Поскольку транзистор

Концы обмоток ВН и НН трансформатора выводятся из стального бака через фарфоровые проходные изоляторы 4 и 5 (вводы). Поскольку трансформаторы высокого напряжения устанавливаются на открытых подстанциях, наружная часть вводов имеет ребра, предохраняющие значительную часть поверхности от увлажнения и увеличивающие длину пути поверхностного электрического разряда. Внутренняя часть вводов на напряжение 110-^800 кВ заполняется маслом, а между токоведущим стержнем и фарфоровой покрышкой устанавливаются картонные цилиндры — экраны, увеличивающие электрическую прочность изоляции.

Число витков второго трансформатора меньше, чем первого. Поскольку трансформаторы имеют равные номинальные мощности и напряжения, номинальные токи трансформаторов

Р е ш е ни е 8-51. Поскольку трансформаторы имеют равные номинальные мощности и напряжения первичных и вторичных обмоток, номинальные токи их первичных обмоток также будут равными. Напряжение короткого замыкания первого трансформатора равно

Сопротивление нулевой последовательности источника хт 0 обычно значительно меньше хи, поскольку трансформаторы на станции или в системах имеют обмотки низшего напряжения, соединенные

Вторичные обмотки трансформаторов тока и напряжения должны быть заземлены. Поскольку трансформаторы напряжения работают в режиме, близком к холостому ходу, и не допускают коротких замыканий, цепи первичной и вторичной обмоток защищаются плавкими предохранителями. Трансформаторы тока пре-

Концы обмоток ВН и НН трансформатора, выводятся из стального бака через фарфоровые проходные изоляторы 6 и 7 (вводы). Поскольку трансформаторы высокого напряжения устанавливаются на открытых подстанциях, наружная часть вводов имеет ребра, предохраняющие значительную часть поверхности от увлажнения и увеличивающие длину пути поверхностного электрического разряда (см. 12.16). Внутренняя часть вводов на напряжение 110—700 кв заполняется маслом, а между токоведущим стержнем и фарфоровой покрышкой устанавливаются картонные цилиндры — экраны, увеличивающие электрическую прочность изоляции.

Поскольку трансформаторы СН имеют расщепленные обмотки низшего напряжения, сборные шины 6 кВ блоков должны быть разделены на две секции, что соответствует двойному числу рабочих машин. Резервные токопроводы также удвоены. На станциях с большим числом блоков возможны режимы, при которых необходимо использовать одновременно два резервных трансформа-

Выбор необходимого магнитопровода для трансформатора осуществляется по формуле для габаритной мощности, выведенной в разделе «Как работает трансформатор». По этой формуле мы должны определить произведение SS0. Следует отметить, что для двухтактных преобразователей предпочтительнее использовать тороидальные маг-нитопроводы, поскольку трансформаторы, намотанные на них, получаются наиболее компактными. Итак, габаритная мощность трансформатора, намотанного на магнитопроводе конкретных размеров:

лостого хода. Для того чтобы нагрузить трансформаторы, необходимо, чтобы разность между вторичными ЭДС трансформаторов не равнялась нулю. Если она равна сумме напряжений короткого замыкания, по обмоткам трансформаторов будут протекать номинальные токи, вызывающие номинальные электрические потери. Поскольку трансформаторы работают при номинальном напряжении, потери в стали также будут равны номинальным. Для компенсации потерь при испытаниях по методу взаимной нагрузки используются способы параллельного или последовательного включения источника питания.

Трансформаторы и дроссели. Поскольку трансформаторы и дроссели работают на значительно больших мощностях, чем радиочастотные индуктивные катушки, они являются источниками относительно сильных помех.

шается, конденсатор начинает заряжаться. По мере его зарядки ток базы уменьшается, а ток коллектора не изменяется, поскольку транзистор продолжает оставаться в режиме насыщения. Когда ток зарядки уменьшится до значения, соответствующего границе насыщения, транзистор переходит в обычный усилительный режим. Благодаря положительной обратной связи происходит резкий переход транзистора в режим отсечки и конденсатор перезаряжается по цепи R\—С—/?2, стремясь зарядиться до напряжения источника питания. Как только потенциал базы

В настоящее время в составе полупроводниковой ИМС могут быть изготовлены диоды почти любого типа. Однако при разработке ИМС всегда желательно использование лишь однотипных структур. Такими структурами обычно являются биполярные транзисторы. Поскольку транзистор имеет два ^-«-перехода, то его просто использовать и в качестве диода. В полупроводниковых ИМС применяются различные схемы включения транзистора в качестве диода, т. е. интегральный диод представляет собой биполярный

