Получения резисторов

Все законченные строительством и монтажом новые или реконструированные электроустановки, являющиеся в основном вспомогательными к технологическим сооружениям для транспорта газа по газопроводам, принимаются в эксплуатацию рабочей комиссией, назначенной заказчиком. Допуск к эксплуатации электроустановок осуществляется инспекцией соответствующей энергоснабжающей организации после предъявления электроустановки для осмотра и получения разрешения на эксплуатацию. Напряжение в электросети потребителя (газопровода) включается энергоснабжающей организацией после установки проверенных в лаборатории Энергосбыта электросчетчиков и заключения договора на отпуск электроэнергии.

4. Как правило, проекты АЭС не отвечают требованиям охраны окружающей среды. По всем этим причинам сроки строительства АЭС удлиняются до 10 лет (срок строительства ТЭС на угле 4—5 лет, а на газе и мазуте меньше на 6 месяцев). Кроме того в США велики сроки получения разрешения на строительство АЭС. Так, власти Лос-Анджелеса рассматривали проект строительства АЭС «Малибу» мощностью 490 МВт около 10 лет, и это не единственный случай. Строительство АЭС сдерживается и инфляцией, в условиях ее удельные капиталовложения возрастают. В 1976 г. удельные капиталовложения прогнозировались в размере 134 долл./кВт. Фактически они оказались выше. В начале 80-х годов эта величина составит 700 долл./кВт.

Проект «Кетч» намечено осуществить в пять этапов. Первый этап, длительностью около шести месяцев — изыскания и разведочное бурение для получения геологических и гидрогеологических данных, а также оценка безопасных условий производства эксперимента. При благоприятных выводах первого этапа и получения разрешения КАЭ и Конгресса США на эксперимент .«Кетч» начнется второй этап — бурение боевой скважины, установка и детонация заряда, проверка радиационного эффекта взрыва на поверхности (длительность этапа шесть месяцев). На третьем этапе длительностью 11 месяцев — бурение скважины в ядерный эллипсоид, испытания его при низких давлениях, удаление радиоактивных газов продувкой зоны обрушения сжатым воздухом, замер и определение емкости хранилища. Четвертый этап (шесть месяцев) включает испытания под высоким давлением, строительство поверхностных сооружений и газопроводов, подготовку хранилища к сдаче в эксплуатацию. На пятом этапе (14 месяцев) проводится опытная эксплуатация газохранилища, определяются эксплуатационные технико-экономические показатели и составляется заключительный отчет по эксперименту. Общая длительность пяти этапов около четырех лет.

На основании обследований должно быть выполнено расчетное обоснование безопасной эксплуатации оборудования энергоблока на период предполагаемого продления срока службы. Разрабатываются перечень мероприятий, которые должны быть реализованы для получения разрешения на продление эксплуатации энергоблока, специальная конструкторская и технологическая документация; проводится модификация регламента эксплуатации и технического обслуживания; внедряются дополнительные системы контроля и оценки технического состояния оборудования.

Производитель работ (наблюдающий) с момента получения разрешения на производство работ по распоряжению осуществляет надзор за работающими в отношении соблюдения ими правил техники безопасности.

При обнаружении при земляных работах не отмеченных на планах и схемах кабелей, трубопроводов,: подземных сооружений необходимо приостановить работы до выяснения характера обнаруженных предметов, коммуникаций или сооружений и получения разрешения на производство работ, и поставить в известность об этом ответственного руководителя работ.

На основании обследований должно быть выполнено расчетное обоснование безопасной эксплуатации оборудования энергоблока на период предполагаемого продления срока службы. Разрабатываются перечень мероприятий, которые должны быть реализованы для получения разрешения на продление эксплуатации энергоблока, специальная конструкторская и технологическая документация; проводится модификация регламента эксплуатации и технического обслуживания; внедряются дополнительные системы контроля и оценки технического состояния оборудования.

При отключении электродвигателя ответственного механизма от действия основной защиты и отсутствии резервного электродвигателя допускается повторное включение электродвигателя после внешнего осмотра и получения разрешения от начальника смены электроцеха.

Постройка передатчика и работа на нем допустимы тольдсо после получения разрешения органов Министерства связи, которое выдается по ходатайству комитета ДОСААФ или спортивного клуба при радиотехнической школе.

На электроприводе конвейера установлен короткозамкнутый асинхронный двигатель с реверсивным пускателем. . Управление электроприводом конвейера может быть дистанционным с пульта управления ПУ или автоматическим. Работа конвейера возможна после получения разрешения со всех рабочих мест, на которых установлены ключи разрешения КР и лампы ЛМ. После окончания работ на данной рабочей позиции конвейера ключ КР ставят на рабочее положение Р: при этом на рабочем месте зажигается лампа ЛМ, а на пульте управления лампа. ЛК-Если все ключи рабочих мест поставлены в положение Р, производственные машины находятся в исходном положении и траверсные тележки находятся у конвейера, то замкнуты контакты 1РСТ, 2РСТ. Конечные выключатели 4КВ2 -т- 7КВ2 замкнуты при опущенных путях установки многопустотных настилов. Конечные выключатели 2ПВВ2 и 4ПВВ2 замкнуты при поднятых рельсах вибромашины. Конечный выключатель КВПВ замкнут при верхнем положении подъемной рамы бетоноукладчика.

Для получения резисторов с разными значениями сопротивления можно изменять как материал, так и толщину токопроводящего слоя. Однако получить резисторы с широкой шкалой номинальных значений только за счет выбора материала токопроводящего слоя и его толщины при неизменных габаритах очень сложно; чтобы получить большие значения сопротивлений, меняют длину и сечение токопроводящего слоя нарезанием изолирующей спиральной канавки ( 5.2, в). При этом увеличивается длина и уменьшается ширина (сечение) токопроводящего слоя.

