Последовательное выполнение

( 1.1), включающей в себя последовательное сопротивление ZiAz и шунтирующую проводимость Y]Az (использование П-образ-ной модели с двумя симметрично включенными проводимостями величиной ViAz/2 каждая приведет к аналогичным результатам). Учитывая, что элементарные четырехполюсники, отображающие малые отрезки линии передачи, включены каскадно, попытаемся,

Заметим, что коллекторная область структуры транзистора ( 1.1, а) имеет большое объемное сопротивление (порядка 0,5...50 Ом • см), а контакт коллектора вынесен на лицевую поверхность подложки. В результате последовательное сопротивление в цепи коллекторного тока (сопротивление насыщения) получается больше, чем у дискретных транзисторов. На 1.1, в приведена эквивалентная схема паразитных параметров транзистора. Помимо сопротивления в цепи коллектора гн

! Выше (см. 1.8) приводилась эквивалентная схема «диодов» типичной структуры п — р — «-транзистора ( 1.1). Параллельно с каждым из имеющихся там трех р — n-переходов, которые могут использоваться как конденсаторы, включен «идеальный» диод, позволяющий определить полярность смещающего напряжения. Каждая емкость имеет последовательное сопротивление потерь. В табл. 3 приведены типичные значения

На 5.9, а показана полная схема замещения диода СВЧ. Ее элементами являются: г„Иф — дифференциальное сопротивление р — «-перехода; Со — диффузионная емкость перехода; Сб — барьерная емкость перехода; г — последовательное сопротивление объема полупроводника; гут—сопротивление утечки (в основном

постоянная времени т (0,7—2,2 пс), равная произведению зарядной емкости р-/7-перехода на последовательное сопротивление потерь (сопротивление тела полупроводника) и характеризующая предельную частоту работы диода (^Пред ^ 0»2/т), а также его шумовые свойства.

Потери в собственной емкости индуктивной катушки. Кроме потерь в проводе намотки дополнительные потери возникают и в диэлектрике собственной емкости. Последовательное сопротивление, эквивалентное этим потерям:

Как видно из таблицы, для того чтобы при смещении 5В получить емкость 500 пФ, нужно иметь площадь обкладки, равную примерно 0,8 мм2, что соизмеримо с размерами кристалла, используемого для изготовления микросхемы. Поэтому диффузионные конденсаторы обычт но имеют небольшую емкость. К числу других недостатков следует отнести высокое последовательное сопротивление конденсатора, обусловленное высоким удельным сопротивлением п-области /.

Рассмотренный способ получения резисторов и конденсаторов непосредственно в толще кристалла позволяет изготавливать дешевые и надежные микросхемы. Однако полученные таким способом компоненты обладают рядом недостатков: а) их параметры в значительной степени зависят от температуры; б) последовательное сопротивление конденсаторов получается большим; в) емкость диффузионных конденсаторов зависит от приложенного напряжения; г) диапазон номинальных значений компонентов получается ограниченным.

Последовательное сопротивление коллекторной области транзистора регулируется путем введения в его структуру скрытого п+-слоя. В области коллектора, где формируется омический контакт, проводится диффузия донорной примеси для образования «"^-области. Этим обеспечивается предотвращение инверсии слаболегированного эпитаксиального слоя, так как алюминий, используемый при выполнении омического контакта, является акцептором. В структуре со скрытым высоколегированным слоем последовательное сопротивление коллекторной области составляет обычно 10—500м.

На 2.15, а показана структура планарно-эпитаксиального транзистора полупроводниковой ИМС со скрытым п + -слоем. Его отличие от дискретного транзистора подобного типа заключается в том, что коллекторный вывод выполнен с верхней стороны исходной подложки, что и обусловливает более высокое последовательное сопротивление коллекторной области. Диодная изоляция островка вокруг коллекторной области интегрального транзистора вносит два паразитных элемента: диод Дкп на переходе коллектор — подложка и емкость Ск„ на том же переходе,

а) площадь коллектора определяет емкость перехода коллектор — подложка и последовательное сопротивление коллекторной области;

Обращение к ВЗУ в общем случае предполагает последовательное выполнение двух процессов:

Что выполняет команда условной передачи управления (УПУ, код 21)? Она позволяет изменить обычный ход вычислений (последовательное выполнение команд из ОЗУ) в зависимости от промежуточного результата, полученного в результате выполнения предыдущей команды. Во втором адресе этой команды указывается адрес той ячейки, из которой надо взять для выполнения следующую команду и послать ее в УУ в регистр команд, если результат предыдущей операции был отрицательным. Первый и третий адреса игнорируются.

На последовательное выполнение операций рассчитаны и наиболее популярные языки программирования высокого уровня: Фортран, Кобол, Алгол, Паскаль и др. Поэтому они мало пригодны для описания глубоко распараллеленных процессов и должны быть заменены другими языками, но какими, как и когда? Многие программисты и конструкторы ВС рассуждают так: переходя к супер-ЭВМ, т. е. к векторной

Как показано на схеме, каждый этап включает последовательное выполнение процедур синтеза С, расчета

Как видно из структурной схемы алгоритма, при благоприятном стечении обстоятельств (простая электрическая схема, конструктор имеет опыт разработки ПП и др.) конструирование включает последовательное выполнение операций и цель достигается кратчайшим путем. Если же электрическая схема сложная, конструктор не имеет опыта, некоторые предыдущие операции выполнены некачественно и т. п., разработка усложняется за счет повторного или даже многократного выполнения некоторых операций, вводимых директивами алгоритма.

Влияние конструкции на организацию производства. Если какой-либо узел конструкции (например, кристалл БИС микрокалькулятора) изготовляется в едином технологическом цикле, то, естественно, в этом случае имеет место последовательное выполнение операций. При возможности расчленения конструкции на отдельно изготовляемые и проверяемые узлы производственный процесс может иметь смешанный характер: одновременное (параллельное) изготовление всех узлов, определенная последовательность операций в процессе изготовления каждого узла и при сборке аппаратуры из отдельных узлов. Такое построение ТП позволяет уменьшить общую длительность производственного процесса и обеспечить отбраковку неисправных узлов на ранних этапах производства. Однако при этом пропорционально увеличиваются производственный персонал, количество оборудования, оснастки, производственные площади. В единичном производстве при параллельно-последовательной организации производства требуются высококвалифицированные рабочие, универсальное оборудование и оснастка или ГПС. Но конструкция РЭС должна в последнем случае отвечать определенным требованиям и отличаться от конструкции, изготовляемой при неавтоматизированном производстве (см. § 1.4).

Процесс проектирования топологической структуры гибридных ИМС включает последовательное выполнение целого комплекса работ по расчету пленочных элементов и их компоновке

5-25. Последовательное выполнение (а) и совмещение операции (б, в).

реходов. При использовании токарного станка с ЧПУ возможно, в основном, лишь последовательное выполнение переходов. Другая возможность реализации — использование вспомогательного и специального режущего инструмента для одновременной обработки несколько поверхностей (державок для одновременного крепления нескольких резцов, фасонных резцов, комбинированных осевых инструментов и т. д.). Таким образом, абстрактный граф подвергается преобразованиям в зависимости от конкретных условий реализации разрабатываемой операции.

Последовательное выполнение операций уменьшает быстродействие устройства, но оно практически неограниченно увеличивает его функциональные возможности. Однако для практического использования МП должен быть снаб-

1) считывание команды из памяти. Номер ячейки памяти, где хранится первая команда, заносится в специальный счетчик команд, после выполнения команды код, записанный в счетчике, автоматически увеличивается на 1, что обеспечивает последовательное выполнение команд программы;