транзисторы одного типа. Этим можно объяснить широкое применение в БИС и СБИС схем с непосредственными связями на МОП-транзисторах. В БИС используются также инверторы, в которых в качестве ПЭ применяют МДП-транзи-стор с индуцированным каналом, а в качестве НЭ — М ДП-транзистор со встроенным каналом того же типа электропроводности. В данном случае в зависимости от способа подключения затвора нагрузочного транзистора можно получить инвертор с нелинейной, квазилинейной и токостабилизи-рующей нагрузкой. Такая схема базового элемента обладает большей схемотехнической гибкостью, но более сложна в изготовлении. Используя в качестве НЭ МОП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения, в ИМС можно реализовать НЭ и ПЭ с одинаковыми геометрическими размерами. В этом заключается их преимущество по сравнению с инверторами, построенными на МОП-транзисторах с индуцированным каналом. Поскольку транзистор со встроенным каналом работает в схеме инвертора подобно резистору, целесообразно начать рассмотрение работы базовых элементов на МОП-транзисторах с описанием работы инвертора с линейной нагрузкой, тем более, что в эту группу элементов входят также инверторы позиций 4.3, 4.4 (табл. 1.1). Анализируя передачу цифровой информации по цепочке последовательно соединенных инверторов, в которой четные (2п) ПЭ должны быть закрыты, а- нечетные (2п + 1) ПЭ — открыты, можно вывести условия неискаженной передачи информации:

Поскольку транзистор V2 закрыт, то потенциал его коллектора, а следовательно, и потенциал базы транзистора V3 примерно равны напряжению источника питания + 5 В. В результате переход база—эмиттер транзистора V3 и диод V6 будут открыты. При этом выходное напряжение, равное потенциалу коллектора транзистора V4, составляет примерно 2,4 В, что соответствует логической 1. Такое же состояние будет и в том случае, если на один или несколько входов МЭТ подать низкие потенциалы.

Заторможенный блокинг-генератор можно выполнить на транзисторе'( 83, а). При отсутствии сигналов запуска генератор заторможен, поскольку транзистор заперт напряжением Есм. Когда поступает импульс запуска ?/вх > ?ом, транзистор отпирается, начинает протекать ток и развивается блокинг-процесс, приводящий сначала к полному открыванию транзистора, затем к его полному запиранию, в котором он и остается до прихода следующего импульса запуска. Таким образом, воздействие импульса (практически любой формы) приводит к срабатыванию блокинг-генератора и появлению на его выходе импульса, форма и амплитуда которого не зависят от входного сигнала (при условии, что его амплитуда несколько больше Есм).

создаются условия для протекания тока в транзисторе VT1 только в цепи перехода эмиттер-база (на 96, б указаны два параллельно соединенных эмиттера, работающих как один), а переход коллектор-база закрыт, вследствие чего нет тока в цепи базы транзистора VT2 и он заперт. При этом на его коллекторе имеется напряжение, близкое к напряжению источника питания. Это напряжение действует на базу транзистора VT3, что приводит к его полному отпиранию. В то же время транзистор VT4 заперт, поскольку на его базу не подается никакого напряжения, так как транзистор VT2 закрыт, ток через него не проходит и на резисторе R2 нет напряжения (которое могло бы открыть транзистор VT4). Таким образом, поскольку транзистор VT3 открыт,

и логическое отрицание (инверсию) НЕ. Для этого активные элементы должны быть использованы не в режиме повторителей (как в схеме 98, б), а в режиме усилителей-инверторов, что легко достигается перенесением общего сопротивления нагрузки из цепи истоков в цепь стоков. На 99, а приведена такая схема логического элемента ИЛИ-НЕ. При сигналах логического О на входах А и В транзисторы VT2 и VT3 заперты, а поскольку транзистор VT1 постоянно открыт и играет роль сопротивления нагрузки, то на выходе Q действует положительное напряжение логической 1. Если на одном из входов А или В (или одновременно на двух) действует положительное.напряжение, соответствующее логической 1, то транзистор VT2 или VT3 или оба вместе оказываются открытыми и напряжение на выходе Q снижается до нескольких десятых долей-единиц вольт, т. е. до уровня напряжения логического 0.

Поскольку транзистор высокочастотный, то величину ш,а выберем не из условия получения заданной длительности ^ф, а из условия намагничивания сердечника током коллектора до насыщения:

Поскольку транзистор VT., задает постоянные коллекторные токи «л-т^и, его можно заменить двумя генераторами тока. Тогда получим упрощенную эквивалентную схему двух последовательно соединенных ЛЭ, показанную на 7.22. Токи /г одинаковы и равны ал/т/„. Поясним принцип работы ЛЭ, используя 7.22.

На 12.11 приведена упрощенная схема типового ДК с однофазным выходом, выполненная на двух комплементарных парах взаимно согласованных биполярных транзисторов. Транизисторы VTI и VT2 первой пары включены по схеме, по сути не отличающейся от схемы каскада с дифференциальным выходом (см. 12.4, а). Транзисторы VT3, VT4 второй пары образуют простейший отражатель тока, отличающийся от представленного на 12.3, а, б типом проводимости транзисторов и соответственно полярностью источника питания. Поскольку транзисторы VT3 и VT4 имеют взаимно согласованные параметры, а напряжения их эмиттерных переходов равны, то равны и их коллекторные токи, т. е. /кз = /К4. Поскольку транзистор

Используя представление транзистора в виде диодной сборки, рассмотрим включение транзистора в электрическую цепь. Если включены все электроды транзистора, то два электрода должны использоваться во входной цепи и два — в выходной. Поскольку транзистор является трехэлектродным прибором, то при таком включении один электрод неизбежно оказывается общим и для входной и для выходной цепи.