Поскольку распределение

по 12.3,6 при ai~«2 эти токи могут быть весьма малыми. Для многополюсных машин следует учитывать соображения, рассмотренные выше для междуфазных КЗ. С учетом всего изложенного, было бы желательно иметь от витковых КЗ быстродействующую защиту, реагирующую по возможности на все разновидности этих повреждений. Создание такой универсальной защиты оказалось затруднительным. Поэтому специальные защиты обычно устанавливаются только на генераторах, имеющих выведенные параллельные ветви обмоток, когда удается выполнить достаточно приемлемые устройства, особенно при соединении ветвей обмоток в две звезды с соединением их нейтралей между собой ( 12.3, в). При отсутствии специальной защиты рассчитывают на действие при витковых КЗ защит от К(31) , поскольку практически вит-ковые повреждения почти всегда начинаются или сопровождаются Учитывая это, желательно

Элементы двухтактных ПЗС, имеющие асимметричные потенциальные ямы, формируют также ионным легированием части приповерхностной области полупроводниковой подложки ( 11.11). Для этого, например, в подложке р-типа создают области р+-типа с повышенной концентрацией акцепторов, вводя атомы бора. Поскольку практически все атомы бора в рабочем интервале температур ионизированы, то при подаче положительного напряжения на затвор, выталкивающего дырки в подложку, в областях /?+-типа появится нескомпенсированный неподвижный отрицательный заряд ионов, уменьшающий глубину потенциальной ямы для электронов под соответствующей частью затвора.

из выражения (7.7) нетрудно получить значение на выбранное время /и. Но поскольку практически всегда задается значение Pz(tr), то удобно определять Prz(tvi) в зависимости от Pz(tr), исключив при этом t0 из отношений (7.7) и (7.8):

Поскольку практически входной сигнал обычно задается источником напряжения (а не источником тока), искажение тока коллектора в области малых токов может быть вызвано также искажением тока базы за счет нелинейности входных характеристик. Поэтому минимальное значение тока базы, соответствующее точке d на 28, а, определяется по входным характеристикам транзистора, как показано на 28, б. Ток /6 min соответствует началу линейного участка на входной характеристике.

раниченная точность перенесения рисунка с фотошаблона. Поскольку практически трудно выдерживать совершенно одинаковые условия для всех последовательно изготовляемых масок даже при

Результаты большинства исследований по проблеме «энергетика — окружающая среда» показывают, что социологические, экономические и политические аспекты проблемы намного сложнее технических аспектов, которые, однако, следует принимать во внимание. С помощью математического анализа транспортных потоков в последние годы удалось обеспечить проектировщиков транспортных систем данными, помогающими оптимизировать проекты по созданию транспортных средств и систем. В конструкциях общественных транспортных средств появились некоторые качественно новые черты, и технические аспекты создания предложенных транспортных средств следует рассмотреть подробнее. И, наконец, поскольку практически невозможно отказаться от пользования автомобилем, следует более подробно рассмотреть, какие факторы влияют на его характеристики и как их можно улучшать в будущем.

по 12.3,6 при ai~a2 эти токи могут быть весьма малыми. Для многополюсных машин следует учитывать соображения, рассмотренные выше для междуфазных КЗ. С учетом всего изложенного, было бы желательно иметь от витковых КЗ быстродействующую защиту, реагирующую по возможности на все разновидности этих повреждений. Создание такой универсальной защиты оказалось затруднительным. Поэтому специальные защиты обычно устанавливаются только на генераторах, имеющих выведенные параллельные ветви обмоток, когда удается выполнить достаточно приемлемые устройства, особенно при соединении ветвей обмоток в две звезды с соединением их нейтралей между собой ( 12 3, в). При отсутствии специальной защиты рассчитывают на действие при витковых КЗ защит от К^1) , поскольку практически вит-ковые повреждения почти всегда

Общее количество управляющей информации, циркулирующей в рассматриваемой системе, составляет 1300 бит; количество информации, генерируемое главным узлом управления —¦ 900 бит. Поскольку практически вся управляющая информация генерируется спорадически, т. е. нерегулярно, эти оценки носят приближенный характер.

Верификация разработанного устройства, а в мало-мальски сложных проектах и отдельных его фрагментов — один из важнейших этапов проектирования, поскольку практически не бывает бездефектных проектов, созданных с чистого листа. Обнаружение дефектов проекта — сложнейшая задача. Скорость и тщательность верификации во многом зависят от искусства разработчика.

При возникновении отказа работоспособности по функции несрабатывания в режимах без повреждения он сразу же проявится в виде отказа функционирования типа «ложное срабатывание», поскольку практически на всем интервале функционирования УРЗ, за исключением весьма малых интервалов существования внутренних и внешних КЗ, имеется требование несрабатывания. Таким образом, предотвращение отказов функционирования типа «ложное срабатывание» возможно только путем предотвращения отказов работоспособности УРЗ по данной функции.