Рассмотренный способ получения резисторов и конденсаторов непосредственно в толще кристалла позволяет изготавливать дешевые и надежные микросхемы. Однако полученные таким способом компоненты обладают рядом недостатков: а) их параметры в значительной степени зависят от температуры; б) последовательное сопротивление конденсаторов получается большим; в) емкость диффузионных конденсаторов зависит от приложенного напряжения; г) диапазон номинальных значений компонентов получается ограниченным.

Использование ps в качестве параметра резистивной пленки удобно и тем, что для получения резисторов с различными со-

Для расчета используется упрощенная эквивалентная схема в виде длинной /?С-линии ( 2.24, б, в). Резисторы со структурой рио. 2.23, а имеют поверхностное сопротивление ps = 100 -*--т- 200 Ом/кв и могут обеспечить номинальное значение сопротивления от 2 Ом до 30 кОм. Для получения резисторов с сопротивлением R < 100 Ом целесообразно использовать эмиттерную область в четырехслойной структуре ( 2.23, в). Резисторы с большими номинальными сопротивлениями (R > 10 кОм) занимают большую площадь кристалла; поэтому для получения резисторов с сопротивлением 10—100 кОм используется базовая область под эмиттерным переходом ( 2.23, б).

Материалы, используемые для получения резисторов и конденсаторов, и параметры соответствующих пленок рассмотрены в гл. 6. Сопротивление резистивных пленок можно контролировать в процессе напыления, измеряя сопротивления тестового элемента. Таким способом удается получить технологический разброс сопротивлений не более 5 %. Толщину пленок можно контролировать косвенно, измеряя резонансную частоту кристалла кварца, помещенного рядом с подложкой. Частота изменяется в зависимости от толщины осажденной на кристалл пленки. Электрические параметры элементов после их создания измеряют зондовым методом. В необходимых случаях осуществляют подгонку параметров элементов. Групповая подгонка делается стравливанием или окислением резистивных слоев, после чего их толщина уменьшается, а сопротивление возрастает. При индивидуальной подгонке сопротивлений и емкостей с высокой точностью удаляют часть пленки с помощью лазера. В результате можно воспроизвести сопротивление резистора с точностью до десятых долей процента.

Этот переход может выполнять роль вентиля (диода). Структуры из нескольких р-м-переходов служат транзисторами, тиристорами и другими активными элементами. Запертый обратным постоянным напряжением p-n-перелод выполняет роль конденсатора. Обратное сопротивление р-м-перехода играет роль высокоомного резистора. Для получения резисторов с сопротивлением в сотни килоом используют входные клеммы эмиттерных повторителей, собранных на р-п-переходах. В качестве небольших сопротивлений используют просто участки полупроводникового кристалла (эпитаксиального слоя), от которого сделаны контактные выводы.

Наиболее распространенным методом получения резисторов является их формирование путем локальной диффузии через маску, ограничивающую тонкую область, составляющую резистор. Причем эта диффузия проводится одновременно либо при формировании базовых областей (когда требуются высокоомные сопротивления), либо эмиттерных. Чаще используется базовая диффузия, так как при этом удается заметно уменьшить площадь, занимаемую резистором. При эмиттерной диффузии, хотя и увеличиваются размеры резистора, температурный коэффициент сопротивления (ТКС) резистора получается меньшего значения. При базовой диффузии ТКС = 0,1-^ 0,3%/°С, а при эмиттерной ТКС = 0,01 %/°С.

Резисторы в кремниевых интегральных схемах, получаемые технологией ионного легирования, имеют ряд преимуществ перед диффузионными: широкий диапазон значений удельного поверхностного сопротивления (если у диффузионных резисторов ps не превышает 500 Ом/кВ, то у ионно-легированных оно достигает 20 кОм/кВ, что особенно важно для получения резисторов высоких номиналов— свыше 100 кОм); высокая абсолютная величина допуска, что связано с точным контролем концентрации вводимых легирующих примесей; наименьшее значение ТКС по сравнению с резисторами других классов ( 9-9); линейность вольт-амперных характеристик, что объясняется значительно более низкой поД-вижностью носителей заряда вследствие Отжига при низких температурах и увеличением поверхностного сопротивления без повышения чувствительности к изменениям напряжения пробоя ( 9-10).

В этих схемах транзисторные структуры, в том числе и много-эмиттерные, создаются теми же методами, что и при планарной технологии, одновременно с созданием всей схемы. Планарные транзисторы ИС имеют высокую предельную частоту (fa = =30-4-300 МГц) и малые допустимые обратные напряжения на переходах. Для получения резисторов ИС в монокристалле создаются диффузионные' зоцы, сопротивление которых зависит от количества введенных в полупроводник примесей. Номинальные значения сопротивлений диффузионных резисторов лежат в пределах от нескольких Ом до нескольких десятков кОм. В интегральных схемах в качестве конденсаторов используют емкости р-п-перехо-дов, которые могут достигать сотен пикофарад. Диоды интегральных схем создаются из транзисторных структур различными способами соединения электродов транзистора. Например, анодом диода служит эмиттер транзистора, а катодом — соединенные вместе база и коллектор и т. д. От способа соединения электродов зависит крутизна прямой ветви вольт-амперной характеристики диода.

3) возможность получения резисторов с удельным поверхностным сопротивлением до 1 МОм на квадрат и удельной мощностью рассеяния до 4 Вт/см2;

Основными достоинствами тонкопленочных микросхем являются возможность получения резисторов и конденсаторов с широкими диапазонами номиналов и точными параметрами, высокая температурная стабильность и возможности автоматизации процесса напыления.