовательно, небольших частотных искажений в области нижних частот приходится использовать электролитические конденсаторы большой емкости. Этого недостатка лишены усилители на полевых транзисторах. Вследствие высокого входного сопротивления в каскадах с полевыми транзисторами нетрудно обеспечить требуемые тн ч при использовании разделительных конденсаторов малой емкости.

В качестве шаговых обычно применяют синхронные двигатели без обмотки возбуждения на роторе: с постоянными магнитами, реактивные и индукторные (с подмагничиванием). Для получения требуемых статических характеристик и динамических свойств их выполняют без пусковой обмотки, с ротором минимального диаметра и рассчитывают на большие электромагнитные нагрузки.

Диффузионная технология нашла наибольшее применение при изготовлении кремниевых диодов. Исходным материалом здесь также является кремний «-типа. Для создания р-слоя используют диффузию акцепторного элемента (бора или алюминия) через поверхность исходного материала. Диффузия может производиться из трех состояний акцепторного вещества: твердого, жидкого или газообразного. При диффузионном методе достигаются достаточная точность выполнения глубины р-слоя и концентрация примеси в нем на большой площади р-п перехода, что важно для получения требуемых параметров диодов.