Расчет электростатических квадрупольных линз весьма прост, поскольку практически легко осуществимы поля с приблизительно постоянными градиентами. Расчет магнитных линз значительно сложнее ввиду необходимости рассчитывать или определять экспериментально величину магнитной индукции, а затем — ее производной. В качестве примера приведем приближенную формулу для фокусного расстояния квадрупольной магнитной линзы, образованной двумя прямоугольными катушками седлообразной формы, имеющими п витков каждая и расположенными по цилиндрической поверхности с радиусом R:

Как следует из (2.168), получение непульсирующего «гладкого» потока при наличии хотя бы очень небольшой начальной радиальной составляющей скорости (т. е. Yh^O) возможно лишь в случае В-*-оо. Поскольку практически электроны имеют начальную радиальную составляющую скорости из-за наличия тепловых скоростей, действия анодной рассеивающей линзы и т. д., а величина магнитной индукции не может быть сколь угодно большой, в реальных пучках ^всегда существует более или менее пульсирующая граница.

ление сообщений по индивидуальным накопителям фазы III производится системой GI/M/1 (поскольку распределение длин входящего потока в процессе обслуживания в рассматриваемой модели центра не изменялось). В соответствии с (4.22) находим

Из 2.19 следует, что ТВ (ФС) сигнал однополярен, т. е. содержит среднюю (или постоянную) составляющую, которая пропорциональна средней яркости передаваемого изображения. Поскольку распределение яркости на объекте изменяется в пределах динамического диапазона яркости, сигнал изображения является непрерывным, многоуровневым.

В установившемся режиме температурное поле изменяется во времени с периодом ?ц. Поскольку распределение температуры Tj (?) по длине слитков в начале периода неизвестно, задают его заранее, что позволяет найти удельное сопротивление материала слитков р --— <р (7"i) и выполнить электрический расчет.

Необходимо проверить соблюдение этого равенства, сопоставив полученные значения 2iAp< для всех путей замещения (в схеме на 10-3, б таких параллельных путей семь). Поскольку распределение расхода на доли было произвольным, требование равенства потерь 2*Др* окажется чаще всего невыполненным.

Трассировка межсоединений. Как отмечалось в § 5.3, к наиболее эффективным относятся двухэтапные методы трассировки, когда сначала проводят распределение магистралей по каналам, в которые попадают ряд линий сетки, а затем выполняют окончательную разводку магистралей по линиям сетки внутри каждого канала. Первый этап называется распределением по каналам, а второй — распределением по линиям сетки. Важной особенностью данных методов является то, что на первом этапе распределение по каналам можно выполнить с одновременным расчетом взаимных помех трасс в масштабе всего базового кристалла, что позволяет учесть зависимость от порядка прокладки трасс. Кроме того, область поиска положения трасс значительно сокращается, поскольку распределение по линиям сетки выполняется на основе уже выполненного распределения по каналам. Вследствие возможности учета взаимных помех проводников на всех участках базового кристалла в качестве критерия эффективности трассировки целесообразно использовать не минимальную длину всех соединений, а плотность размещения проводников.

Поскольку распределение этих зарядов неизвестно, рассчитать поле методом наложения невозможно. Так как связанный распределенный заряд обусловлен точечным зарядом Q, можно свести эту сложную задачу к простой, заменив связанные заряды фиктивными точечным? зарядами, эквивалентными по своему влиянию на поле в обеих средах Величина, знак и расположение фиктивных точечных зарядоу определяются из граничных условий исходной задачи. В рассматри ваемом случае первая простая задача ( 25.2, б) отличается от ис ходной тем, что диэлектрик с проницаемостью е2 заменен диэлектри ком с проницаемостью е1( а влияние исключенных при этой замене связанных зарядов учтено введением фиктивного заряда Q1( расположенного зеркально заряду Q. Во второй простой задаче ( 25.2, в) произведена обратная замена сред, а влияние исключенных связан-

Инжектированные дырки достигают коллекторного перехода не мгновенно, так как время их диффузии в базе конечно. В течение интервала* ?зда времени движения фронта инжектированных , дырок через базу к коллектору его ток вообще не меняется. Ток /к начинает расти по мере прихода инжектированных дырок, диффундирующих в базе, к коллекторному переходу. Поскольку распределение тепловых скоростей дырок описывается законами статистики, время их движения к коллектору различно. Проходит некоторое время ?нр, в течение которого ток /к нарастает до-значения, близкого к стационарному.

Поскольку распределение вероятностей теплового шума подчиняется нормальному закону, то энтропийная погрешность [см. (2.2)} запишется

Инжектированные дырки достигают коллекторного перехода не мгновенно, так как время их диффузии в базе конечно. В течение интервала* ?зда времени движения фронта инжектированных , дырок через базу к коллектору его ток вообще не меняется. Ток /к начинает расти по мере прихода инжектированных дырок, диффундирующих в базе, к коллекторному переходу. Поскольку распределение тепловых скоростей дырок описывается законами статистики, время их движения к коллектору различно. Проходит некоторое время ?нр, в течение которого ток /к нарастает до-значения, близкого к стационарному.

. Отношения интегралов в последних двух формулах должны быть одинаковыми, поскольку распределение вектора ? и в проводнике, и в диэлектрике остается одним и тем же. Деля почленно (28.27) и (28.28), можно получить

1. Определяются параметры нормального распределения (поскольку распределение случайных координат ЦЭН следует нормальному закону распределения — закону Гаусса—Лапласа)—математическое ожидание, дисперсия, мера точности.